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公开(公告)号：CN107833925A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711046201.5
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种源漏阻变式双向开关场效应晶体管及其制造方法。本发明所述器件具有左右对称的结构特征，通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变肖特基势垒隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗反向泄漏电流、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用栅电极控制肖特基势垒隧道效应的强弱来改变源区和漏区的阻值实现更优秀的开关特性；对比隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性和更高的正向导通特性，对比普通肖特基势垒晶体管，具有工艺可实现度高，更优秀的反向开关特性等优点，因此适合推广应用。
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公开(公告)号：CN107785436A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201711050854.0
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种源漏阻变式矩形栅控U形沟道双向晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅电极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制金属源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有低静态功耗和反向泄漏电流、较强的栅极控制能力、低亚阈值摆幅和可实现双向开关功能的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有源漏可互换的双向对称开关特性，对比于肖特基势垒晶体管，具有更好的开关特性，本发明在源漏区无需进行掺杂，肖特基势垒易于形成，矩形栅电极可对源漏区进行更好的控制，因此适合推广应用。
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公开(公告)号：CN115018834A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210941014.8
申请日：2022-08-08
申请人： 山东光岳九州半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体晶片图像对准方法，该方法获取半导体晶片的灰度图像中的边缘像素点；均匀选取多个采样点，以每个采样点作为目标点，获取目标点的特征方向，初步设定一个数量阈值，当备选圆心对应的特征方向的数量高于数量阈值时，该备选圆心为真实圆心；获取每个真实圆心为实际圆心的第一概率和第二概率；以第一概率和第二概率的乘积作为对应的真实圆心的置信度；基于所有真实圆心的置信度对数量阈值进行更新，得到最佳阈值；在基于最佳阈值得到的真实圆心中筛选出实际圆心；基于实际圆心坐标和缺口特征点坐标获取晶片的校正角度和校正距离，对晶片进行校正完成晶片对准。本发明提高了晶片对准的精度和对准效率。
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公开(公告)号：CN107731914B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201711050857.4
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及倒U栅辅控双侧栅主控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有倒U栅、双侧栅和左右两侧对称的结构特征，可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有可实现双向开关功能、低静态功耗和反向泄漏电流、低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
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公开(公告)号：CN107768431A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711050837.7
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法，可实现源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力。即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。同时采用方筒形辅控栅电极和方筒形栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，有效解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，因此适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN115082484B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211009436.8
申请日：2022-08-23
申请人： 山东光岳九州半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体生产检测及图像处理技术领域，具体涉及一种基于图像处理的半导体自动分区方法。该方法获得半导体电路板表面图像的灰度信息、色调信息和深度信息。利用色调信息筛除背景像素点，利用灰度信息和深度信息对元件像素点进行聚类分组。根据聚类产生的边界点对聚类结果进行评价，获得角度突变点数量和边界点邻域方差信息反馈出的整体效果评价指标。根据角度突变点和整体效果评价指标调整聚类操作的参数，获得最优聚类结果。根据相邻最优聚类区域之间的区域相似性将相邻最优聚类区域合并，获得多个元件区域。本发明通过自适应调整聚类参数，使得元件分区效果更好，分区方法的适用性更强。
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公开(公告)号：CN115018834B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210941014.8
申请日：2022-08-08
申请人： 山东光岳九州半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体晶片图像对准方法，该方法获取半导体晶片的灰度图像中的边缘像素点；均匀选取多个采样点，以每个采样点作为目标点，获取目标点的特征方向，初步设定一个数量阈值，当备选圆心对应的特征方向的数量高于数量阈值时，该备选圆心为真实圆心；获取每个真实圆心为实际圆心的第一概率和第二概率；以第一概率和第二概率的乘积作为对应的真实圆心的置信度；基于所有真实圆心的置信度对数量阈值进行更新，得到最佳阈值；在基于最佳阈值得到的真实圆心中筛选出实际圆心；基于实际圆心坐标和缺口特征点坐标获取晶片的校正角度和校正距离，对晶片进行校正完成晶片对准。本发明提高了晶片对准的精度和对准效率。
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公开(公告)号：CN107768431B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201711050837.7
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
摘要： 本发明涉及分立双方筒形栅内嵌U形沟道晶体管及其制造方法，可实现源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力。即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。同时采用方筒形辅控栅电极和方筒形栅电极等两个彼此独立控制的栅电极，有效解决了普通无结晶体管沟道掺杂浓度过低会带来源漏电阻的增加，而掺杂浓度过高又会导致器件迁移率和稳定性下降这二者之间的矛盾，因此适用于推广应用。
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公开(公告)号：CN107731914A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711050857.4
申请日：2017-10-31
申请人： 沈阳工业大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及倒U栅辅控双侧栅主控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有倒U栅、双侧栅和左右两侧对称的结构特征，可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。本发明具有可实现双向开关功能、低静态功耗和反向泄漏电流、低亚阈值摆幅的优点。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
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公开(公告)号：CN115082484A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202211009436.8
申请日：2022-08-23
申请人： 山东光岳九州半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体生产检测及图像处理技术领域，具体涉及一种基于图像处理的半导体自动分区方法。该方法获得半导体电路板表面图像的灰度信息、色调信息和深度信息。利用色调信息筛除背景像素点，利用灰度信息和深度信息对元件像素点进行聚类分组。根据聚类产生的边界点对聚类结果进行评价，获得角度突变点数量和边界点邻域方差信息反馈出的整体效果评价指标。根据角度突变点和整体效果评价指标调整聚类操作的参数，获得最优聚类结果。根据相邻最优聚类区域之间的区域相似性将相邻最优聚类区域合并，获得多个元件区域。本发明通过自适应调整聚类参数，使得元件分区效果更好，分区方法的适用性更强。
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