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公开(公告)号：CN103303859A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310076476.9
申请日：2013-03-11
Applicant: 马库伯公司
Inventor： 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希 , 提-希斯·特伦斯·李 , 阿里·J·拉斯特加尔 , 姆谷拉尔·斯唐库 , 肖·查理斯·杨
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B3/0013 , B81B3/0086 , B81B7/0022 , B81B7/0064 , B81B2203/0163 , B81B2207/094 , B81C1/00238 , B81C2201/0132 , B81C2201/05 , B81C2203/0735 , H01L27/0688
Abstract: 一种用于制造集成MEMS-CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻（DRIE）的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构（MEMS）。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏（PID）。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106395733B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510465602.9
申请日：2015-07-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 任鹏
IPC: B81C1/00 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00801 , B81C2201/0154 , B81C2201/05 , B81C2203/0778 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/687 , H01L21/76861 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/13024
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成暴露焊盘的通孔；在所述通孔内以及通孔外的种子层表面部分形成再布线金属层；进行浸润步骤，向种子层和再布线金属层的表面喷吐稀释液，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，向种子层和再布线金属层表面喷吐刻蚀溶液，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤。本发明方法防止通孔内的再布线金属层被蚀穿。
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公开(公告)号：CN106698330A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611139921.1
申请日：2013-03-11
Applicant: 矽立科技有限公司
Inventor： 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希 , 提-希斯·特伦斯·李 , 阿里·J·拉斯特加尔 , 姆谷拉尔·斯唐库 , 肖·查理斯·杨
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B3/0013 , B81B3/0086 , B81B7/0022 , B81B7/0064 , B81B2203/0163 , B81B2207/094 , B81C1/00238 , B81C2201/0132 , B81C2201/05 , B81C2203/0735 , H01L27/0688
Abstract: 一种用于制造集成MEMS‑CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻(DRIE)的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构(MEMS)。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏(PID)。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。
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公开(公告)号：CN106395733A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510465602.9
申请日：2015-07-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 任鹏
IPC: B81C1/00 , H01L21/768
CPC classification number: B81C1/00801 , B81C2201/0154 , B81C2201/05 , B81C2203/0778 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/687 , H01L21/76861 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/13024
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成暴露焊盘的通孔；在所述通孔内以及通孔外的种子层表面部分形成再布线金属层；进行浸润步骤，向种子层和再布线金属层的表面喷吐稀释液，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，向种子层和再布线金属层表面喷吐刻蚀溶液，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤。本发明方法防止通孔内的再布线金属层被蚀穿。
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公开(公告)号：CN107867672A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710867433.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00666 , B81C2201/0125 , B81C2201/013 , B81C2203/0118 , B81C2203/0127 , B81C1/0065 , B81C2201/05
Abstract: 一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。
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公开(公告)号：CN103303859B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310076476.9
申请日：2013-03-11
Applicant: 矽立科技有限公司
Inventor： 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希 , 提-希斯·特伦斯·李 , 阿里·J·拉斯特加尔 , 姆谷拉尔·斯唐库 , 肖·查理斯·杨
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B3/0013 , B81B3/0086 , B81B7/0022 , B81B7/0064 , B81B2203/0163 , B81B2207/094 , B81C1/00238 , B81C2201/0132 , B81C2201/05 , B81C2203/0735 , H01L27/0688
Abstract: 一种用于制造集成MEMS-CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻（DRIE）的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构（MEMS）。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏（PID）。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。
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