公开(公告)号：CN106796965B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580034477.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 索泰克公司

Inventor： F·纽曼 ,  F·莱因哈特 ,  尚塔尔·艾尔纳

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

Abstract: 本公开涉及半导体结构及其制造方法。该方法包括在第一元件的主表面上形成至少基本上由第一III‑V材料构成的第一接合层，以及在第二元件的主表面上形成至少基本上由第二III‑V材料构成的第二接合层。第一接合层和第二接合层设置在第一元件和第二元件之间，并且第一元件和第二元件在设置于第一接合层和第二接合层之间的接合界面处彼此附接。使用这种方法制造半导体结构。

公开(公告)号：CN109686822A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201810657741.5

申请日：2018-06-25

Applicant: 博尔博公司

Inventor： 张剑平 ,  高英 ,  周瓴

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/105 ,  H01L33/025

Abstract: 一种用于发光器件或者光电探测器的空穴供给和p-接触结构包括p型III族氮化物结构以及在其上形成的空穴供给和p-接触层，所述空穴供给和p-接触层由含Al的III族氮化物制成，并且处于双轴面内张应力应变下，所述空穴供给和p-接触层的厚度在0.6-10nm的范围内，并且所述p型III族氮化物结构形成在发光器件或者光电探测器的有源区上。还提供了一种具有空穴供给和p-接触结构的发光器件和光电探测器。

公开(公告)号：CN109599460A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811431322.6

申请日：2018-11-26

Applicant: 南昌凯迅光电有限公司

Inventor： 万智 ,  徐培强 ,  林晓珊 ,  张银桥 ,  汪洋 ,  王向武

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852

Abstract: 本发明公开了一种复合背面场空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，它优化了常规空间晶格匹配GaInP/GaInAs/Ge电池中的背面场层，即：本发明在空间晶格匹配GaInP/InGaAs/Ge电池中的中电池和顶电池分别引入复合背面场结构，中电池为Al0.3Ga0.7As/Ga0.5In0.5P复合背面场结构，顶电池为Al0.33Ga0.15In0.52P/Al0.1Ga0.4In0.5P复合背面场结构。通过复合背面场各层组分和浓度的设计，使背面场内形成导带阶和浓度梯度，使得背面场与基区间电场加强，从而使电池基区中产生的光生载流子到达背面场时反射效率提高，少子更好的被收集，从而提升了电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN109545898A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811421360.3

申请日：2018-11-26

Applicant: 南昌凯迅光电有限公司

Inventor： 万智 ,  徐培强 ,  林晓珊 ,  张银桥 ,  汪洋 ,  王向武

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/1844 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1852

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法。为了提高GaInP/GaInAs/Ge太阳能电池的抗辐照能力，目前常采用技术主要是将顶电池GaInP的厚度减薄，使电池变成顶电池限流，使辐照后中电池电流的衰减不引起整个电流的变化；另外在中电池中增加分布式布拉格反射器(DBR)结构、减薄中电池GaInAs的厚度，使的中电池GaInAs抗辐照能力增强。本发明公开了一种抗辐照增强型空间GaInP/GaInAs/Ge电池外延片的制造方法，与常规空间GaInP/InGaAs/Ge电池结构相比，采用本发明技术方案的产品结构在常规GaInP/InGaAs/Ge电池中电池窗口层上沉积一定厚度、高掺杂的阻隔层材料AlGaAs，通过使中电池厚度增加，使得辐射通量更小的较高能量的质子停留在中电池基区，使得中电池的累积损伤更小，从而提高了电池的抗辐射能力。

公开(公告)号：CN109285899A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710637168.7

申请日：2017-07-19

Applicant: 刘梅

Inventor： 刘梅

IPC: H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/054 ,  H01L31/03046

Abstract: 本发明涉及一种新型光热电复合器件，属于太阳能利用领域。公开了一种全固态的光子增强热电子发射器件。该器件从上至下依次包括：透明导电氧化物层，用于减少载流子复合的背表面场钝化层，用于吸收太阳光的阴极吸收层，高导电高绝热半导体材料层和用于收集电子的阳极。该器件通过结合光生电子与热电子发射的双重功能，相比单一的光伏电池或者热电子发射器件能获得较高的能量转化效率。全固态PETE器件在阴、阳极之间插入了高导电高绝热层，相对常规的基于真空间隙层的光子增强热电子发射器件，它工艺难度小，消除了空间电荷效应，且可以通过能级匹配实现效率在更大空间的提升。

公开(公告)号：CN109148636A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810738268.3

申请日：2018-07-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张月蘅 ,  沈文忠 ,  白鹏

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/173 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/173 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，其中单光子探测器包括光子频率上转换器件和硅单光子雪崩二极管；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅单光子雪崩二极管的受光面相耦接。本发明的上转换单光子探测器探测率高、信噪比好、结构紧凑、制备方便、使用简单，无需复杂的光学光路设计。

公开(公告)号：CN109037399A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810879443.0

申请日：2013-03-13

Applicant: 索泰克公司

Inventor： 布鲁诺·吉瑟兰 ,  尚塔尔·艾尔纳 ,  F·迪姆罗特 ,  M·格雷夫

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/0725 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置最终基础衬底；设置包括第一拉链层与第一晶种层的第一创制衬底；设置第二衬底；将第一晶种层传送至所述最终基础衬底；在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且使所述第一晶片结构与所述第二晶片结构相互结合。

公开(公告)号：CN106133923B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201580007461.4

申请日：2015-02-05

Applicant: 太阳结公司

Inventor： 费伦·苏阿雷兹阿里亚斯

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/054 ,  H04B10/80

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 公开了一种共振腔能量转换器，该共振腔能量转换器用于转换介于1微米至1.55微米的波长范围内的辐射。共振腔能量转换器可包括一个或多个晶格匹配的GaInNAsSb结，并且可包括用于提高能量转换效率的分布式布拉格反射器和/或镜面。

公开(公告)号：CN108022985A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711065004.8

申请日：2017-11-02

Applicant: 天津大学

Inventor： 谢生 ,  朱帅宇 ,  毛陆虹

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1075 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明属于光电检测以及图像传感器领域，为在降低器件暗电流的同时保证器件具有较高的光电流，为产业应用提供参考依据。本发明，延伸波长台面型雪崩光电二极管，自下而上结构依次为N+‑InP衬底、N‑InP缓冲层、N‑铟铝砷In(1‑x)AlxAs渐变层、N‑In0.83Ga0.17As吸收层、N‑In0.66Ga0.34As/InAs超晶格、N‑In0.83Ga0.17As吸收层、N‑铟镓砷磷In(1‑x)GaxAsyP(1‑y)组分渐变层、N‑InP电荷层、i‑InP倍增层以及P+‑InP接触层；光生载流子在倍增层不断碰撞电离，引发雪崩倍增。本发明主要应用于光电检测、光电传感器设计制造场合。

公开(公告)号：CN104854709B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201380053753.2

申请日：2013-08-16

Applicant: 空客防务和航天公司 ,  空客DS公司

Inventor： S·J·斯威尼 ,  J·慕克吉

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0693 ,  H02J50/30

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1844 ,  H02J17/00 ,  H02J50/30 ,  H02J50/70 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种激光功率转换器LPC器件(1)包括抗反射涂层(10)、窗口层(20)、有源区域(30)、电子阻挡层(40)、分布式布拉格反射器DBR(50)和基板(60)。所述器件还包括阳极(70)、阴极(80)和绝缘层(90)。有源区域(30)由磷砷化铟稼InGaAsP形成，InGaAsP层中的化学元素的比例为InyGa1‑yAsxP1‑x，并被设计为将波长为1.55μm的电磁辐射转换为电能。然而，InGaAsP的确切组成被选择为具有略高于1.55μm的带隙波长，因为在操作中，器件变热并且带隙向较长的波长移位。为了获得合适的带隙，组成可以是InyGa1‑yAsxP1‑x，其中分别为x＝0.948、0.957、0.965、0.968、0.972或0.976，y＝0.557、0.553、0.549、0.547、0.545或0.544。