半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117293132A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311319618.X

    申请日:2018-06-26

    摘要: 本发明的一方案提供的太赫兹元件具备半导体基板、第一导电层、第二导电层、能动元件。上述第一导电层以及第二导电层分别形成于上述半导体基板且相互绝缘。上述能动元件形成于上述半导体基板并与上述第一导电层以及上述第二导电层导通。上述第一导电层包括沿第一方向延伸的第一天线部、在上述半导体基板的厚度方向视角上相对于上述能动元件位于第二方向侧的第一电容部、连接于上述第一电容部的第一导电部。上述第二方向与上述厚度方向和上述第一方向正交。上述第二导电层包括第二电容部。上述第二电容部层叠于上述第一电容部且从上述第一电容部绝缘。上述半导体基板包括从上述第一电容部以及上述第二电容部露出的露出部。上述第一导电部具有在上述厚度方向视角上隔着上述露出部从上述第一天线部向上述第二方向离开的部位。

    太赫兹装置
    2.
    发明公开
    太赫兹装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116157996A

    公开(公告)日:2023-05-23

    申请号:CN202180059035.0

    申请日:2021-07-13

    发明人: 鹤田一魁

    IPC分类号: H03B7/08

    摘要: 本发明提供一种太赫兹装置(10),其包括:支承基板(20);搭载在支承基板(20)的、发出太赫兹带的电磁波的太赫兹元件(50);和反射体(40),其在z方向上相对于元件主面(51)在与元件背面(52)相反侧且与元件主面(51)在z方向上隔开间隔地配置,具有使太赫兹元件(50)向z方向发出的电磁波向与z方向交叉的方向反射的反射面(47a)。

    振荡电路以及信息处理装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115461986A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202080100224.3

    申请日:2020-05-18

    IPC分类号: H03B7/08 G06G7/60 G06N3/063

    摘要: 本发明提供一种振荡电路以及信息处理装置。实现电路规模的降低。振荡电路(1)具备二极管(D1、D2、D3)、电感器(L1、L2)以及电源部(V1)。二极管(D1、D2、D3)是具有负微分电阻的非线性无源元件。在振荡电路(1)中,具有第一负微分电阻的二极管(D1)和合成电感器(11)串联连接而形成振荡部(10)。合成电感器(11)包含电感器(L1)和电感器(L2)并串联连接电感器(L1、L2)。具有第二负微分电阻的二极管(D2)与电感器(L1)并联连接。具有第三负微分电阻的二极管(D3)与二极管(D1)串联连接并与合成电感器(11)并联连接。而且,从电感器(L1、L2)和二极管(D2)的共用连接点(Vout)输出突发脉冲。

    具有负电阻元件的振荡器

    公开(公告)号:CN102484450A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080039684.6

    申请日:2010-08-13

    IPC分类号: H03B7/08

    CPC分类号: H03B9/12

    摘要: 振荡器具有负电阻元件和谐振器,以及相对于电源偏压电路与负电阻元件并联电连接的电容器,电容器的电容被选择为使得抑制由于电源偏压电路导致的任何寄生振荡并允许由于负电阻元件和谐振器导致的谐振频率上的振荡。

    共振隧穿二极管、振荡器和检测系统

    公开(公告)号:CN116525649A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310087308.3

    申请日:2023-01-28

    发明人: 内田达朗

    摘要: 公开了共振隧穿二极管、振荡器和检测系统。一种共振隧穿二极管包括:基板;以及台面结构,该台面结构包括化合物半导体层和电极,化合物半导体层包括包含部署在基板上的多势垒结构的异质结,电极部署在化合物半导体层的上表面上。化合物半导体层的外边缘部分是包括晶体缺陷的第一区域,并且第一区域和电极彼此分开设置。

    元件
    7.
    发明公开
    元件 有权

    公开(公告)号:CN109075744A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780025949.9

    申请日:2017-04-27

    发明人: 小山泰史

    摘要: 提供了可以减少寄生振荡的元件。用于太赫兹波的振荡或检测的元件包括:共振单元108,共振单元108包括第一导体102、第二导体105、被布置在第一导体与第二导体之间的电介质104、相互并联地连接在第一导体与第二导体之间的第一负阻元件101a和第二负阻元件101b;将偏置电压供应到第一负阻元件和第二负阻元件中的每个的偏置电路120;以及将偏置电路连接到共振单元的线路103,并且所述元件以第一负阻元件与第二负阻元件之间的正相位中的相互注入锁定不稳定并且第一负阻元件与第二负阻元件之间的逆相位中的相互注入锁定变得稳定的方式被配置。

    具有用于产生电磁波的负微分电阻器件的振荡器

    公开(公告)号:CN102577099B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201080039014.4

    申请日:2010-09-03

    IPC分类号: H03B7/08 H03B7/14

    CPC分类号: H03B7/14 H03B7/08

    摘要: 具有负电阻器件和谐振器的振荡器包含:与负电阻器件连接的传输线路;三端子器件,包含在端子部分处与传输线路的信号线路侧连接的第一端子、与传输线路的接地线路侧连接的第二端子、以及用于接收要对其施加的控制信号的第三端子;用于调整要向第三端子施加的控制信号的第一调整单元;以及用于调整要向第二端子施加的电压的第二调整单元,第一调整单元和第二调整单元适于分别调整所述控制信号和所述电压,以便使传输线路的特性阻抗与第一端子和第二端子间阻抗表现为阻抗匹配。稳定化电路的功耗速率可被减少。

    具有负电阻元件的振荡器

    公开(公告)号:CN102484450B

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN201080039684.6

    申请日:2010-08-13

    IPC分类号: H03B7/08

    CPC分类号: H03B9/12

    摘要: 振荡器具有负电阻元件和谐振器,以及相对于电源偏压电路与负电阻元件并联电连接的电容器,电容器的电容被选择为使得抑制由于电源偏压电路导致的任何寄生振荡并允许由于负电阻元件和谐振器导致的谐振频率上的振荡。

    太赫兹装置以及太赫兹装置的制造方法

    公开(公告)号:CN113169137B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN201980080128.4

    申请日:2019-11-28

    IPC分类号: H01L23/14 H01L23/28 H03B7/08

    摘要: 太赫兹装置(A1)具备第一树脂层(21)、柱状导电体(31)、布线层(32)、太赫兹元件(11)、第二树脂层(22)以及外部电极(40)。第一树脂层(21)具有第一树脂层主面(211)及第一树脂层背面(311)及第一导电体背面(312),在z方向上贯通第一树脂层(21)。布线层(32)跨过第一树脂层主面(221)和第一导电体主面(311)。太赫兹元件(11)具有元件主面(111)及元件背面(112),进行太赫兹波与电能的转换。第二树脂层(22)具有第二树脂层主面(221)及第二树脂层背面(222),覆盖布线层(32)及太赫兹元件(11)。外部电极(40)相比第一树脂层(32)配置在第一树脂层背面(222)所朝向的方向侧,与柱状导电体(31)导通。太赫兹元件(11)与布线层(32)导通接合。(212)。柱状导电体(31)具有第一导电体主面