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公开(公告)号:CN117981040A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202280064053.2
申请日:2022-08-29
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
摘要: 提供一种确定通过聚焦透镜(120)朝向带电粒子束系统(100)中的样本(10)聚焦的带电粒子束(11)的束汇聚度的方法。所述方法包括:(a)当样本布置在与带电粒子束的相应射束焦点相距一个或多个散焦距离处时,获取样本的一个或多个图像;(b)从一个或多个图像检取一个或多个射束横截面;(c)从一个或多个射束横截面确定一个或多个射束宽度;以及(d)基于一个或多个射束宽度和一个或多个散焦距离计算至少一个束汇聚度值。另外,提供一种用于对样本进行成像和/或检查的带电粒子束系统,所述带电粒子束系统经配置用于本文所述方法中的任一者。
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公开(公告)号:CN117321725A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202280036111.0
申请日:2022-05-05
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
发明人: M·菲恩克斯 , F·兰帕斯伯格 , J·布罗伊尔 , T·凯门 , S·Y·帕拉卓特奥芬博格
IPC分类号: H01J37/15
摘要: 提供一种像差校正器(101),具有:多个磁极(210,211),包含第一磁极(210)和进一步的磁极(211);环(240),将该多个磁极彼此磁性连接,该环与至少该第一磁极具有恒定间距;多个磁场调制器(220,221),包含第一磁场调制器(220)及进一步的磁场调制器(221);及多个引导件(450),包含第一引导件及进一步的引导件;其中第一磁场调制器包含软磁材料,其中第一磁场调制器安置于第一位置中,第一位置为以下中的一者:与将第一磁极与环分离的第一气隙(230)相邻,或位于内环表面(241)处,或沿着第一磁极的轴位于内环表面的径向外侧,且其中第一引导件将第一磁场调制器约束于沿着与第一磁极的轴基本上平行或重合的第一轴的位置。
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公开(公告)号:CN114188201B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202111020667.4
申请日:2021-09-01
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
摘要: 描述了一种用于作用在带电粒子束设备中的带电粒子束上的电极布置。所述电极布置包括:第一电极(110),所述第一电极具有用于带电粒子束的第一开口(111);第一间隔件元件(140),所述第一间隔件元件定位在设于第一电极中的第一电极侧上的第一凹槽(112)中以用于将第一电极(110)相对于第二电极(120)对准,第一间隔件元件具有第一盲孔(141);第一导电屏蔽件(150),所述第一导电屏蔽件设于第一盲孔(141)中;以及接触组件(160),所述接触组件从第一电极突出到第一盲孔(141)中以用于确保在第一电极(110)与第一导电屏蔽件(150)之间的电接触。另外,描述了一种用于这样的电极布置的接触组件(160)、一种具有这样的电极布置的带电粒子束装置以及一种减小电极布置中的电场强度的方法。
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公开(公告)号:CN1909147B
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200610099530.1
申请日:2006-07-26
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
CPC分类号: H01J37/08 , H01J27/26 , H01J2237/0805 , H01J2237/31749
摘要: 本发明提供了一种用于液态金属离子源的发射器(100),所述发射器包括导线(100),所述导线包括:基本弯曲的部分(115)和表面(120);其中,导线表面(120)至少一部分(125)在所述基本弯曲的部分(115)处变尖以形成发射器尖端。此外,还提供了用于这种发射器的制造方法。
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公开(公告)号:CN1222980C
公开(公告)日:2005-10-12
申请号:CN01805798.5
申请日:2001-01-29
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
发明人: 汉斯-彼得·福尤尔鲍姆
IPC分类号: H01J37/26 , H01J37/252 , H01J37/18
CPC分类号: H01J37/256 , H01J37/18 , H01J37/28 , H01J2237/2449
摘要: 一种用于检查样品(14)的带电粒子束设备的小型化光学柱。该柱包括一个带电粒子源(2),用于提供一个带电粒子束(10);一个透镜系统,用于引导带电粒子束(10)自源(2)到样品(14)上;及一个外罩(40),在运行期间该外罩被置为束流加强电位。
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公开(公告)号:CN1222011C
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN01805432.3
申请日:2001-01-26
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
发明人: 帕维尔·亚达梅克
摘要: 本发明提供了一种用于带电粒子束装置的改进物镜。该物镜包括一个磁透镜,用于产生一个第一磁场将带电粒子束聚焦在样品上。而且,通过提供至少一个附加线圈配置,一个偏转装置被集成到磁透镜中,产生一个第二磁场用于使带电粒子束偏转。因此,第二磁场通过磁透镜的至少一个磁极条被控制,本发明也提供了用于带电粒子束装置的改进的圆柱腔,它包括改进的物镜。
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公开(公告)号:CN118057566A
公开(公告)日:2024-05-21
申请号:CN202311550093.0
申请日:2023-11-20
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
IPC分类号: H01J37/153 , H01J37/28
摘要: 描述了一种用于校正带电粒子束装置中的带电粒子束的像差的校正器。校正器包括被配置为在垂直于束轴的平面中的多个接线。接线形成两个或更多个开口,用于穿过两个或更多个开口传递带电粒子束。多个接线至少包括第一接线和第二接线,所述第一接线具有被配置为向所述第一接线提供第一电压的第一连接器,所述第二接线具有被配置为向所述第二接线提供第二电压的第二连接器。第二电压与第一电压不同。
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公开(公告)号:CN118043931A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202280066480.4
申请日:2022-08-29
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
IPC分类号: H01J37/153 , H01J37/28
摘要: 描述了一种确定带电粒子束系统中由聚焦透镜(120)朝向样本(10)聚焦的带电粒子束(11)的像差的方法。方法包括:(a)以一个或多个散焦设置拍摄样本的一个或多个图像以提供一个或多个拍摄图像(h1…N);(b)基于射束像差系数集合(iC)和样本的聚焦图像,对以一个或多个散焦设置拍摄的样本的一个或多个图像进行仿真,以提供一个或多个仿真图像;(c)将一个或多个拍摄图像与一个或多个仿真图像进行比较,以确定两者之间的差异的大小(Ri);以及(d)变化射束像差系数集合(iC)以提供更新的射束像差系数集合(i+1C),并在迭代过程中使用更新的射束像差系数集合(i+1C)重复(b)和(c),以最小化所述大小(Ri)。或者,在(b)中,可以仿真一个或多个射束横截面,并且在(c)中,可以将仿真射束横截面与从一个或多个拍摄图像检取的一个或多个检取射束横截面进行比较,以确定两者之间的差异的大小(Ri)。进一步地,提供了用于对样本进行成像和/或检验的、被配置为用于任何这样的方法的带电粒子束系统。
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公开(公告)号:CN117672786A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311136127.1
申请日:2023-09-04
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
发明人: B·库克
IPC分类号: H01J37/147 , H01J37/28
摘要: 提供了一种用于影响沿光轴传播的带电粒子束的磁多极器件。所述磁多极器件包括:第一磁偏转器,用于用多个第一鞍形线圈使所述带电粒子束在x方向上偏转;以及第二磁偏转器,用于用多个第二鞍形线圈使所述带电粒子束在垂直于x方向的y方向上偏转。所述第一鞍形线圈和所述第二鞍形线圈以12极磁校正器结构围绕所述光轴布置,其中12个极以均匀间隔的角间隔被提供。所述12极磁校正器结构被配置为将磁12极校正器的束校正场施加在所述带电粒子束上。还提供了一种具有磁多极器件的带电粒子束设备和一种用如本文所述的磁多极器件影响沿光轴传播的带电粒子束的方法。
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公开(公告)号:CN113340927B
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202110189978.7
申请日:2021-02-18
申请人: ICT半导体集成电路测试有限公司
IPC分类号: G01N23/2251 , G01B15/00 , G01B15/02
摘要: 公开了一种操作带电粒子束装置的方法,包括:用物镜组件将带电粒子束聚焦到样品上;使反射光束穿过物镜组件的孔到达干涉仪;以及用干涉仪干涉地确定样品的z位置。公开了一种带电粒子束装置,包括具有带电粒子源的带电粒子束发生器。用于带电粒子束的带电粒子路径穿过物镜组件的孔朝向样品平台延伸。干涉仪被布置为接收穿过物镜组件的孔的反射光束。
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