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公开(公告)号：CN101678693B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880019786.4
申请日：2008-06-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 本发明公开一种信息记录介质(100)，能够利用光的照射或电能的施加而记录信息，其中，至少备有能够产生相变化的记录层(115)。记录层包含锑(Sb)、碳(C)、原子量小于33的轻元素(L)。优选为，轻元素(L)是从B、N、O、Mg、Al以及S中选择的至少一种元素。例如，记录层(115)由用式(1)所表示，且由x和y满足x+y≤50的材料构成，Sb100-x-yCxLy (1)其中，下标100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的组成比。
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公开(公告)号：CN101636278A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200880008650.3
申请日：2008-02-01
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/2437 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/266 , G11B2007/24314 , G11B2007/24324 , Y10T428/21 , Y10T428/25
摘要： 本发明提供一种信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置，在具有包含可产生相变化的记录层在内的信息层的信息记录介质中，记录层含有包含Sb和S、且用式(1)Sb x S 100-x (原子％)来表示的材料，其中，下标x是利用原子％示出的组成比，满足50≤x≤98。
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公开(公告)号：CN101541553A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000345.X
申请日：2008-02-19
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24302 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24318 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
摘要： 通过在基底10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层，或优选地由组合物化学式[(ZnS)x(SiO2)1－x]y(SbzX1－z)1－y(其中满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7且0.8＜z≤1.0，X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
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公开(公告)号：CN1421851A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02129728.2
申请日：2002-08-09
申请人： 伊斯曼柯达公司
发明人： Y-S谭T·R·库斯曼 , G·法鲁吉亚 , G·R·奥林 , B·普里梅拉诺 , F·瓦赞
CPC分类号： G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324 , Y10T428/21
摘要： 一种WORM光记录元件，它包括衬底和相变记录层，其中相变记录层的组成可表示为SbaInbSncZndSieOfSh，式中a＞0，b＞0，c＞0，d＞0，e＞0，f＞0，h＞0，且a+b+c+d+e+f+h＝100。
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公开(公告)号：CN102339615B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110196657.6
申请日：2011-07-08
申请人： 索尼公司
发明人： 田畑浩
IPC分类号： G11B7/243
CPC分类号： G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及一种光学记录介质，其包含：无机记录层，设置在所述无机记录层的至少一个表面上且含有氧化铟的第一保护层，邻接所述第一保护层设置且含有氧化钛、氧化锆、或氧化锡的第二保护层。
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公开(公告)号：CN101541553B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880000345.X
申请日：2008-02-19
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/259 , G11B2007/24302 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24318 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
摘要： 通过在基板10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层，或优选地由组成化学式[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y(其中满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7且0.8＜z≤1.0，X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
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公开(公告)号：CN102262884A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110134953.3
申请日：2011-05-23
申请人： 索尼公司
CPC分类号： G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2578 , G11B7/263 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及光记录介质及其制造方法。该光记录介质包括：无机记录层；以及保护层，包括含有氧化铟的复合氧化物，设置在无机记录层的至少一个表面上，其中，复合氧化物由化学式[(In2O3)1-X(A)X]表示，其中，A是氧化铈或氧化镓，并且X满足0.15≤X≤0.75的范围。
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公开(公告)号：CN101884067A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118980.8
申请日：2008-12-05
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/1263 , G11B7/1267 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/259 , G11B2007/0013 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
摘要： 本发明提供记录再生装置，记录再生方法和信息记录媒体，根据本发明，可实现对于利用吸收端偏移现象的信息记录媒体的稳定的记录和再生。本发明的装置(100)具有：出射激光的光源(20)；将激光会聚到信息记录媒体(21)上的透镜(6)；检测来自信息记录媒体(21)的反射光的光检测器(19)。信息记录媒体(21)的记录层含有如下材料，其随着温度的上升，由电子的带间跃迁造成的光吸收谱的吸收端向长波长移动，从而对所述激光的吸收率增加。本发明的装置(100)还具有：检测激光的波长和波长变动的至少一方的波长检测部(26)；检测信息记录媒体(21)或其周围的温度和温度变化的至少一方的温度检测部(27)；基于来自波长检测部(26)和温度检测部(27)各自的输出来控制光源(20)的功率的控制部(28)。
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公开(公告)号：CN1469361A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03123996.X
申请日：2003-06-03
申请人： TDK股份有限公司
CPC分类号： G11B7/00455 , G11B7/00454 , G11B7/243 , G11B7/253 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328
摘要： 一种光记录重放方法和光记录媒体，在环保型材料构成的记录层中，可以用简单的膜结构进行良好的光记录。光记录媒体(10)在基板(12)上有由通过按照要被记录的信息进行了强度调制的作为能量的激光束而进行状态变化的一对电介质层(14A、14B)，以及被它们夹置的状态变化促进材料(16)构成的记录层(18)。状态变化促进材料(16)以Sn、Ti、Bi、Ge、C等中的任一元素作为主要成分，而作为电介质层(14A、14B)中母材的电介质材料由包含ZnS、SiO2、AlN、Ta2O5等中的至少一种材料来构成。
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公开(公告)号：CN1268743A
公开(公告)日：2000-10-04
申请号：CN00108297.3
申请日：2000-02-04
申请人： 索尼株式会社
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/257 , G11B7/243 , G11B7/2585 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324
摘要： 多层光盘,多个信息记录层形成在基片上,具有插入的透明层,以形成记录单元,光传输保护层形成在记录单元上。除距光传输保护层最远信息记录层之外,信息记录层的至少一个具有相变材料作为记录材料。构成从光传输保护层计及的第一信息记录层的相变材料在晶态时折射率nc1和消光系统Kc1和非晶态时折射率na1和消光系数Ka1满足(nc1/na1)≤12,(Kc1/Ka1≤12和(Kc1/Ka1)≤5(nc1/na1)的关系,这里排除Kc1/Ka1
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