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公开(公告)号：CN106707328A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710007693.0
申请日：2017-01-05
摘要： 本发明具体涉及一种基于单质子径迹成像的中子能谱测量装置及方法。包括中子转换体、质子径迹发光室、成像系统和电源；中子转换体包括中子源、中子‑质子转换靶和光阑；质子径迹发光室包括腔室，设置在腔室外一端的质子入射密封窗口、设置在腔室内的圆筒形多丝结构、与腔室内部连通的充气系统和抽真空系统、设置在腔室外侧的光学窗口、以及与圆筒形多丝结构连接的电压源；圆筒形多丝结构由位于圆柱轴心的一根阳极丝和分布在阳极丝圆周的多根阴极丝组成；中子源出射中子束经过中子‑质子转换靶的转换变向后，穿过光阑和质子入射密封窗口进入腔室，成像系统由阳极丝所收集的电荷信号控制成像，电源与圆筒形多丝结构连接。
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公开(公告)号：CN106707328B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201710007693.0
申请日：2017-01-05
摘要： 本发明具体涉及一种基于单质子径迹成像的中子能谱测量装置及方法。包括中子转换体、质子径迹发光室、成像系统和电源；中子转换体包括中子源、中子‑质子转换靶和光阑；质子径迹发光室包括腔室，设置在腔室外一端的质子入射密封窗口、设置在腔室内的圆筒形多丝结构、与腔室内部连通的充气系统和抽真空系统、设置在腔室外侧的光学窗口、以及与圆筒形多丝结构连接的电压源；圆筒形多丝结构由位于圆柱轴心的一根阳极丝和分布在阳极丝圆周的多根阴极丝组成；中子源出射中子束经过中子‑质子转换靶的转换变向后，穿过光阑和质子入射密封窗口进入腔室，成像系统由阳极丝所收集的电荷信号控制成像，电源与圆筒形多丝结构连接。
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公开(公告)号：CN206450837U
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201720011021.2
申请日：2017-01-05
摘要： 本实用新型具体涉及一种基于单质子径迹成像的中子能谱测量装置及方法。包括中子转换体、质子径迹发光室、成像系统和电源；中子转换体包括中子源、中子‑质子转换靶和光阑；质子径迹发光室包括腔室，设置在腔室外一端的质子入射密封窗口、设置在腔室内的圆筒形多丝结构、与腔室内部连通的充气系统和抽真空系统、设置在腔室外侧的光学窗口、以及与圆筒形多丝结构连接的电压源；圆筒形多丝结构由位于圆柱轴心的一根阳极丝和分布在阳极丝圆周的多根阴极丝组成；中子源出射中子束经过中子‑质子转换靶的转换变向后，穿过光阑和质子入射密封窗口进入腔室，成像系统由阳极丝所收集的电荷信号控制成像，电源与圆筒形多丝结构连接。
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公开(公告)号：CN108387923A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810215572.X
申请日：2018-03-15
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01T1/202
摘要： 本发明属于辐射探测技术领域，针对现有技术中在闪烁体表面制作光子晶体结构工序复杂、成本高，且大尺寸闪烁体本体表面难以制造光子晶体结构，以及无法直接在易潮解类闪烁体表面制作光子晶体结构的技术问题，提供带有光子晶体层的封装式闪烁体及闪烁探测器；其中带有光子晶体层的封装式闪烁体包括闪烁体本体，其特殊之处在于：还包括位于闪烁体本体外部的封装外壳，封装外壳上设置有光学窗口；所述光学窗口的内表面通过光学耦合剂紧贴闪烁体本体的出光面，光学窗口的外表面设置有外光子晶体层；外光子晶体层包括光子晶体阵列。
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公开(公告)号：CN104483698B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410850162.4
申请日：2014-12-30
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01T1/167
摘要： 本发明提供一种基于点源效率函数的氙气源虚拟点源刻度装置，包括放射性氙气体体源、标准混合点源、探测器；所述放射性氙气体体源位于探测器的正上方不同高度；所述标准混合点源位于探测器的正上方相应高度；所述标准混合点源发射射线能量必须覆盖或接近放射性氙气体体源发射射线能量。本发明选用长半衰期的170T m点源放置在短半衰期的133Xe及其同位素气体体源的虚拟点位置来进行模拟刻度放射性133Xe气体源的效率，可以解决实际工作中有些标准133Xe及其同位素半衰期较短而无法使用较长时间的问题。
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公开(公告)号：CN104483698A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410850162.4
申请日：2014-12-30
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01T1/167
摘要： 本发明提供一种基于点源效率函数的氙气源虚拟点源刻度装置，包括放射性氙气体体源、标准混合点源、探测器；所述放射性氙气体体源位于探测器的正上方不同高度；所述标准混合点源位于探测器的正上方相应高度；所述标准混合点源发射射线能量必须覆盖或接近放射性氙气体体源发射射线能量。本发明选用长半衰期的170T m点源放置在短半衰期的133Xe及其同位素气体体源的虚拟点位置来进行模拟刻度放射性133Xe气体源的效率，可以解决实际工作中有些标准133Xe及其同位素半衰期较短而无法使用较长时间的问题。
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公开(公告)号：CN113238275A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110501606.3
申请日：2021-05-08
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于富氢钙钛矿闪烁体的微型辐射探测组件、装置及方法。本发明的目的是解决现有脉冲辐射探测装置存在体积较大，导致应用受限，以及线性工作范围小和工作偏压高的技术问题。该探测组件包括半导体光电转换器件和作为辐射‑光转换体的富氢钙钛矿闪烁体；所述半导体光电转换器件的光阴极面向富氢钙钛矿闪烁体；所述富氢钙钛矿闪烁体为富氢有机‑重金属卤化物杂化材料。该探测装置包括上述基于富氢钙钛矿闪烁体的微型辐射探测组件、为半导体光电转换器件供电的电源，及示波器和计算机；所述半导体光电转换器件的输出端连接示波器的输入端，示波器的输出端连接计算机的输入端。该方法利用该装置进行。
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公开(公告)号：CN106094004A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610624040.2
申请日：2016-08-02
申请人： 西北核技术研究所
IPC分类号： G01T1/205
CPC分类号： G01T1/205
摘要： 本发明涉及核技术应用领域，尤其涉及一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法。本发明提出一种基于光学成像的单粒子能量测量装置及方法，利用单丝气体闪烁正比结构中的强电场将单粒子在气体闪烁体中产生的荧光倍增，再通过高灵敏高量子效率的成像装置对倍增强度的径迹荧光成像，就能得到单粒子的径迹发光图像，从图像提取径迹特征信息，进而实现单粒子能量的测量。
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公开(公告)号：CN104090293B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410275572.0
申请日：2014-06-19
申请人： 西北核技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于延迟编码的光纤阵列中子位置灵敏探测系统及方法，通过不同长度的光纤对中子与闪烁体作用发出的脉冲荧光信号进行延迟编码，使得不同长度的光纤传输的脉冲荧光信号到达后端光电探测器的时间不同。这样通过测量光电探测器输出的多个脉冲电流信号之间的时间差，再结合解码技术便可以确定是由哪几根光纤传输过来的脉冲荧光信号，最后以这几根光纤传输的信号大小为权重确定中子的作用位置，而时间信息则可以根据第一个脉冲电流信号的到达时间和获得的中子作用位置反推确定。采用这种方法可以使原来多路并行的信号读取方式转变为单通道串行的信号读取方式，从而使中子作用位置和时间联合测量系统大幅简化。
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