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    使用掩模提供图案化基底的方法
    2.
    发明公开
    使用掩模提供图案化基底的方法 无效

    公开(公告)号：CN102687241A

    公开(公告)日：2012-09-19

    申请号：CN201080060295.1

    申请日：2010-12-20

    申请人： 3M创新有限公司

    发明人： 马修·S·斯泰 ,  米哈伊尔·L·佩库罗夫斯基

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： H05K3/10 ,  B41M5/38207 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/184 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/1415 ,  H05K2203/1545

    摘要： 本发明描述了一种制备具有图案化掩模层的基底的方法，所述图案化掩模层具有诸如重复条纹的精细特征。所述方法包括以下步骤：形成基底，所述基底的第一主表面上具有带预定图案的转移层；提供在所述第一主表面上具有所述转移层的所述基底；提供具有主体和多个接触部分的结构化工具，所述接触部分的杨氏模量介于约0.5Gpa至约30Gpa之间；加热所述结构化工具或所述基底；使所述转移层与所述结构化工具接触；冷却所述转移层；并且将所述结构化工具从所述转移层退出，使得所述转移层的一些部分随着所述结构化工具分离，在所述转移层中留下穿过所述转移层一直延伸至所述基底的开口，从而形成具有所述预定图案的所述转移层。

    透明导电膜及其制造方法
    3.
    发明公开
    透明导电膜及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN101185384A

    公开(公告)日：2008-05-21

    申请号：CN200680012718.6

    申请日：2006-04-18

    申请人： 精炼株式会社

    发明人： 山田耕平 ,  盐见秀数 ,  山田英幸

    IPC分类号： H05K9/00 ,  G09F9/00 ,  B32B15/08

    CPC分类号： H05K9/0096 ,  B32B27/00 ,  H05K3/185 ,  H05K2203/0565 ,  H05K2203/1415

    摘要： 本发明提供一种透明导电膜及其制造方法，该透明导电膜维持透明膜的透光性，同时，具有优异的导电性，可以用于电磁波屏蔽，在与其它基底材料贴合时不会引入气泡。该透明导电膜的制造方法包括：在透明膜的两个面或一个面上形成平均高度为0.1μm以下的多个凹凸的工序；在透明膜的有凹凸的面上形成与导电膜的导电部分相反的图案的抗蚀层的工序；在形成了抗蚀层的面上施加镀敷用催化剂的工序；剥离抗蚀层的工序；通过镀敷处理形成金属层的工序；黑化金属层的工序，并且，金属层的宽度W和金属层的高度T之比W/T为1≤W/T≤500。以及，透明导电膜由该制造方法制造。