显影方法与显影设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101738876A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200910225941.4

    申请日:2009-11-23

    发明人: 青木忠久

    IPC分类号: G03F7/30 G11B7/26

    摘要: 本发明提供了一种显影方法和一种显影设备。显影方法包括如下步骤:在转盘上设置抗蚀剂基板,抗蚀剂基板包括基板、形成在基板上的无机抗蚀剂层和通过曝光形成的潜像;释放显影剂到无机抗蚀剂层的上表面上的显影剂涂布位置,同时转动转盘,显影剂涂布位置远离抗蚀剂基板的中心;用激光辐照无机抗蚀剂层的上表面上的监测位置,监测位置与显影剂涂布位置不同;以及连续释放显影剂,同时检测无机抗蚀剂层的上表面反射的激光的零级光和一级光的光量,并且监测一级光对零级光的光量比,直到光量比变为预定值。

    图案形成方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1295750C

    公开(公告)日:2007-01-17

    申请号:CN200310120571.0

    申请日:2003-12-12

    IPC分类号: H01L21/027 G03F7/00

    摘要: 本发明公开了一种图案形成方法。其目的在于:使通过浸渍光刻而得到的抗蚀图案的形状良好。形成含有吸湿性化合物的抗蚀膜102之后,在将水103供向该抗蚀膜102上的状态下选择曝光光104照射抗蚀膜102而进行图案曝光。对已进行了图案曝光的抗蚀膜102进行显像处理而形成抗蚀图案105。

    纳米级电子光刻
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101124089B

    公开(公告)日:2011-02-09

    申请号:CN200580002142.0

    申请日:2005-01-12

    发明人: 陈勇

    摘要: 一种纳米级光刻方法,其中将具有导电表面和绝缘表面的图案的可再用导电掩模设置在衬底上,该衬底表面包含位于埋入的导电层上的电响应抗蚀剂层。当在导电掩模和埋入的导电层之间施加电场时,在邻近掩模的导电区域的部分中,改变抗蚀剂层。根据从掩模转移的图案,对衬底表面进行选择性处理,改变掩模去除以除去部分抗蚀剂层。衬底可以是目标衬底,或者衬底可以用于另一个衬底的光刻掩模步骤。在本发明的一个方案中,施加电荷的电极可以分为例如多个行和列,其中可以产生任何想得到的图案而不需要制造特定的掩模。

    显影方法与显影设备
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101738876B

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN200910225941.4

    申请日:2009-11-23

    发明人: 青木忠久

    IPC分类号: G03F7/30 G11B7/26

    摘要: 本发明提供了一种显影方法和一种显影设备。显影方法包括如下步骤:在转盘上设置抗蚀剂基板,抗蚀剂基板包括基板、形成在基板上的无机抗蚀剂层和通过曝光形成的潜像;释放显影剂到无机抗蚀剂层的上表面上的显影剂涂布位置,同时转动转盘,显影剂涂布位置远离抗蚀剂基板的中心;用激光辐照无机抗蚀剂层的上表面上的监测位置,监测位置与显影剂涂布位置不同;以及连续释放显影剂,同时检测无机抗蚀剂层的上表面反射的激光的零级光和一级光的光量,并且监测一级光对零级光的光量比,直到光量比变为预定值。

    纳米级电子光刻
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101124089A

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200580002142.0

    申请日:2005-01-12

    发明人: 陈勇

    摘要: 一种纳米级光刻方法,其中将具有导电表面和绝缘表面的图案的可再用导电掩模设置在衬底上,该衬底表面包含位于埋入的导电层上的电响应抗蚀剂层。当在导电掩模和埋入的导电层之间施加电场时,在邻近掩模的导电区域的部分中,改变抗蚀剂层。根据从掩模转移的图案,对衬底表面进行选择性处理,改变掩模去除以除去部分抗蚀剂层。衬底可以是目标衬底,或者衬底可以用于另一个衬底的光刻掩模步骤。在本发明的一个方案中,施加电荷的电极可以分为例如多个行和列,其中可以产生任何想得到的图案而不需要制造特定的掩模。