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公开(公告)号：CN115308278B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210952211.X
申请日：2022-08-09
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 本申请提供一种电化学传感器及其制备方法和分析化学物质的方法，其中，电化学传感器包括：多个独立的传感单元；每个传感单元包括：相对设置的第一电极和第二电极，其中，第一电极与第二电极之间填充凝胶网络，凝胶网络被构造为位于能够与被测物接触的位置；每个传感单元的第一电极与第二电极之间的间距，被配置为能够建立被测物的线性浓度梯度场；其中，多个独立的传感单元填充多种凝胶网络。采用本申请，在不同的电极对之间填充不同的凝胶网络，利用凝胶对被测物的扩散系数影响程度不同，可调控电流对电势的变化率极值对应的电势，在一系列凝胶网络中建立目标参数的指纹信息，从而实现不同被测物的识别。
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公开(公告)号：CN118605080A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410790770.4
申请日：2024-06-18
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 本发明提供一种纳米压印方法，包括将工作模具和形成有压印胶层的基板置于密封腔室中，向密封腔室中引入工作气体以置换环境气体，所引入的工作气体相对于原有的环境气体在压印胶层中具有更大的溶解度；随后，使工作模具以其微纳结构与压印胶层贴合的状态下，向工作模具和基板中的至少一者施加压力，致使压印胶层发生形变而填充微纳结构之间的孔隙，将微纳结构转印到压印胶层中。本发明利用置换气氛组成的方式，使压印胶层压入工作模具中所捕获的气体能够在工作模具的孔隙填充过程中被溶解，极大程度地减小产生气泡的概率，抑制气泡所引起的图形缺失，提高了图形加工精度，提升产品良率，不会明显增加压印过程的成本和时间。
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公开(公告)号：CN116828367B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310754113.X
申请日：2023-06-25
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 提供了一种用于声学换能器的电学调控方法、声学换能器及其制造方法。声学换能器包括薄膜结构，薄膜结构包括底电极、设置于底电极上的第一压电层以及设置于第一压电层上的第一电极层，方法包括：在声学换能器作为声学传感器操作时，通过第一中心电极和第一边缘电极中的第一者采集借助于第一压电层的压电效应产生的第一感测电信号，或者在声学换能器作为声学致动器操作时，向第一者施加第一控制电信号，向薄膜结构施加第一作用力；以及向第一中心电极和第一边缘电极中的第二者施加第一调节电信号，向薄膜结构施加第二作用力。
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公开(公告)号：CN118486674A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310217110.2
申请日：2023-03-07
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/64 , H10N97/00
摘要： 一种MOM电容器及其形成方法，所述MOM电容器包括：半导体衬底；多层金属层，形成于所述半导体衬底的表面，每层金属层包括多个交替间隔排布且极性相反的第一电极和第二电极，以及连接各个第一电极的第一汇总电极和连接各个第二电极的第二汇总电极；第一通孔，位于相邻金属层的第一电极之间，且相邻金属层的第一电极通过所述第一通孔电性连接；第二通孔，位于相邻金属层的第二电极之间，且相邻金属层的第二电极通过所述第二通孔电性连接；其中，每对相邻金属层的第一电极的延伸方向一致，每对相邻金属层的第二电极的延伸方向一致。通过本公开方案，可以在有限的空间下提高MOM电容器的电容密度，进而增大MOM电容器的电容总量。
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公开(公告)号：CN112232504B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202010956262.0
申请日：2020-09-11
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： G06N3/067
摘要： 一种光子神经网络，包括：光调制单元，将待处理信号调制到光的实振幅，并在调制时在实振幅与光的相位之间引入非线性对应关系，得到第一阵列的光学信号；光子矩阵计算单元，接收第一阵列的光学信号并进行矩阵计算以得到第二阵列的光学信号，进行矩阵计算时同时执行矩阵乘法和非线性变换；投影计算单元，接收第二阵列的光学信号并基于光学干涉提取第二阵列的光学信号的复振幅的实部，以得到第三阵列的光学信号，实部表征矩阵乘法和非线性变换的运算结果；光接收单元，接收第三阵列的光学信号以获取处理后信号。本发明方案提供一种能够同时进行线性和非线性运算的光子人工智能芯片，功耗低、运算速度快、神经网络集成度高且非线性运算可重构。
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公开(公告)号：CN118215306A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410374310.3
申请日：2024-03-27
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
摘要： 公开了一种共栅堆叠的碳基晶体管、制造方法及芯片。一种共栅堆叠的碳基晶体管，包括：衬底；衬底上的公共栅极区域；位于公共栅极区域一侧的第一器件区域，第一器件区域包括沿垂直于衬底的方向布置的第一源/漏区域和第一漏/源区域，以及在公共栅极区域的第一侧壁上延伸的第一沟道层；以及位于公共栅极区域另一侧的第二器件区域，第二器件区域包括沿垂直于衬底的方向布置的第二源/漏区域和第二漏/源区域，以及在公共栅极区域的第二侧壁上延伸的第二沟道层，其中，第一沟道层和第二沟道层每一者包括碳纳米管。
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公开(公告)号：CN112394546B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202011269494.5
申请日：2020-11-13
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明提供了一种行波电极调制器集成端接电阻的调控方法及系统，调控方法包括如下步骤：提供制备有多个行波电极调制器的晶圆，多个所述行波电极调制器分布于所述晶圆面内的不同位置；获得所述行波电极调制器在所述晶圆面内不同位置的特征参数；根据所述特征参数确定所述晶圆面内不同位置的行波电极调制器的端接电阻的理想阻值；根据所述理想阻值修调所述端接电阻的阻值。本发明通过收集行波电极调制器在晶圆面内不同位置的特征参数，确定不同位置的端接电阻理想阻值，利用激光处理调控不同位置的端接电阻阻值，可以有效实现阻抗匹配，消除晶圆面内工艺不均匀性的影响，提升器件生产良率。
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公开(公告)号：CN113629082B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110814987.0
申请日：2021-07-19
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
发明人： 方欣欣
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种遮光结构、图像传感器及图像传感器的制备方法。本发明提供的图像传感器采用遮光结构，包括：衬底；光电二极管，所述光电二极管位于所述衬底内部；存储器，所述存储器位于所述光电二极管之间；遮光结构，所述遮光结构包括位于光电二极管间纵向的滤光器以及位于光电二极管上方横向的遮光板；介质层，所述介质层位于所述滤光器的表面。本发明利用纵向的滤光器吸收到斜入射到存储器的光，横向的遮光板阻挡正入射的光，从而消除寄生光效应，提高光电二极管的灵敏度，进一步提高了图像传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112001487B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202010700756.2
申请日：2020-07-20
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： G06N3/067
摘要： 一种光子神经网络，包括：光发射模块，所述光发射模块根据待处理信号调制得到第一阵列的光学信号；光信号处理模块，与所述光发射模块耦接以接收所述第一阵列的光学信号，所述光信号处理模块至少对所述第一阵列的光学信号进行线性运算以得到第二阵列的光学信号，其中，对于所述第一阵列的光学信号中的每一束光学信号，所述光信号处理模块对所述光学信号中各波长的光的线性运算是独立进行的；光接收模块，与所述光信号处理模块耦接以接收所述第二阵列的光学信号，所述光接收模块基于所述第二阵列的光学信号获取处理后信号。通过本发明方案能够极大地提高光子人工智能芯片的算力及灵活性。
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公开(公告)号：CN117995904A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311842187.5
申请日：2023-12-28
申请人： 联合微电子中心有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 本公开提供一种半导体装置、驱动电路及驱动方法。驱动电路包括：电容，电容连接在源极区域与第二栅极之间；以及二极管，二极管的负极连接到第二栅极，并且，二极管的正极连接到第一栅极或者驱动区域，驱动区域与漏极区域或电源区域间隔开预定距离，其中，预定距离是基于漏极区域或电源区域的电压与第二栅极之间的电压的差所确定的，其中，当二极管的正极连接到驱动区域时，双栅晶体管还包括包含驱动区域的第二区域，其中，第二区域位于第一区域的对应于漏极区域的一侧，或者，第二区域位于第一区域的对应于源极区域的一侧且与第一区域电隔离，并且还包括电源区域。
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