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公开(公告)号：CN101101966A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
摘要： 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN107209450A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580069752.6
申请日：2015-10-20
申请人： 加州大学评议会
摘要： 公开了用于可重写介质的氧化还原成像纳米材料的光催化颜色切换的产生。该新颜色切换体系基于能够响应光照射可逆且相当快速地颜色切换的光催化氧化还原反应。根据一个例示性实施方案，所述颜色切换体系可包括光催化剂和成像介质。在光催化剂的帮助下，紫外光照射可快速地还原该氧化还原成像纳米材料，伴随着明显的颜色改变，同时所产生的还原体系可通过可见光照射或在空气条件下加热而切换回到初始颜色状态。该新颜色切换体系的优异性能允诺其作为满足日益增长的可持续性和环境保护需求的有吸引力的可重写介质的潜在用途。
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公开(公告)号：CN1409861A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN00817137.8
申请日：2000-12-15
申请人： 波莱特技术有限公司
CPC分类号： G03H1/02 , G03C1/705 , G03H2001/0212 , G03H2001/026 , G03H2001/0268 , G03H2260/51 , G03H2260/54 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/243 , G11B2007/24316 , G11B2007/24324 , G11C13/042
摘要： 一种全息记录介质，包括：一种非晶形基质材料，它随着温度上升到高于一预定转变温度，经受一从第一热力学相到第二热力学相的相变；多个嵌入该基质材料内的光敏分子单元，它们能够根据来自光源的照明进行定向；从而可以使所述分子单元在所述基质材料处在等于或高于所述转变温度时被定向，但是在温度低于所述转变温度时保持基本固定的方向。
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公开(公告)号：CN100511749C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710109364.3
申请日：2005-08-11
摘要： 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，Si元素部分取代TeaGebSb100-(a+b)合金中的Ge元素形成的TeaGeb-cSicSb100-(a+b)合金薄膜，其中：48≤a≤60，8≤b≤40，Si取代量c的范围从1到40原子百分比。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN101101965A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
摘要： 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN118235086A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075399.2
申请日：2022-10-04
申请人： 埃斯普投资有限公司
摘要： 本发明提供了辐射敏感组合物和涂覆有辐射敏感组合物的基材，其中所述组合物包含金属化合物和/或类金属化合物、官能化或未官能化的炔属化合物和其他任选的成分如改良剂的组合。本发明还提供了用于检测或测量辐射的辐射敏感装置，其包含涂覆有这些辐射敏感组合物的基材。所述辐射敏感组合物和装置可应用于牙科、无损检测、肿瘤学、放射学和放射疗法等。
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公开(公告)号：CN100477318C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710109363.9
申请日：2005-08-11
摘要： 一种微电子技术领域的用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料，为硫族化物合金TeaSibSb100-(a+b)，其中48≤a≤60，8≤b≤40。本发明具有比常用的Ge2Sb2Te5相变薄膜较高的晶态电阻，同时具有更高的非晶态/晶态电阻变化率，更低的非晶态/晶态薄膜厚度变化率和更低的熔点。这些特征使得采用含Si系列硫族化物相变薄膜的存储器可以具有更高的开/关比和器件稳定性，有助于降低存储器的写操作电流，同时有利于实现更高密度的多值存储。
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公开(公告)号：CN1880380A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200510076329.7
申请日：2005-06-14
申请人： 蔡晏晟
发明人： 蔡晏晟
摘要： 一光学记录媒体依序包含基板、含有机染料且经激光照射可记录资料的记录层、反射层、以及保护层。此有机染料为一具有取代基的酞青(phthalocyanine)如式(I)所示：其中R1，R2，R3和R4可分别代表具有1至12个碳原子的烷基链，其上可被0至6个卤素原子、羟基、1至6个碳原子的烷氧基，1至6个碳原子的烷胺基，1至6个碳原子的二烷胺基，或1至6个碳原子的烷硫基所取代；2至12个碳原子的烯基链；或2至12个碳原子的炔基链；M为两个氢原子，一个2价金属，一个具有单取代的3价金属，一个具有双取代的4价金属，或氧化金属基；S代表一个具有－SO3－基之分子基团；且n为1到4之间的整数。
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