-
公开(公告)号：CN107161386B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710496032.9
申请日：2017-06-26
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
IPC分类号： B65B33/02
摘要： 本发明公开一种曲面玻璃真空内贴合机器，包括机架、第一真空贴合腔体、第二真空贴合腔体、张闭驱动机构、翻转架体及翻转驱动器。翻转架体绕枢转中心线枢接于机架上；张闭驱动机构组装于机架及翻转架体中一者并与第一真空贴合腔体及第二真空贴合腔体中一者连接，第一真空贴合腔体及第二真空贴合腔体中另一者组装于机架及翻转架体中另一者上；翻转驱动器安装在机架并驱使翻转架体做往复翻转以使第一真空贴合腔体与第二真空贴合腔体之间相互正对或错开；以便于曲面玻璃或内膜的装放，且在装放过程中有效地避开翻转架体上的第一或第二真空贴合腔体对操作人员的视野阻挡，故装放操作更方便，并确保贴合质量。
-
公开(公告)号：CN107139567B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201710496035.2
申请日：2017-06-26
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
摘要： 本发明公开一种曲面玻璃真空内贴合设备用翻送机构，适用将用于盛装有曲面玻离及内膜中一者的第一真空配合腔体翻转至与用于盛装有曲面玻离及内膜中另一者的第二真空配合腔体正对或错开的位置，包括翻转架体及翻转驱动器。翻转架体绕枢转中心线枢接于曲面玻璃真空内贴合设备的机架上，翻转架体绕枢转中心线相对机架往复翻转，第一真空配合腔体安装在翻转架体上；翻转驱动器安装在机架并驱使翻转架体做往复翻转，由往复翻转的翻转架体带动第一真空配合腔体翻转至与第二真空配合腔体正对或错开的位置，以便于曲面玻璃或内膜于第一真空配合腔体上装放，且在装放过程中能有效地避开了第一真空配合腔体对操作人员的视野阻挡，故装放操作更方便。
-
公开(公告)号：CN109318491A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810106672.9
申请日：2018-02-02
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
IPC分类号： B29C65/48
摘要： 本发明公开了一种生产曲面玻璃盖板用的贴合方法，通过位置检测装置、计算装置、控制装置和贴合装置将玻璃基板和防爆膜贴合，玻璃基板包括第一特征部，防爆膜包括第二特征部，通过采集玻璃基板的边和第一特征部的数据、防爆膜的边和第二特征部的数据，计算出第一对齐边和第二对齐边、第一对准点和第二对准点，以将第一对齐边和第二对齐边对齐、将第一对准点和第二对准点对准的方式，将玻璃基板和防爆膜对正贴合。本发明基于特征部和边的选取，以对准参照点、对齐参照边方式，可准确将曲面的玻璃基板与防爆膜准确对正并贴合，贴合精度高，使用该方法生产的曲面玻璃盖板不仅合格率大幅提高，而且自动化程度高，生产效率高。
-
公开(公告)号：CN103794793A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410029989.9
申请日：2014-01-22
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
发明人： 李金明
IPC分类号： H01M4/587 , H01M4/1393
CPC分类号： H01M4/587 , H01M4/0428 , H01M4/1393
摘要： 本发明提供了一种连续相海绵状石墨烯制作锂电池的正负极材料，所述材料芯部为一泡沫镍基板，于泡沫镍基板表面包覆着采用CVD气相沉积CH4气体获得一块连续相海绵状石墨烯，即为所述连续相海绵状石墨烯制作锂电池的正负极材料。本发明还提供的连续相海绵状石墨烯制作锂电池的正负极材料的制备方法，用本发明连续相海绵状石墨烯制作锂电池的正负极材料制造的锂离子电池，它不仅具有最高载流子、良好的循环稳定性，导热好、导电快、电解质接触面加大，节省体积的优点，而且还具有很高的活性比表面积和适宜的离子传输通道，电池使用寿命长、安全性能良好、生产成本低。
-
公开(公告)号：CN102163657B
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201010618971.4
申请日：2010-12-31
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
发明人： 李金明
摘要： 本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种LED芯片图形衬底的制备方法，LED芯片具有陶瓷衬底，衬底具有图形，其特征在于包括以下步骤：S10，制作图形压印辊；S20，提供底模基材；S30，底模基材单面涂UV油；S40，以图形压印辊压印底模基材具有UV油的一面，同时光固形成底模；S50，切割底模；S60，提供等静压模，置入底模及陶瓷粉体；S70，加压；S80，取出粉体，烧结。本发明提供一种加工成本低的LED芯片图形衬底的制备方法。
-
公开(公告)号：CN102163654B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010618855.2
申请日：2010-12-31
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
发明人： 李金明
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种固晶方法，包括以下步骤：S10，提供带铜柱的胶壳；S20，提供Au/Sn共晶片，将Au/Sn共晶片置于铜柱端部；S30，超声熔化Au/Sn共晶片；S40，提供LED芯片，将LED芯片置于铜柱端部；其中，S30与S40之时间间隔为0.01s至0.25s之间。本发明提供一种过程结构简洁的固晶方法。
-
公开(公告)号：CN102162584B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201010618970.X
申请日：2010-12-31
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
发明人： 李金明
摘要： 本发明涉及半导体照明技术，尤其涉及一种LED球形灯泡，包括灯体，灯体二端分别设置螺纹接口件和出光罩，其特征在于：所述灯体是由内筒和外筒构成的双层筒状结构，内筒和外筒之间的容置空间内设置有热交换翅，且灯体两端分别具有连通所述容置空间与外界空间的气孔。本发明提供一种便于清理灰尘的LED球形灯泡。
-
公开(公告)号：CN102427709A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110261198.5
申请日：2011-09-06
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
发明人： 李金明
摘要： 本发明涉及电磁屏蔽材料，尤其涉及一种电磁屏蔽膜及其制备方法。电磁屏蔽膜，具有层状结构，由胶粘层和屏蔽层组成，其中屏蔽层与胶粘层结合的一面具有平滑表面，屏蔽层另一面具有绒面结构。电磁屏蔽膜的制备方法包括以下步骤：S1，提供原布；S2，涂布UV；S3，电镀；S4，涂胶；S5，贴离型膜。本发明提供一种节约镀层材料、无污染的电磁屏蔽膜，并提供一种电磁屏蔽膜的制备方法。
-
公开(公告)号：CN102332507A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110206548.8
申请日：2011-07-22
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
发明人： 李金明
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种固晶方法，其包括以下步骤：S1，提供基板、提供LED晶片；S2，提供散置的片状的AuSn焊料；S3，提供吸盘，并通过吸盘吸起AuSn焊料；S4，将AuSn焊料放置于基板；S5，预热，即将放置好AuSn焊料的基板加热；S6，置晶，即在AuSn焊料上放置LED晶片；S7，焊接；S8，冷却；其中，S5步骤所述的预热，温度为90℃至265℃；S7步子所述的焊接为超声波熔接。本发明提供一种过程简洁的固晶方法。
-
公开(公告)号：CN102163657A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010618971.4
申请日：2010-12-31
申请人： 东莞市万丰纳米材料有限公司
发明人： 李金明
摘要： 本发明涉及半导体封装技术，尤其涉及一种LED芯片图形衬底的制备方法，LED芯片具有陶瓷衬底，衬底具有图形，其特征在于包括以下步骤：S10，制作图形压印辊；S20，提供底模基材；S30，底模基材单面涂UV油；S40，以图形压印辊压印底模基材具有UV油的一面，同时光固形成底模；S50，切割底模；S60，提供等静压模，置入底模及陶瓷粉体；S70，加压；S80，取出粉体，烧结。本发明提供一种加工成本低的LED芯片图形衬底的制备方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
100 条记录 (耗时 0.048 秒)
