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公开(公告)号：CN105264619B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201480031428.0
申请日：2014-08-15
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：Mx(Al1‑vSiv)y(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜v＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑Al‑Si合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
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公开(公告)号：CN107533890A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021727.5
申请日：2016-04-07
申请人： 兴亚株式会社
发明人： 松本健太郎
CPC分类号： H01C17/006 , H01C1/142 , H01C7/006 , H01C17/12 , H01C17/28
摘要： 为了使端面电极表面宽且平坦并且提高表面电极与端面电极之间的连接可靠性，本发明的芯片电阻器包括：长方体状的绝缘基板(1)；设于绝缘基板(1)的表面的长边方向两端部的一对表面电极(2)；设于两表面电极(2)之间的电阻(3)；将两表面电极(2)和电阻(3)的整个面覆盖的绝缘性的保护层(4)；以及设于绝缘基板(1)的长边方向两端面的一对端面电极(5)，表面电极(2)具有弯曲部(2a)，该弯曲部(2a)从绝缘基板(1)和保护层(4)之间沿着该保护层(4)的端面弯折，端面电极(5)与包括所述弯曲部(2a)的从绝缘基板(1)和保护层(4)之间露出的表面电极(2)的露出部分连接。
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公开(公告)号：CN104169699B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380013565.7
申请日：2013-03-22
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明提供一种温度传感器及其制造方法，该温度传感器在针对TiAlN的热敏电阻材料层的电极结构中即使在高温环境下也不易成为高电阻，进而能够通过非烧成的方式在薄膜等上直接成膜，且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备：绝缘性基材(2)；薄膜热敏电阻部(3)，形成于该绝缘性基材上；及一对图案电极(4)，以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性基材上，薄膜热敏电阻部由TiAlN的热敏电阻材料形成，图案电极具有：TiN的接合层(5)，形成于薄膜热敏电阻部上；及电极层(6)，由贵金属形成于该接合层上。
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公开(公告)号：CN105264619A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031428.0
申请日：2014-08-15
申请人： 三菱综合材料株式会社
摘要： 本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：Mx(Al1-vSiv)y(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜v＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-Al-Si合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
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公开(公告)号：CN104812927A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380061000.6
申请日：2013-12-03
申请人： 三菱综合材料株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , G01K7/22 , H01C7/006 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C7/042 , H01C17/12
摘要： 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(Ti1-vCrv)xAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
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公开(公告)号：CN1666307A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03815057.3
申请日：2003-06-28
申请人： 希脱鲁尼克斯
发明人： J·D·帕森斯
IPC分类号： H01C3/04
CPC分类号： G01F1/692 , G01F23/248 , G01K7/18 , G01K7/183 , H01C3/04 , H01C3/12 , H01C7/006 , H01C17/075 , H01C17/12 , H05B3/265 , H05B2203/003
摘要： 本发明揭示一种传感器系统，其具有一氮化铝(AlN)基板(4)、一在该基板之上的W层(2)、一经调适以向该W层施加电致动信号的信号源(70)及一经调适以感测该W层的响应的传感器(72)。该W层可包含一薄膜，该薄膜上具有多种类型的可选择保护层(12)。应用包括感测温度、流体流速、流体水平、压力及化学环境。对一平面加热器而言，该W层包含分布在该基板上的多个传导线(34)，对于一矩形基板(32)而言该等线大致平行且蜿蜒成型，且对于一圆形基板(42)而言该等线沿在该基板的相对极点(44)处合并的各自的经线(40)延伸。
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公开(公告)号：CN107086103A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710304118.7
申请日：2017-05-03
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： H01C17/075 , H01C17/08 , H01C17/12
CPC分类号： H01C17/12 , H01C17/075 , H01C17/08
摘要： 本发明提供了一种薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法，涉及电子元件领域。该薄膜电阻的调阻工艺方法与薄膜电阻制造工艺方法通过依据放大倍数利用激光调阻系统再次对一薄膜电阻的膜层进行再次气化切除，其中，若放大倍数在第二阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.15％～0.05％之间；若放大倍数在第三阈值范围时，再次调整后的薄膜电阻的阻值与目标阻值的差值与目标阻值的比值在‑0.25％～0.15％之间，从而极大地提供了L级产品的对准率以及合格率。
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公开(公告)号：CN106782954A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710076386.8
申请日：2017-02-13
申请人： 爱普科斯电子元器件(珠海保税区)有限公司
摘要： 本发明公开了一种耐大浪涌电流冲击的压敏电阻制备方法及压敏电阻，包括步骤：步骤一：将导电电极材料覆设在氧化锌压敏电阻片上，得到带导电电极层的氧化锌压敏电阻片；步骤二：制备包括铋系玻璃粉的玻璃保护层用浆料，将该玻璃保护浆料覆在经过步骤一的带导电电极层的氧化锌压敏电阻片上；步骤三：对经过步骤二处理后的覆有玻璃保护层用浆料的氧化锌压敏电阻片进行固化热处理，即得耐大浪涌电流冲击的压敏电阻。本发明压敏电阻可以达到比之前更高的性能要求，增加25%以上的耐浪涌电流冲击水平。
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