OLED封装方法与OLED封装结构

    公开(公告)号:CN106601931A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611180720.6

    申请日:2016-12-19

    发明人: 金江江 徐湘伦

    IPC分类号: H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法,通过在OLED的封装结构中同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层,利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果,利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果,不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命,而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。本发明的OLED封装结构,通过同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层,利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果,利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果,不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命,而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。

    一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN106601920A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611140906.9

    申请日:2016-12-12

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/52 H01L51/56

    摘要: 本发明公开一种垂直结构量子点发光场效应晶体管及制备方法,其方法包括步骤:量子点发光单元的制备:在漏极上依次制备空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和源极;电容单元的制备:在上述制备的源极上依次制备绝缘层和栅极。本发明采用垂直结构的QLED场效应晶体管,可实现低工作电压下的高输出电流。另外,相比于传统横向FET结构,本发明垂直结构的QLED场效应晶体管,场效应晶体管更易于与QLED集成,并实现器件的多功能结合;且本发明的QLED场效应晶体管可采用全无机的材料制备,具有相比于有机半导体材料更高的迁移率,利于提高器件性能。此外,本发明QLED场效应晶体管可采用全溶液法制备,成本低廉,工艺简单。

    发光显示装置和制造该发光显示装置的方法

    公开(公告)号:CN105914300A

    公开(公告)日:2016-08-31

    申请号:CN201510767482.8

    申请日:2015-11-11

    发明人: 黄在权 金律局

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/56 H01L27/32

    摘要: 公开了一种发光显示装置和制造该发光显示装置的方法。该发光显示装置包括具有多个像素的衬底、第一电极、位于衬底上并具有暴露第一电极的开口的像素定义层、在像素定义层的开口中从第一电极沿着像素定义层的侧表面延伸的发光层、第二电极以及泄漏电流阻挡层,其中发光层包括位于第一电极上的第一部分和位于像素定义层的侧表面上的第二部分,该第二部分具有在从像素定义层的侧表面朝向像素定义层的上表面的方向上减小的厚度,泄漏电流阻挡层在第一电极与发光层之间或者在发光层与第二电极之间在像素定义层的侧表面上具有均匀的厚度。