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公开(公告)号：CN106699180A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611157600.4
申请日：2016-12-15
申请人： 湖北工业大学
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/626 , C04B35/622 , C04B35/645
CPC分类号： C04B35/5154 , C04B35/622 , C04B35/6268 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/404
摘要： 本发明涉及一种热等静压法制备Ti2SbP块体材料的方法。它包括如下步骤：1)按Ti粉、Sb粉、TiP粉三种原料的摩尔比为Ti:Sb:TiP＝1：(0.5～1.5)：(0.7～2.5)，称取Ti粉、Sb粉和TiP粉原料，备用；2)将称取的Ti粉、Sb粉和TiP粉原料粉末混合均匀后，密封于真空石英管中，在马弗炉中进行煅烧；3)烧结步骤为：以5～100℃/min的升温速率升至800～1150℃，保温10～48小时；4)煅烧完成后，关掉电源，自然冷却，得高纯Ti2SbP粉体材料；5)将高纯Ti2SbP粉体置于氩气保护的热等静压装置中，压力为50‑120MPa，温度800～1150℃，保温4～10小时，得Ti2SbP块体材料。本发明产物纯度高、致密度高、产率高，适合工业规模化生产，块体材料也将有更广泛的应用。
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公开(公告)号：CN102947246B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180030057.0
申请日：2011-06-21
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C04B35/443 , C04B35/645 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： C04B35/443 , B32B18/00 , C04B35/5154 , C04B35/58 , C04B35/6455 , C04B2235/3222 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9653 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01S5/0208 , H01S5/32341
摘要： 本发明提供一种基板、该基板的制造方法、以及使用了该基板的发光元件，所述基板可以形成与蓝宝石基板制成的发光元件相比更廉价的发光元件。本发明的基板（10）由尖晶石制成，且为发光元件（30）用基板（10）。优选构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl2O3（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。
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公开(公告)号：CN106518076A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611048808.2
申请日：2016-11-25
申请人： 湖北工业大学
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/626
CPC分类号： C04B35/5154 , C04B35/62605
摘要： 本发明涉及一种无压合成Ti2SbP粉体材料的方法，所述方法包括如下步骤：1)按Ti粉、Sb粉、TiP粉三种原料的摩尔比为Ti:Sb:TiP＝1：(0.5～1.5)：(0.7～2.5)，称取Ti粉、Sb粉和TiP粉原料，备用；2)将称取Ti粉、Sb粉和TiP粉原料粉末混合均匀后，密封于真空石英管中，在马弗炉中进行煅烧；3)烧结步骤为：以5～100℃/min的升温速率升至800～1150℃，保温10～48小时；4)煅烧完成后，关掉电源，自然冷却，得高纯Ti2SbP粉体材料。本发明工艺简单、成本低、产率高，适合工业规模化生产。
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公开(公告)号：CN102459701A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080033442.6
申请日：2010-05-21
申请人： 美索科特公司
CPC分类号： C04B35/5154 , B05D2202/10 , B05D2601/20 , B22F7/04 , C04B2235/3813 , C04B2235/5436 , C22C32/00 , Y10T428/25 , Y10T428/252
摘要： 本发明涉及形成于基板上、尤其是热敏基板上的复合层。均匀的复合混合物由粉末纳米级陶瓷相颗粒与包括可熔的基体形成物的颗粒基体相前体制成。所述复合混合物被涂覆至基板表面上，在基板表面上形成相对于基板而言较薄的复合混合物层。所述基板混合物层经受快且高通量的能量加热脉冲以使可熔的基体形成物流体化，之后是至少部分地因热传递至基板而发生的快速淬火步骤，但不明显的破坏基板的总体回火性质。纳米级陶瓷相以大于其逾渗阈值的量存在于该复合层中，使得产生的熔合的复合层不趋向于流动或下沉，同时基体形成物处于液态。而且，基体的晶粒尺寸因存在纳米级陶瓷相而最小化。
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公开(公告)号：CN102947246A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030057.0
申请日：2011-06-21
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C04B35/443 , C04B35/645 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： C04B35/443 , B32B18/00 , C04B35/5154 , C04B35/58 , C04B35/6455 , C04B2235/3222 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C04B2235/9653 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01S5/0208 , H01S5/32341
摘要： 本发明提供一种基板、该基板的制造方法、以及使用了该基板的发光元件，所述基板可以形成与蓝宝石基板制成的发光元件相比更廉价的发光元件。本发明的基板（10）由尖晶石制成，且为发光元件（30）用基板（10）。优选构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl2O3（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。
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公开(公告)号：CN102712543A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180005788.X
申请日：2011-01-11
申请人： 巴斯夫欧洲公司
IPC分类号： C04B35/515 , H01F1/01
CPC分类号： C04B35/58085 , B22F3/1028 , C04B35/5154 , C04B2235/3272 , C04B2235/40 , C04B2235/428 , C04B2235/6565 , C21D1/18 , C21D9/0068 , C22C1/00 , C22C1/02 , C22C1/04 , C22C1/0491 , C22C22/00 , C22C30/00 , C22C33/02 , C22C38/04 , F24V99/00 , F28F21/08 , H01F1/015
摘要： 描述了通式(MnxFe1-x)2+zP1-ySiy的磁热材料，其中0.55≤x
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