-
公开(公告)号：CN102713703A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200980163274.X
申请日：2009-12-10
申请人： 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/131 , G02B2006/12107 , G02B2006/12109 , H01L31/02327
摘要： 本发明描述在由III-V半导体所组成并且在一个外延生长流程中生长的多导向垂直集成(MGVI)结构中可实现的集成光子布置，从而允许形成MGVI结构的多个垂直集成波长指定波导的共同波长指定波导中的半导体光学放大器(SOA)和PIN光电检测器(PIN)结构的集成。集成包括在SOA与PIN之间集成的波长滤波器，以便降低发生于由SOA所产生的ASE的PIN中的噪声。在本发明的示范实施例中，波长滤波器集成到共同波长指定波导中或者波长指定波导中的MGVI结构中。此外，在其它实施例中，波长滤波器由对接集成光子布置的端面的薄膜滤波器来提供，其中光信号由光学波导和/或诸如多模干扰装置之类的附加光学元件来耦合。
-
公开(公告)号：CN101529292A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780028493.8
申请日：2007-07-31
申请人： 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
发明人： 瓦莱里·I·托希凯恩 , 吴芳
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/12007 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/12 , H01S5/02248 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/2027
摘要： 本发明描述了一种实现在多层III－V半导体结构内的集成光子配置，包括：半导体基底；以一个生长步骤生长在该基底上的外延半导体结构；公共波导；以及多个指定波长的波导；所述波导使用现有的半导体处理技术形成在该外延结构内。每个波导由其核心区域的带隙波长来定义，所有波导以递增带隙波长的顺序垂直设置；公共波导设置在该结构的底部，具有最长带隙波长的指定波长波导设置在该结构的顶部。使用时，公共波导的带隙波长正好低于任何工作波长，从而提供出每个工作波长通过公共波导低损耗传播到其指定波导的条件。本发明公开一种用于多个波长光信号的波长去复用(复用)方法，通过将其从公共波导垂直分离到各波长指定波导或从各指定波长波导合并到公共波导内，该光信号在集成光子配置内同向-或双向传播。
-
公开(公告)号：CN101529292B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200780028493.8
申请日：2007-07-31
申请人： 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
发明人： 瓦莱里·I·托希凯恩 , 吴芳
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/12007 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/12 , H01S5/02248 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/1014 , H01S5/1032 , H01S5/2027
摘要： 本发明描述了一种实现在多层III-V半导体结构内的集成光子配置，包括：半导体基底；以一个生长步骤生长在该基底上的外延半导体结构；公共波导；以及多个指定波长的波导；所述波导使用现有的半导体处理技术形成在该外延结构内。每个波导由其核心区域的带隙波长来定义，所有波导以递增带隙波长的顺序垂直设置；公共波导设置在该结构的底部，具有最长带隙波长的指定波长波导设置在该结构的顶部。使用时，公共波导的带隙波长正好低于任何工作波长，从而提供出每个工作波长通过公共波导低损耗传播到其指定波导的条件。本发明公开一种用于多个波长光信号的波长去复用(复用)方法，通过将其从公共波导垂直分离到各波长指定波导或从各指定波长波导合并到公共波导内，该光信号在集成光子配置内同向一或双向传播。
-
公开(公告)号：CN101595410B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780043128.4
申请日：2007-11-21
申请人： 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B2006/12097 , G02B2006/12119
摘要： 本发明描述了一种集成光子设备，在由IH-V半导体构成的多导向垂直集成结构上实施，并以一个外延生长步骤生长，所述集成光子设备允许将在公共被动式波导内同向或双向传播的光学信号垂直和横向分裂成多个垂直集成的被动式或者主动式波长指定(wavelength designated)的波导，因此，使得在不同波长运行的波长指定波导被同一集成到相同的结构上，并连接到公用的被动式波导。在本发明的示范性实施例中，两个主动式波长指定波导中的每一个是激光器或者光电检测器，这两个主动式波长指定波导垂直集成在公共被动式波导上，其中该公共被动式波导连接到运行波长共用的输入/输出端口，从而形成单光纤、双波长接收器(两个波长指定的波导都是波导光电检测器)或者发射器(两个波长指定的波导都是边缘发射半导体注入式激光器)或者收发器(一个波长指定的波导是波导光电检测器，另一个是边缘发射半导体注入式激光器)。比现有技术有利的是，所提出的分裂和横向路由器允许减小迹线尺寸，同时大大改善设计柔性和/或器件性能。
-
公开(公告)号：CN101595410A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200780043128.4
申请日：2007-11-21
申请人： 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC分类号： G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B2006/12097 , G02B2006/12119
摘要： 本发明描述了一种集成光子设备，在由IH－V半导体构成的多导向垂直集成结构上实施，并以一个外延生长步骤生长，所述集成光子设备允许将在公共被动式波导内同向或双向传播的光学信号垂直和横向分裂成多个垂直集成的被动式或者主动式波长指定(wavelength designated)的波导，因此，使得在不同波长运行的波长指定波导被同一集成到相同的结构上，并连接到公用的被动式波导。在本发明的示范性实施例中，两个主动式波长指定波导中的每一个是激光器或者光电检测器，这两个主动式波长指定波导垂直集成在公共被动式波导上，其中该公共被动式波导连接到运行波长共用的输入/输出端口，从而形成单光纤、双波长接收器(两个波长指定的波导都是波导光电检测器)或者发射器(两个波长指定的波导都是边缘发射半导体注入式激光器)或者收发器(一个波长指定的波导是波导光电检测器，另一个是边缘发射半导体注入式激光器)。比现有技术有利的事，所提出的分裂和横向路由器允许减小迹线尺寸，同时大大改善设计柔性和/或器件性能。
-
公开(公告)号：CN103460527A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201080070812.3
申请日：2010-11-02
申请人： 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC分类号： H01S5/1231 , H01S5/0208 , H01S5/0422 , H01S5/2018 , H01S5/2045 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S5/2232
摘要： 本发明提供一种与MGVI设计和制造方法完全兼容的LCSEG-DFB激光器，用于多功能PIC内的单增长单片集成电路。其包括台面形式的激光器PIN结构，从上发射层顶面通过有源，假定为MQW、增益区向下蚀刻至下发射器顶面。下部电触头邻近台面设置，台面设在下发射层，上接触带设在台面顶部上的上发射层。从台面顶面、上接触带之间，穿过上发射层，向下蚀刻入SCH层，限定/蚀刻成了SEG。SCH结构提供了垂直约束，台面底部中的侧面提供了横向约束。导模通过垂直翼穿透SEG及与SEG消散消散场耦合实现与SEG的相互作用。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.047 秒)