公开(公告)号：CN108439329A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810209247.2

申请日：2018-03-14

Applicant: 河南科技大学

Inventor： 闫焉服 ,  杨文玲 ,  王广欣 ,  高志廷 ,  傅山泓 ,  吴丹凤

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0156 ,  B81C2201/018

Abstract: 一种微纳模具型槽的制备方法，包括镀膜步骤：在等离子体增强化学气相沉积镀膜机中，采用Si片作为基体材料，在基体材料表面沉积SiC膜层；光刻步骤：采用光刻工艺将掩膜的图形转移到SiC膜层上；刻蚀步骤：采用感应耦合等离子体刻蚀机在SiC膜层上刻蚀型槽。本发明制备的模具型槽，导热系数高、热膨胀系数小，耐火、耐磨性强，对氢氧化钾碱溶液和氟化氢酸溶液等腐蚀剂都有抗腐蚀作用。

公开(公告)号：CN1160186C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN00808385.1

申请日：2000-05-30

Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会

Inventor： S·J·福奈什 ,  A·K·凯尔肯 ,  S·贝

IPC: B32B3/10 ,  C23C10/06 ,  C23C16/06 ,  H05H1/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/018 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  G01N21/17 ,  G01N27/121 ,  G01N27/44717 ,  G01N30/6095 ,  H01J49/0418 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/249953

Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3)，包含在连续空隙中的硅柱网络，可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙-柱形态可以用沉积条件控制，孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。

公开(公告)号：CN1379712A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN00808385.1

申请日：2000-05-30

Applicant: 宾夕法尼亚州研究基金会

Inventor： S·J·福奈什 ,  A·K·凯尔肯 ,  S·贝

IPC: B32B3/10 ,  C23C10/06 ,  C23C16/06 ,  H05H1/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81C1/00047 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0139 ,  B81C2201/018 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  G01N21/17 ,  G01N27/121 ,  G01N27/44717 ,  G01N30/6095 ,  H01J49/0418 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/249953

Abstract: 公开了一种新型多孔薄膜(3),包含在连续空隙中的硅柱网络,可以使用高密度等离子体沉积在低温即低于约250℃来制备。这种硅薄膜是棒状柱的二维纳米尺寸的排列。这种空隙－柱形态可以用沉积条件控制,孔隙率可以改变到高达90%。在所利用的等离子体方法中低温沉积和蚀刻的同时使用提供了同时获得柱状结构、连续空隙和多晶柱组成的独特机会。使用这种多孔连续薄膜通过该薄膜在玻璃、金属箔、绝缘体或塑料基材(5)上的等离子体沉积可以制造独特的装置。