一种低温漂环形振荡器、芯片及通信终端

    公开(公告)号:CN112350722B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202011276399.8

    申请日:2020-11-16

    IPC分类号: H03L7/099

    摘要: 本发明公开了一种低温漂环形振荡器、芯片及通信终端。该低温漂环形振荡器包括温度跟踪补偿电路、反相器振荡回路和缓冲整形电路,利用二极管连接方式的PMOS管和NMOS管随温度变化的阻抗来跟踪补偿反相器振荡回路中反相器PMOS管和NMOS管阻抗的温度特性。同时,基于特定温度系数的偏置电流,通过调整温度跟踪补偿电路中各个变量的温度系数的比例关系,将采用二极管连接方式的PMOS管和NMOS管的阻抗温度特性转换为带有补偿温度特性的电压,再将该电压作为反相器振荡回路的供电电压,以实现环形振荡器输出的时钟信号的振荡频率几乎不受温度影响。

    功率自适应频率调节的电荷泵电路、芯片及电子设备

    公开(公告)号:CN115833570A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211380018.X

    申请日:2022-11-04

    IPC分类号: H02M3/07 H03K17/687

    摘要: 本发明公开了一种功率自适应频率调节的电荷泵电路,包括射频开关检波单元、负压监测反馈单元、压控振荡器单元和负压产生单元。其中,射频开关检波单元的输入端与射频开关电路中的开关晶体管的体端连接,射频开关检波单元的输出端分别与负压监测反馈单元的输入端及负压产生单元的输出端连接,负压监测反馈单元的输出端与压控振荡器单元的输入端连接,压控振荡器单元的输出端与负压产生单元的输入端连接,形成电荷泵电路的闭环控制回路。本发明解决了在大功率射频信号的工况下,射频开关电路中晶体管开关体端偏置电压被抬高的问题,提高了射频开关电路的线性度和功率处理能力。

    一种支持高功率模式的射频开关电路、芯片及其电子设备

    公开(公告)号:CN115395939A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210880652.3

    申请日:2022-07-25

    发明人: 李艳丽 张巳龙

    IPC分类号: H03K17/14 H03K17/687

    摘要: 本发明公开了一种支持高功率模式的射频开关电路、芯片及其电子设备。该射频开关电路由多级开关晶体管单元串联组成;在每级开关晶体管单元中,第一晶体管的栅极与栅极偏置电阻连接,栅极偏置电阻的另一端连接栅极偏置电压;第一晶体管的漏极与前一级开关晶体管单元中的第一晶体管的源极连接,第一晶体管的源极与后一级开关晶体管单元中的第一晶体管的漏极连接;通路电阻的两端分别与第一晶体管的漏极和源极连接,第一晶体管的体极分别与第二晶体管的源极、第三晶体管的源极连接;第二晶体管的栅极与第一晶体管的源极连接,第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极连接。本发明所提供的射频开关电路,功率输出能力得到明显提高。

    一种具有高耐受功率的射频开关电路、芯片及其电子设备

    公开(公告)号:CN115395937A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202210878678.4

    申请日:2022-07-25

    发明人: 李艳丽 张巳龙

    摘要: 本发明公开了一种具有高耐受功率的射频开关电路、芯片及其电子设备。该射频开关电路由多级开关晶体管单元串联组成;在每级开关晶体管单元中,第一晶体管的体极与第二晶体管的源极、体极连接在一起;第一晶体管的漏极与前一级开关晶体管单元的输出端连接;第一晶体管的源极一方面与第二晶体管的栅极连接,另一方面与后一级开关晶体管单元中的第一晶体管的漏极连接;通路电阻设置在第一晶体管的漏极与源极之间。本发明所提供的射频开关电路,改善了电压摆幅在各级开关晶体管层叠链中分布不均匀的现象,从而使得射频开关电路的非线性问题得到改善,插入损耗减小,平均耐受功率得到明显提高。

    一种功率检测电路、芯片及通信终端

    公开(公告)号:CN113359934A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110753543.0

    申请日:2021-07-02

    IPC分类号: G05F1/567

    摘要: 本发明公开了一种功率检测电路、芯片及通信终端。该电路包括功率检测单元、基准电流产生单元、电压‑电流转换单元和运算输出单元,功率检测单元的输出端与电压‑电流转换单元的输入端相连,电压‑电流转换单元与基准电流产生单元的输出端分别和运算输出单元的输入端连接。该电路在功率检测单元将接收的待测射频信号转换为直流电压的过程中进行灵敏度的修调,能够有效调整检测灵敏度,同时利用基准电流产生单元产生不同温度系数的基准电流,实现在工作温度范围内检测精度不随温度变化,从而保证功率检测电路最终输出的电压不随温度变化,使得本发明具有较高的检测精度。

    一种高速动态锁存型比较器、芯片及通信终端

    公开(公告)号:CN108494406A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810242985.7

    申请日:2018-03-23

    发明人: 林升 白云芳

    IPC分类号: H03M1/34 H03M1/00

    摘要: 本发明公开了一种高速动态锁存型比较器、芯片及通信终端。该高速动态锁存型比较器包括偏置模块、输入模块、交叉耦合锁存模块、第一复位模块、第二复位模块、第一输出模块和第二输出模块,偏置模块与输入模块连接,输入模块分别与交叉耦合锁存模块、第一输出模块和第二输出模块连接,交叉耦合锁存模块与第一复位模块和第二复位模块连接。在本高速动态锁存型比较器中,将输入模块的第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的衬底端分别作为同相输入端和反相输入端,并利用第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管的栅跨导和衬底偏置效应引入的背栅跨导提升该高速动态锁存型比较器的响应速度。

    一种具有高耐受功率的射频开关电路、芯片及其电子设备

    公开(公告)号:CN115395937B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202210878678.4

    申请日:2022-07-25

    发明人: 李艳丽 张巳龙

    摘要: 本发明公开了一种具有高耐受功率的射频开关电路、芯片及其电子设备。该射频开关电路由多级开关晶体管单元串联组成;在每级开关晶体管单元中,第一晶体管的体极与第二晶体管的源极、体极连接在一起;第一晶体管的漏极与前一级开关晶体管单元的输出端连接;第一晶体管的源极一方面与第二晶体管的栅极连接,另一方面与后一级开关晶体管单元中的第一晶体管的漏极连接;通路电阻设置在第一晶体管的漏极与源极之间。本发明所提供的射频开关电路,改善了电压摆幅在各级开关晶体管层叠链中分布不均匀的现象,从而使得射频开关电路的非线性问题得到改善,插入损耗减小,平均耐受功率得到明显提高。

    一种芯片端口状态检测电路、芯片及通信终端

    公开(公告)号:CN112485654B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202011276886.4

    申请日:2020-11-16

    IPC分类号: G01R31/317

    摘要: 本发明公开了一种芯片端口状态检测电路、芯片及通信终端。该芯片端口状态检测电路通过端口检测转换电路将待检测端口的状态转换为相应的电压,分别输出到第一比较器和第二比较器,与相应的输入参考电压进行比较后,向芯片ID判断电路输出逻辑信号,得到与芯片待检测端口状态对应的芯片ID,以区分出多颗相同的芯片。另一方面,通过动态偏置电流产生电路在电源电压开始建立到建立完成之前和在电源电压建立完成之后分别为第一比较器和第二比较器提供偏置电流以及静态工作点,不仅实现在通信终端识别芯片之前对芯片的待检测端口状态完成检测,满足对芯片待检测端口快速检测的要求,而且可以满足芯片端口状态检测电路静态低功耗且实时检测的要求。

    一种电源噪声非敏感的电流镜电路、芯片及通信终端

    公开(公告)号:CN108319324B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201810243040.7

    申请日:2018-03-23

    发明人: 林升 白云芳

    IPC分类号: G05F3/26

    摘要: 本发明公开了一种电源噪声非敏感的电流镜电路、芯片及通信终端。该电流镜电路包括输入电流单元,该输入电流单元并联一个或多个输出电流单元;根据预先设置输入电流单元的输入电流和输出电流单元输出的与输入电流对应的镜像电流的比值,通过输入电流单元控制输出电流单元输出与输入电流对应的镜像电流,并消除镜像电流中由电源引入的噪声成分,使得本电流镜电路不受电源高频噪声的影响,从而实现其对电源噪声非敏感的特性。