公开(公告)号：CN104981760B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201480006732.X

申请日：2014-01-28

申请人： 三井化学株式会社 ,  株式会社村田制作所

发明人： 谷本一洋 ,  吉田光伸 ,  西川茂雄

IPC分类号： G06F3/041 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/13363 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC分类号： G02B5/30 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/40 ,  B32B2307/42 ,  B32B2307/704 ,  B32B2367/00 ,  C08G63/02 ,  C08G63/06 ,  C08G63/08 ,  C08K5/00 ,  C08K5/005 ,  C08K5/1515 ,  C08K5/29 ,  C08L67/04 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/133636 ,  G02F2001/133394 ,  G02F2001/13356 ,  G02F2001/133562 ,  G02F2001/133638 ,  H01L41/00 ,  H01L41/04 ,  H01L41/08 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/16 ,  H01L41/18 ,  H01L41/193 ,  H01L41/35 ,  H01L41/45 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/5293 ,  Y10T428/31511 ,  Y10T428/31565 ,  Y10T428/31786

摘要： 本发明提供一种显示装置，其具备包含重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A)的结晶性高分子压电层、满足下述式1的光学补偿层、和直线起偏器。(式1)：|0.06×Xc×MORc×d+Rth|≤500〔在式1中，Xc表示上述结晶性高分子压电层的由DSC法得到的结晶度(％)，MORc表示上述结晶性高分子压电层的由微波透射型分子取向计测定得到的将基准厚度设为50μm时的标准化分子取向，d表示上述结晶性高分子压电层的厚度(μm)，Rth表示波长550nm时的上述光学补偿层的厚度方向的相位差(nm)。〕。

公开(公告)号：CN105939829B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201580006703.8

申请日：2015-01-23

申请人： 瓦克化学股份公司

发明人： 安德烈亚斯·克尔恩贝格尔 ,  阿尔弗雷德·施温哈默

IPC分类号： B29C41/32 ,  C08J3/24 ,  C08J7/04

CPC分类号： B29C47/0047 ,  B29C35/02 ,  B29C47/025 ,  B29C47/065 ,  B29C71/0009 ,  B29C2071/0027 ,  B29K2083/00 ,  B29L2007/008 ,  B29L2009/00 ,  B32B27/08 ,  B32B37/26 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/268 ,  B32B2038/0076 ,  B32B2307/206 ,  B32B2309/105 ,  B32B2309/14 ,  B32B2553/00 ,  C08J7/04 ,  C08J7/042 ,  C08J2367/02 ,  C08J2383/04 ,  C08J2383/07 ,  C08J2483/04 ,  H01L41/45

摘要： 本发明涉及用于生产多层复合材料的方法，其中至少两层由具有0.1‑200μm的层厚度、和在200cm2表面上测量的±5％的厚度精确度的硬化硅组成。

公开(公告)号：CN107068853A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710053780.X

申请日：2017-01-22

申请人： 电子科技大学

发明人： 许向东 ,  谷雨 ,  李欣荣 ,  成晓梦 ,  蒋亚东 ,  连宇翔 ,  王福 ,  梁倩 ,  周华新

IPC分类号： H01L41/193 ,  H01L41/45

CPC分类号： H01L41/193 ,  H01L41/45

摘要： 本发明是关于一种DAST单晶压电材料及其制备方法；本发明公开了DAST单晶作为压电材料的应用；本发明还公开了DAST有机单晶压电材料包括DAST单晶、镀在DAST单晶的两个平行表面的电极以及电极引出的导线；所述DAST单晶压电材料的制备方法包括配制溶液、放置斜板、粗略降温、精细降温、清洗、制作电极、引线等步骤。本发明克服了现有压电材料的缺点，DAST单晶压电材料压电效应明显，具有柔性、不含铅、不含氟、无毒，并且制作方法简单，不需要高温、高压等苛刻条件，制作成本低。

公开(公告)号：CN103682081B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201210341837.3

申请日：2012-09-14

申请人： 纳米新能源(唐山)有限责任公司

发明人： 范凤茹

IPC分类号： H01L41/33 ,  H01L41/257 ,  H01L41/193 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L41/45 ,  B82Y40/00 ,  H01L41/08 ,  H01L41/193 ,  H01L41/333

摘要： 压电驻极体薄膜的制备方法，将聚合物溶液涂覆在具有纳米线的模板上，进行干燥；后将该模板移除得到具有纳米线孔的第一聚合物膜；将干燥后的至少一个第一聚合物膜与第二聚合物膜结合形成空腔；通过极化使空腔内上下表面分布相反电荷，形成压电驻极体薄膜。上述制备方法制备得到的压电驻极体薄膜。本发明还提供了压电驻极体薄膜，包括具有纳米线孔的第一聚合物膜层，结合在至少一个第一聚合物膜层的具有纳米线孔的表面上的第二聚合物膜层，在第一聚合物膜层与第二聚合物膜层之间形成的空腔，以及通过极化形成分布于空腔上下表面的相反电荷；纳米线孔的形成是通过将聚合物溶液涂覆在具有纳米线模板上实现的。还提供了由驻极体薄膜形成的压电元件。

公开(公告)号：CN106575699A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042591.1

申请日：2015-07-10

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 谷本一洋 ,  佐藤圭祐 ,  北河敏久 ,  尾崎胜敏

IPC分类号： H01L41/193 ,  C08J5/18

CPC分类号： C08G63/06 ,  B29C55/16 ,  B29C71/02 ,  C08G63/08 ,  C08J5/18 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45

摘要： 本发明提供一种高分子压电膜，其包含重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子(A)，利用DSC法得到的结晶度为20％～80％，并且，利用微波透射型分子取向计测得的将基准厚度设定为50μm时的标准化分子取向MORc与上述结晶度的乘积为25～700，至少一个面的表面粗糙度以利用激光共聚焦显微镜测得的非接触三维表面粗糙度Sa计为0.040μm～0.105μm。

公开(公告)号：CN105723534A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480062426.8

申请日：2014-11-10

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 谷本一洋 ,  吉田光伸 ,  西川茂雄

IPC分类号： H01L41/193 ,  C08G63/06 ,  H01L41/33 ,  H01L41/45

CPC分类号： H01L41/193 ,  C08G63/06 ,  H01L41/333 ,  H01L41/45

摘要： 本发明提供一种高分子压电材料，所述高分子压电材料包含重均分子量为5万～100万、利用下式算出的光学纯度高于97.0％ee且低于99.8％ee的螺旋手性高分子(A)，所述高分子压电材料于25℃利用应力－电荷法测得的压电常数d14为1pC/N以上。式：光学纯度(％ee)＝100×|L体量－D体量|/(L体量+D体量)〔其中，L体的量〔质量％〕和光学活性高分子的D体的量〔质量％〕是通过利用了高效液相色谱法(HPLC)的方法而得到的值。〕。

公开(公告)号：CN105161612A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510368643.6

申请日：2015-06-29

申请人： 北京理工大学

发明人： 冯跃 ,  娄文忠

IPC分类号： H01L41/45

CPC分类号： H01L41/45

摘要： 本发明公开了一种批量化微加工高性能压电驻极体基体的制备方法。本发明采用了MEMS微加工工艺，将具有周期性的凸起的刚性模具倒扣在块状的压电驻极体基体材料上，冷却脱模后获得单层压电驻极体基体，然后沿膜厚方向堆积在一起，切割成块后粘接，在膜厚方向上获得多层压电驻极体基体，并且实现了孔洞形貌的一致性和可控性；同时，采用一块刚性模具，一次能够得到数万个压电驻极体基体，刚性模具的重复使用高达数千次以上，从而制备得到的每一个压电驻极体基体的成本不到一块钱，大大地降低了生产成本。

公开(公告)号：CN104981518A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201380072603.6

申请日：2013-12-26

申请人： 道康宁公司 ,  道康宁东丽株式会社

发明人： 古川晴彦 ,  彼得·切希雷·哈普菲尔德 ,  金洪燮 ,  北浦英二 ,  肯特·R·拉森 ,  西海航 ,  小川琢哉 ,  尾崎弘一 ,  宋三番 ,  脇田启二

IPC分类号： C08L83/08

CPC分类号： C08K5/5419 ,  C08G77/22 ,  C08K5/5475 ,  C08K9/06 ,  C08L83/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45

摘要： 本发明提供能够制备固化制品的可固化有机聚硅氧烷组合物，所述固化制品可用作换能器且具有优异的机械特性和/或电特性。本发明还涉及供换能器用的新型可固化有机聚硅氧烷组合物，其包含可固化有机聚硅氧烷组合物和具有高介电官能团的化合物。

公开(公告)号：CN104854172A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201380065422.0

申请日：2013-11-15

申请人： 瓦克化学股份公司

发明人： 安德烈亚斯·克尔恩贝格尔 ,  阿尔弗雷德·施温哈默

IPC分类号： C08J5/18 ,  C08L83/04 ,  B29C47/00

CPC分类号： B29C41/28 ,  B05D3/007 ,  B29C41/003 ,  B29C47/0021 ,  B29C47/0064 ,  B29C47/026 ,  B29K2083/00 ,  B29L2007/008 ,  C08J5/18 ,  C08J2383/04 ,  H01L41/45

摘要： 本发明涉及用于连续生产薄硅酮膜的方法，其中膜厚度在0.1至200μm之间，并且在200cm2的表面区域上测量的厚度精度为±5％。本发明还涉及根据该方法生产的硅酮膜并涉及其用途。

公开(公告)号：CN102074648B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN200910188417.4

申请日：2009-11-24

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 何向明 ,  蒲薇华 ,  王莉 ,  李建军 ,  高剑 ,  任建国

IPC分类号： H01L41/083 ,  H01L41/193 ,  H01L41/45

CPC分类号： H01L41/193 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/45 ,  Y10S310/80 ,  Y10T29/42

摘要： 本发明涉及一种压电元件，其包括：一聚合物层，该聚合物层的材料包括热解聚丙烯腈；一第一金属层设置于该聚合物层一表面；以及一第二金属层设置于该聚合物层另一表面，该第一金属层与第二金属层具有不同的功函数。本发明还涉及一种压电元件的制备方法。该压电元件可应用于压力传感器等领域。