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公开(公告)号:CN101043123A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200710096051.9
申请日:2004-06-24
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 高濑祯
CPC分类号: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要: 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件,在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域,其中,在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。
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公开(公告)号:CN100514777C
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200710096051.9
申请日:2004-06-24
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 高濑祯
CPC分类号: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要: 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件,在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域,其中,在上述窗区域的上述脊部两侧具有由光吸收材料构成的埋入层。
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公开(公告)号:CN1578028A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410061686.1
申请日:2004-06-24
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 高瀨祯
CPC分类号: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要: 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件,在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域,其中,该窗区域的脊部和其外侧之间的等效折射率差大于上述窗区域之外的增益区域的脊部和其外侧之间的等效折射率差。
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公开(公告)号:CN105406357A
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201510916835.6
申请日:2015-12-10
申请人: 上海电机学院
CPC分类号: H01S5/3421 , H01S5/042 , H01S5/10
摘要: 本发明提供了一种等离激元光子源器件以及产生表面等离激元光子的方法。本发明的产生表面等离激元光子的方法包括:在介质层表面制备一层石墨烯,作为表面等离激元传播载体;在石墨烯上制备一层半导体层,从而使得介质层和半导体层共同构成等离激元光子源的波导层,以限制表面等离激元模式;在半导体层内部形成一层半导体量子点;利用外部激光照射半导体层,使得量子点受激辐射出的光子由于等离激元强耦合作用而转化成在石墨烯中传播的等离激元光子。
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公开(公告)号:CN100346544C
公开(公告)日:2007-10-31
申请号:CN200410061686.1
申请日:2004-06-24
申请人: 三菱电机株式会社
发明人: 高瀨祯
CPC分类号: B82Y20/00 , H01S5/1014 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/164 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/2219 , H01S5/222 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3421 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/185
摘要: 本发明可提供“kink”级不降低而高宽比低的半导体激光元件。该元件是一种脊形结构的半导体激光元件,在一种导电类型的半导体层和具有脊部的另一种导电类型的半导体层之间设置有活性层并且在其两端部具有非增益区域的窗区域,其中,该窗区域的脊部和其外侧之间的等效折射率差大于上述窗区域之外的增益区域的脊部和其外侧之间的等效折射率差。
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