公开(公告)号：CN107946272A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711160732.7

申请日：2017-11-20

申请人： 中航(重庆)微电子有限公司

发明人： 车湖深 ,  李彦莹 ,  于今

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/498 ,  H02M7/00

CPC分类号： H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49 ,  H01L23/498 ,  H02M7/003

摘要： 本发明一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封；有益效果：采用集成MOSFET模块提高设计可提高产品的集成度，使定位安装更加便捷；使芯片排列更致密，减少了占用面积；通过内部电路设计，减少了引出端子数量，使电路更加简洁；采用陶瓷覆铜板作为导热材料，提高了产品的蓄热能力，使工作时温度上升曲线更平滑，提高产品稳定性；模块内部采用陶瓷作为绝缘层，使产品成为绝缘型产品，杜绝了分立器件产品不绝缘引起的安全风险。

公开(公告)号：CN105612614A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201580002155.1

申请日：2015-02-20

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 斋藤隆 ,  加藤辽一 ,  西村芳孝 ,  百濑文彦

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/367 ,  H01L21/4875 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明的目的是提供一种不仅能降低与冷却器接合的金属板整体的弯曲，还能降低由接合多块绝缘电路基板产生的局部弯曲的半导体装置及半导体装置的制造方法。在金属板(20)的一个面上多块绝缘电路基板(21)相互间隔地配置并焊接接合的半导体装置中，在金属板(20)的与配置绝缘电路基板(21)的面相反侧的面上，具备对应于绝缘电路基板(21)的金属部(26)的配置的第一区域(13)，在第一区域(13)的至少一部分上具备表面加工硬化层(11)。通过利用表面加工硬化层(11)的压缩应力降低由绝缘电路基板(21)和金属板(20)的热膨胀差引起的局部的弯曲。

公开(公告)号：CN102782836B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201080064816.0

申请日：2010-02-24

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 水野宏纪

IPC分类号： H01L23/40 ,  B23K1/19 ,  B23K31/02

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K1/0012 ,  B23K1/002 ,  B23K1/005 ,  B23K1/0056 ,  B23K1/012 ,  B23K9/16 ,  B23K2101/14 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/10 ,  B23K2103/12 ,  B23K2103/18 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/75261 ,  H01L2224/75264 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75502 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83222 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2224/83237 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 在半导体模块(100)的制造方法中，通过绝缘树脂片材(40)将具有相互不同的热膨胀率的金属层(20)和冷却器(30)一体化，并且将半导体元件(10)经由焊料(15)载置在金属层(20)上的工件(1)移入回流炉(200)中。然后，在该状态下在回流炉(200)内加热，从而将半导体元件(10)安装在金属层(20)上。此时，为了使冷却器(30)的热膨胀量与金属层(20)的热膨胀量相等，以在金属层(20)和冷却器(30)之间设置温度差的方式对冷却器(30)进行加热。

公开(公告)号：CN102651347B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201210042235.8

申请日：2012-02-22

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 奥利佛·奥尔布里希 ,  马库斯·格鲁贝尔 ,  赖纳·波普 ,  马可·莱德雷尔

IPC分类号： H01L23/08 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/24 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 描述了一种电路系统，该电路系统带有绝缘材料体，该绝缘材料体在主面上具有电路结构化的金属层和至少一个安置在此上的功率半导体元件，并且电路系统带有绝缘物质的覆盖层，该覆盖层安置在绝缘材料体上且依随绝缘材料体连同其上安置的至少一个功率半导体元件的表面轮廓，其中，金属层边框沿着绝缘材料体的具有电路结构化的金属层的主面的边缘区域环行，该金属层边框通过沟槽与电路结构化的金属层的边缘保持间隔。由浇铸材料构成的阻隔垄填满环行的沟槽，其中，阻隔垄用于限定由绝缘物质构成的覆盖层，并且阻隔垄在金属层边框与电路结构化的金属层的边缘之间延伸。

公开(公告)号：CN105280724A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410577594.2

申请日：2014-10-24

申请人： 株式会社东芝

发明人： 堀阳一 ,  野田隆夫 ,  大田刚志

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/491 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明的实施方式提供一种抑制阳极电极与二极管的密接力下降、抑制二极管的浪涌耐受量下降的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设在上述第1电极与上述第2电极之间，与上述第1电极接触；第2导电型的第2半导体区域，有选择地设在上述第1半导体区域与上述第2电极之间；接触区域，设在上述第2半导体区域与上述第2电极之间，与上述第2半导体区域及上述第2电极接触；多个第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2电极与上述第1半导体区域之间，与上述第2电极接触；以及配线，与上述第2电极接触，与上述第2电极的接合部分位于上述第3半导体区域的上方，不位于上述接触区域的上方。

公开(公告)号：CN104505349A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410785946.3

申请日：2014-12-18

申请人： 南通华达微电子集团有限公司

发明人： 储新建 ,  陈峰 ,  姚鸿林

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/45124 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2924/15747 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/04

摘要： 本发明公开了一种加强铝线键合焊点可靠性的方法，应用于铝线与铜引线框架的焊接操作中，在传统的第一个焊点增加焊接第二个焊点，第二个焊点采用比第一个焊点用劈刀嘴部更短的短嘴劈刀，第二个焊点的起始位置为距离第一个焊点2倍以上-4倍的铝线的线径；第二焊点的总长度大于第一焊点的长度，然后用切刀连同铝线的尾部一起切去。本发明提高了微电子器件电连接的可靠性，能够实现连续焊接作业。

公开(公告)号：CN101996897B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201010285379.7

申请日：2010-08-06

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： O·霍尔费尔德 ,  J·格利希 ,  R·巴耶勒

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L23/24 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/39 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/341 ,  H05K2201/0373 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/37099

摘要： 用于制造电路基板组件以及功率电子模块的方法。本发明涉及通过提供具有金属表面的电路基板和绝缘基板制造功率半导体模块的方法，绝缘基板包括具有被提供有底部金属化层的底部侧的绝缘载体。此外，提供包括多个长方形支柱的锚定结构，每个支柱具有背对绝缘载体的第一端，所述支柱的至少一个子集被分布在整个锚定结构的上方，针对该子集中的每个支柱适用下述：从该支柱的侧壁，没有或最多有三个细长的结合连接板均延伸至另一个支柱的侧壁，在这里所述结合连接板与所述另一个支柱的侧壁结合。锚定结构被定位在绝缘载体和金属表面之间，之后金属表面借助于焊料被焊接到底部金属化层和锚定结构，使用焊料塞满金属表面和底部金属化层之间的所有间隙。

公开(公告)号：CN103021979A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210057523.0

申请日：2012-03-07

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中尾淳一 ,  福吉宽

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/049 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/40991 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的实施方式的半导体装置，具备第1半导体芯片、缓冲体和终端导线。第1半导体芯片具有第1电极和设于第1电极的相反侧的第2电极，在第1电极与第2电极之间流动电流。缓冲体，具有与第2电极电气性连接的下部金属箔、经由下部金属箔设于第2电极上的陶瓷片、设于陶瓷片的下部金属箔的相反侧并与下部金属箔电气性连接的上部金属箔。终端导线的一端设于上部金属箔上，与上部金属箔电气性连接。

公开(公告)号：CN101202258B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200710199758.2

申请日：2007-12-12

申请人： 塞米克朗电子有限及两合公司

发明人： R·波普 ,  Y·曼茨

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01R12/52 ,  H01R12/714 ,  H01R13/2421 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明涉及一种功率半导体模件，具有一个外壳、一个基底和至少一个金属的印制线路。从一个印制线路或一个设置在印制线路上的功率半导体器件的接触面向外引出一些接头元件，其中，至少一个接头元件设计为接触弹簧。该接触弹簧具有一个第一接触装置、一个弹簧段和一个第二接触装置。外壳具有一个槽，该槽具有一个第一和一个第二分槽，用于安置接触弹簧。接触弹簧的第一接触装置设计为销钉状，并且第二分槽的直径小于销钉状第一接触装置的直径与由该第一接触装置的一个变形部确定的偏移之和。此外，所述变形部设置在第二分槽与基底之间。

公开(公告)号：CN102810852A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210066405.6

申请日：2012-03-14

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 神户伸介 ,  河本厚信

IPC分类号： H02H9/04

CPC分类号： H01L29/7395 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0688 ,  H01L29/0619 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02M2001/344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及半导体装置，目的在于提供能有效利用浪涌电压的能量的技术。半导体装置具有：并联连接体(1)，包括在第一和第二连接点(71、72)间并联连接的IGBT(1a)及恢复二极管(1b)；第一缓冲器件(SD1)，具有IGBT(1a)的耐压以下的钳位电平；第二缓冲器件(SD2)，具有向IGBT(1a)的驱动电路(53)提供电力的电力提供部(54)的输出电压以上的钳位电平。第一缓冲器件(SD1)的一个端子经第一连接点(71)与并联连接体(1)的一端连接，第一缓冲器件(SD1)的另一个端子经第三连接点(73)与第二缓冲器件(SD2)的一个端子连接，第二缓冲器件(SD2)的另一个端子经第二连接点(72)与并联连接体(1)的另一端连接。半导体装置经第二及第三连接点(72、73)向电力提供部(54)反馈电力。