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公开(公告)号：CN113643949A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110920178.8
申请日：2021-08-11
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于二维绝缘材料的多层真空纳米沟道晶体管，该多层真空纳米沟道晶体管自下而上依次包括绝缘衬底、栅极、二维绝缘体、发射极以及收集极；所述真空纳米沟道，所述二维绝缘材料，指代以六方氮化硼（h‑BN）为代表的二维纳米材料，具有优异的稳定性、平坦的表面和理想的绝缘性能；所述真空纳米沟道晶体管，载流子在栅极的偏置电压调控下，以场致电子发射或隧穿的形式在真空纳米沟道内部弹道输运；所述真空纳米沟道晶体管，仍保留传统电真空器件的固有优势，具有高稳定性和抗辐照特性，所述器件可以在高温、辐射等极端环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN113643949B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110920178.8
申请日：2021-08-11
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于二维绝缘材料的多层真空纳米沟道晶体管，该多层真空纳米沟道晶体管自下而上依次包括绝缘衬底、栅极、二维绝缘体、发射极以及收集极；所述真空纳米沟道，所述二维绝缘材料，指代以六方氮化硼（h‑BN）为代表的二维纳米材料，具有优异的稳定性、平坦的表面和理想的绝缘性能；所述真空纳米沟道晶体管，载流子在栅极的偏置电压调控下，以场致电子发射或隧穿的形式在真空纳米沟道内部弹道输运；所述真空纳米沟道晶体管，仍保留传统电真空器件的固有优势，具有高稳定性和抗辐照特性，所述器件可以在高温、辐射等极端环境下正常工作。
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公开(公告)号：CN115497785B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211107704.X
申请日：2022-09-13
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明公开了一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法，包括电极一、介质层一、电极二、介质层二、栅阻挡介质、电极三、基板以及沟道，电极一、介质层一、电极二、介质层二、电极三、基板依次从上至下设置，沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二，多个所述沟道使各层薄膜形成栅状结构，所述栅阻挡介质与所述电极二位于同层。本发明增加栅极阻挡层介质结构，有效减小栅极泄露电流；多个沟道形成栅状结构有效增加电子发射面积，提升同等尺寸晶体管的沟道电流。
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公开(公告)号：CN115497785A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211107704.X
申请日：2022-09-13
申请人： 南通职业大学
摘要： 本发明公开了一种栅状空气沟道晶体管及其制备方法，包括电极一、介质层一、电极二、介质层二、栅阻挡介质、电极三、基板以及沟道，电极一、介质层一、电极二、介质层二、电极三、基板依次从上至下设置，沟道贯穿电极一、介质层一、电极二、介质层二，多个所述沟道使各层薄膜形成栅状结构，所述栅阻挡介质与所述电极二位于同层。本发明增加栅极阻挡层介质结构，有效减小栅极泄露电流；多个沟道形成栅状结构有效增加电子发射面积，提升同等尺寸晶体管的沟道电流。
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