公开(公告)号：CN103923573B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201410012288.4

申请日：2014-01-10

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 宍户雄一郎 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司

IPC分类号： C09J7/40 ,  C09J7/25 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L2224/45 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。本发明的胶粘薄膜，其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。

公开(公告)号：CN107195772B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201710470300.X

申请日：2015-06-15

申请人： 旭化成微电子株式会社

发明人： 福中敏昭 ,  笠松新

IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。

公开(公告)号：CN106463394B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580022823.7

申请日：2015-03-17

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 根岸哲 ,  寺井护 ,  山本圭

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L23/29 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/373 ,  H01L23/562 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 具备：半导体元件(5)，具有半导体基板(1)、形成于半导体基板(1)的正面(1A)且具有开口部的绝缘膜(2)以及在半导体基板(1)的正面(1A)上在开口部内形成的电极(3)；以及第1保护膜(9)，被设置成覆盖半导体元件(5)，绝缘膜(2)的膜厚(W1)是半导体基板的厚度(W2)的1/500以上且4μm以下，绝缘膜的每单位膜厚的压缩应力是100MPa/μm以上。

公开(公告)号：CN105244290B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201510393638.0

申请日：2015-07-07

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 铃木昌克 ,  斋藤浩儿 ,  大武守

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/67294 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54446 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752

摘要： 改进了在半导体器件内形成的编码的读取可靠性。根据一个实施例的制造半导体器件的方法包括在多个器件区域DVP内形成密封体的步骤，在布线衬底的器件区域DVP外部形成编码(第一标识信息)MK3。另外，根据一个实施例的半导体器件的制造方法包括在形成密封体MR之后，读取编码MK3，并且将另一编码(第二标识信息)附加到密封体MR的步骤。另外，在形成密封体的步骤之前，在形成编码MK3的标记区域MKR和器件区域DVP之间形成坝状物部分DM。

公开(公告)号：CN106134076B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580018061.3

申请日：2015-04-09

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 千叶诚一

IPC分类号： H03H9/17 ,  H03B5/32 ,  H03H9/02

CPC分类号： H03H9/25 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H03B28/00 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/058 ,  H03H9/1021 ,  H03H9/19 ,  H01L2924/00014

摘要： 提供耐冲击性优异并具有稳定的特性的电子器件、具有该电子部件的电子设备以及移动体。电子器件具有：容器，其具有配置在底板(12)上的第1突出部(18a)和第2突出部(18b)；以及振动片(30)，振动片(30)以第1突出部(18a)和第2突出部(18b)与第1面(32a)具有间隙地面对的方式将振动片(30)的第3侧面(34c)侧的端部经由连接部件(62)载置于容器(10)，第1突出部(18a)和第2突出部(18b)在俯视时一部分与振动片(30)的第4侧面(34d)侧的第1面(32a)重叠并且被配置成沿着与振动片(30)的长度方向相交的方向排列。此外，当设与振动片30的长度方向相交方向上的端部之间的间隔为L1、第1突出部与第2突出部之间的间隔为L2、电极膜的与长度方向相交的方向上的端部之间的间隔为L3时，满足L1>L2>L3的关系。

公开(公告)号：CN105280561B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201510276881.4

申请日：2015-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.加雷马尼 ,  D.科尔 ,  U.辛德勒 ,  H.托伊斯

IPC分类号： H01L23/043 ,  B81B7/02

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/0023 ,  G01L9/0042 ,  H01L41/0825 ,  H01L41/0926 ,  H01L41/0973 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H04R19/005 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及基于引线框架的MEMS传感器结构。公开一种传感器结构。该传感器结构可以包含：用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。替选地，引线框架可以具有穿过它形成的穿孔并且MEMS传感器可以被耦合到引线框架的表面并且布置在穿孔的开口之上。

公开(公告)号：CN106373936B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201510437163.0

申请日：2015-07-23

申请人： 旭景科技股份有限公司

发明人： 林继周 ,  和正平

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明提供一种在周边具有输入输出焊垫的芯片及其制造方法。该在周边具有输入输出焊垫的芯片包括：基板；至少两层金属层，形成在所述基板上，每一所述金属层形成特定电路，其中相邻的两层所述金属层由金属间介电层隔开；及钝化层，形成在所述芯片的上方侧；多个输入输出焊垫形成在至少一层所述金属层中且在所述芯片周边上；焊垫窗形成在所述输入输出焊垫上或部分所述输入输出焊垫上；连接空间形成在所述焊垫窗上方；所述输入输出焊垫的接触面经由所述焊垫窗露出；所述输入输出焊垫的接触面与所述钝化层的外表面间的距离大于连接深度，输入输出焊垫的位置由芯片的上方改变到芯片周边，以达到降低封装芯片的额外厚度的目的。

公开(公告)号：CN106024738B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201610183355.8

申请日：2016-03-28

申请人： 意法半导体公司

发明人： G·迪玛尤加 ,  J·塔利多

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/486 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本披露涉及具有倾斜侧壁的半导体器件及相关方法。一种半导体器件可以包括多层互连板，该多层互连板以堆叠关系具有下部导电层、电介质层以及上部导电层。该电介质层可以具有形成的凹陷，该凹陷具有底部以及从该底部向上延伸的倾斜侧壁。该上部导电层可以包括跨该倾斜侧壁延伸的多条上部导电迹线，并且该下部导电层可以包括多条下部导电迹线。该半导体器件可以包括在该下部导电层与该上部导电层之间延伸的多个过孔、在该凹陷中由该多层互连板承载的IC、将该多条上部导电迹线耦接至该IC的多条键合接线以及与该IC相邻并与该多层互连板的多个部分相邻的包封材料。

公开(公告)号：CN106910723B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201710192846.3

申请日：2015-07-29

申请人： 三星半导体(中国)研究开发有限公司 ,  三星电子株式会社

发明人： 顾立群

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种半导体封装件和制造该半导体封装件的方法。半导体封装件包括：基板；至少一个芯片，设置在基板上；包封层，设置在基板上并包封所述至少一个芯片；以及至少一个网格部，设置在包封层中，并且包括由第一肋和第二肋限定的多个开口的主体部分。

公开(公告)号：CN105990326B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201610140408.8

申请日：2016-03-11

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 林子闳 ,  彭逸轩 ,  萧景文

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体封装、半导体封装结构及制造半导体封装的方法，以改善半导体封装的稳定性。其中该半导体封装结构包括：半导体封装。该半导体封装包括：半导体祼芯片、重分布层结构和导电柱结构。其中，该重分布层结构耦接至该半导体祼芯片，该导电柱结构设置在该重分布层结构中远离该祼芯片的表面上，并耦接至该重分布层结构。