公开(公告)号：CN102498667A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041641.1

申请日：2010-09-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山茂 ,  辻裕

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H03H3/007 ,  H03H3/08 ,  H03H9/173 ,  H03H9/175 ,  H03H2003/025 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供一种基板，可以以低成本使所述基板具有适当强度并且允许牢固结合到压电基板上。所述基板(1)用于SAW器件并由尖晶石制成，所述基板(1)的一个主表面(1a)的水平差PV值为2nm至8nm。所述基板(1)的一个主表面(1a)的平均粗糙度Ra值优选地为0.01nm至3.0nm，更优选地为0.01nm至0.5nm。所述尖晶石基板(1)用于SAW器件(2)或其它器件，所述基板(1)的杨氏模量优选地为150GPa至350GPa。

公开(公告)号：CN102947246A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180030057.0

申请日：2011-06-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山茂 ,  辻裕

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/645 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: C04B35/443 ,  B32B18/00 ,  C04B35/5154 ,  C04B35/58 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明提供一种基板、该基板的制造方法、以及使用了该基板的发光元件，所述基板可以形成与蓝宝石基板制成的发光元件相比更廉价的发光元件。本发明的基板（10）由尖晶石制成，且为发光元件（30）用基板（10）。优选构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl2O3（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。

公开(公告)号：CN102947246B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180030057.0

申请日：2011-06-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中山茂 ,  辻裕

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/645 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: C04B35/443 ,  B32B18/00 ,  C04B35/5154 ,  C04B35/58 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明提供一种基板、该基板的制造方法、以及使用了该基板的发光元件，所述基板可以形成与蓝宝石基板制成的发光元件相比更廉价的发光元件。本发明的基板（10）由尖晶石制成，且为发光元件（30）用基板（10）。优选构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl2O3（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。

公开(公告)号：CN102388004A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015912.6

申请日：2010-03-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  福间正树 ,  辻裕 ,  中山茂

IPC: C04B35/443

CPC classification number: C04B35/443 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63448 ,  C04B35/63488 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9653

Abstract: 本发明提供一种尖晶石制的透光窗材料及其制造方法。该尖晶石制的透光窗材料由尖晶石烧结体构成，其特征在于，包含在上述透光窗材料中的气孔的最大直径为100μm以下，并且最大直径在10μm以上的气孔数在每立方厘米上述透光窗材料中为2.0个以下。该尖晶石制透光窗材料进一步降低了光的散射因数。该尖晶石制透光窗材料的制造方法的特征在于，具有：制作尖晶石成形体的工序；将上述尖晶石成形体在常压以下或者真空中且在1500～1900℃下进行烧结的一次烧结工序；以及在加压下且在1500～2000℃的温度范围下进行烧结的二次烧结工序，一次烧结工序之后的尖晶石成形体的相对密度为95～96％，二次烧结工序之后的尖晶石成形体的相对密度为99.8％以上。