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公开(公告)号：CN118644580B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411124781.5
申请日：2024-08-16
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供一种存储器阈值电压数据的处理方法、系统、设备及介质，涉及静态存储技术领域，处理方法包括：获取闪存芯片的阈值电压源数据；计算阈值电压源数据的均值，并根据该均值对阈值电压源数据进行分割处理，以生成多个电压峰，并将每个电压峰的区间数据保存为分峰数据；对分峰数据进行高斯拟合处理，以生成对应的高斯拟合矩阵；对高斯拟合矩阵进行最小二乘法计算处理，以生成高斯拟合矩阵的参数解，并将参数解代入高斯拟合矩阵，以生成阈值电压拟合数据；对阈值电压源数据和阈值电压拟合数据进行加权处理，以生成阈值电压加权数据。本发明可对VT曲线进行拟合优化，使得曲线更加平滑，增强了VT曲线图的可读性。
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公开(公告)号：CN118760458A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411244381.8
申请日：2024-09-06
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种存储器及其固件升级方法，存储器包括主存储区域、副存储区域、备份存储区域、用户数据区域以及主控单元，主控单元用以获取固件升级包，并将其载入至副存储区域中，将副存储区域中的固件升级包载入至主存储区域与备份存储区域中，分别从主存储区域、副存储区域以及备份存储区域中加载固件升级包，重启存储器，并校验加载的固件升级包的完整性，确定某一存储区域中的固件升级包不完整时，从用户数据区域中选取性能最优的数据区域，以替换该存储区域，并将其他存储区域中的固件升级包载入至该数据区域中。通过本发明提供的一种存储器及其固件升级方法，在即使出现坏块的情况下，也能够对固件进行升级。
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公开(公告)号：CN118737257A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411195306.7
申请日：2024-08-29
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明提供一种存储器的测试方法、系统、设备及介质，测试方法包括：对存储器依次进行掉电、上电及初始化处理，并向存储器发送高速缓存功能关闭指令；生成多个随机数据；将其中一个随机数据发送至存储器，并对接收完成的存储器依次进行掉电、上电及初始化处理；根据发送的随机数据的写入地址和数据量，获取存储器中的存储数据，并将随机数据的数据序列与存储数据进行对比处理；当随机数据的数据序列与存储数据相同时，判定存储器的高速缓存功能为关闭状态，并将下一个随机数据发送至存储器以再次进行对比处理；当随机数据的数据序列与存储数据不同时，判定存储器的高速缓存功能为开启状态。本发明可准确判断存储器是否开启高速缓存功能。
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公开(公告)号：CN118430624B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410881612.X
申请日：2024-07-03
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试系统，属于存储技术领域。所述存储芯片的测试方法包括以下步骤：向存储芯片内持续写入数据，直至存储芯片进入全脏盘模式；在预设时间间隔后，重新向存储芯片内写入数据；监测存储芯片的写入模式，存储芯片先以高性能写入数据，再进入低性能写入模式时，获取高性能写入耗时；增加预设时间间隔，再次获取高性能写入耗时，直至高性能写入耗时稳定；以及依据高性能写入耗时稳定时的预设时间间隔获取后台操作耗时，并依据稳定的高性能写入耗时和高性能写入数据的速度获取后台操作每次释放的闪存空间。通过本发明提供的存储芯片的测试方法及测试系统，可自动获取存储芯片的后台操作的相关数据。
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公开(公告)号：CN118426815B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410874318.6
申请日：2024-07-02
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： G06F8/654
摘要： 本发明提供了一种存储设备及其控制方法，存储设备具有固件升级模式和工作模式，存储设备包括：主控制器，与主机电性连接；内存，与主控制器电性连接，内存中存储启动固件，在固件升级模式下，主控制器调用启动固件；以及闪存，与主控制器电性连接，闪存包括多个工作块、至少两个编码块和至少两个升级块，其中编码块中存储第一版固件，升级块中存储新版固件；其中，编码块和升级块的页面架构相同，在第一次固件升级前，编码块的地址信息存储在编码块中，在第一次固件升级后，升级块的地址信息分别在存储在编码块和升级块，在编码块中，升级块的地址信息替代编码块的地址信息。本发明能防止固件升级时的异常状态导致固件丢失。
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公开(公告)号：CN118660459A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411140063.7
申请日：2024-08-20
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： H10B43/27 , H10B43/35 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种存储器件的制造方法及存储器件，所述存储器件的制造方法，至少包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上形成底部堆叠结构；蚀刻底部堆叠结构，形成第一沟道孔，第一沟道孔底部的径向尺寸为第一间距，第一沟道孔顶部的径向尺寸为第二间距，第一间距小于第二间距；在底部堆叠结构上形成上层堆叠结构；对上层堆叠结构进行干法蚀刻，形成第二沟道孔，第二沟道孔与第一沟道孔连通，且第二沟道孔底部的径向尺寸为第一间距，第二沟道孔顶部的径向尺寸为第二间距；以及对第二沟道孔的侧壁进行湿法蚀刻和干法蚀刻，第二沟道孔底部的径向尺寸由第一间距增大至第三间距。通过本发明提供的一种存储器件的制造方法及存储器件，可提高存储器件的品质。
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公开(公告)号：CN118471309B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410881613.4
申请日：2024-07-03
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
摘要： 本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试装置，属于存储技术领域。所述存储芯片的测试方法包括以下步骤：对主机上电并开机，并向存储芯片发送初始化指令；存储芯片接收到初始化指令后，第一计时器开始计时，并对存储芯片进行初始化；存储芯片完成初始化后；当第一计时器的时间到达预设时间，向主机发送反馈信息；若主机接收到反馈信息的时间未超过上电时间，则主机正常开机，之后对主机下电；存储芯片依据主机的下电次数更新预设时间；重新对主机上电，直至主机接收到反馈信息的时间超过上电时间，并获取上个循环中的预设时间作为存储芯片的最大上电时间。通过本发明提供的存储芯片的测试方法及测试装置，可自动获取存储芯片的最大上电时间。
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公开(公告)号：CN118585141A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411067359.0
申请日：2024-08-06
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明提供一种存储器及其数据处理方法，存储器包括：闪存，包括多个区块，用以存储主机数据；以及主控制器，与闪存电性连接，主控制器用以在主机数据的写入过程中，为主机数据分配物理地址和写缓存区；其中，在一批次主机数据的写入过程中，主控制器为某一主机数据分配物理地址和写缓存区，统计该批次主机数据中，与某一主机数据完全相同的其他主机数据，并将其他主机数据与某一主机数据共用相同的物理地址与写缓存区，然后将其他主机数据和某一主机数据写入闪存中。本发明可提高主机中主机数据向存储器的写入效率，并可提高存储器的使用性能和使用寿命。
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公开(公告)号：CN118426815A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410874318.6
申请日：2024-07-02
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： G06F8/654
摘要： 本发明提供了一种存储设备及其控制方法，存储设备具有固件升级模式和工作模式，存储设备包括：主控制器，与主机电性连接；内存，与主控制器电性连接，内存中存储启动固件，在固件升级模式下，主控制器调用启动固件；以及闪存，与主控制器电性连接，闪存包括多个工作块、至少两个编码块和至少两个升级块，其中编码块中存储第一版固件，升级块中存储新版固件；其中，编码块和升级块的页面架构相同，在第一次固件升级前，编码块的地址信息存储在编码块中，在第一次固件升级后，升级块的地址信息分别在存储在编码块和升级块，在编码块中，升级块的地址信息替代编码块的地址信息。本发明能防止固件升级时的异常状态导致固件丢失。
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公开(公告)号：CN118092989B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410480889.1
申请日：2024-04-22
申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司
IPC分类号： G06F8/654 , G06F9/4401
摘要： 本发明提供一种存储器的固件升级方法、系统、设备及介质，涉及静态存储技术领域，所述固件升级方法包括：通过操作系统向存储器发送固件升级指令；通过所述存储器的主控制器响应所述固件升级指令，以将开卡引导程序加载至所述存储器的运行内存中；通过所述主控制器运行所述开卡引导程序，并执行开卡初始化操作；通过所述操作系统向所述存储器写入待烧录固件程序；对所述存储器进行重新上电，以加载升级后的固件程序。本发明可快速高效的满足存储器进行重新开卡的需求，提高了存储器的固件升级效率。
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