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公开(公告)号：CN114481085B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111246758.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/04 , H01L21/311
Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
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公开(公告)号：CN118825777A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410467251.4
申请日：2024-04-18
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种发光装置，包括：第一发光单元和第二发光单元；以及第一驱动布线和第二驱动布线，第一驱动布线被构造为驱动第一发光单元，第二驱动布线被构造为驱动第二发光单元。具有台面结构的多个发光元件布置在第一发光单元和第二发光单元中。第一驱动布线与第一发光单元中的台面结构的上表面电接触。第一驱动布线在第二发光单元中的台面结构的上表面上方延伸。第二发光单元中的台面结构的上表面和第一驱动布线通过绝缘膜电绝缘。
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公开(公告)号：CN101640375B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910165013.3
申请日：2009-07-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/209 , H01S5/34326 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供制造面发射激光器及其阵列的方法和光学设备。该光学设备包括由该方法制造的面发射激光器阵列。本发明提供了一种用于制造面发射激光器的方法，该面发射激光器包括提供在层叠的半导体层上的表面起伏结构，该方法包含以下步骤：在同一个工艺中将用于限定台面结构的第一图案和用于限定该表面起伏结构的第二图案转移到第一介电膜；以及在第一图案和第二图案已经被转移到其上的该层叠的第一介电膜以及半导体层的表面上形成第二介电膜。因此，可以将表面起伏结构的中心位置与电流限制结构的中心位置高精度地对准。
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公开(公告)号：CN116387978A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211711928.1
申请日：2022-12-29
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供半导体发光元件、发光设备和测距设备。所述半导体发光元件具有依次堆叠有基板、第一反射器、包括活性层的谐振器腔、第二反射器和透明导电膜的结构，所述半导体发光元件包括：第一电流狭窄部分，其由氧化狭窄层构造；以及第二电流狭窄部分，其由绝缘膜以及所述透明导电膜与半导体层之间的接触部分构造，所述绝缘膜形成在所述第二反射器的上表面并具有开口，所述半导体层与所述透明导电膜接触，其中，所述第二电流狭窄部分的宽度d2小于所述第一电流狭窄部分的宽度d1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101640375A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910165013.3
申请日：2009-07-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S5/423 , H01S5/18311 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/209 , H01S5/34326 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供制造面发射激光器及其阵列的方法和光学设备。该光学设备包括由该方法制造的面发射激光器阵列。本发明提供了一种用于制造面发射激光器的方法，该面发射激光器包括提供在层叠的半导体层上的表面起伏结构，该方法包含以下步骤：在同一个工艺中将用于限定台面结构的第一图案和用于限定该表面起伏结构的第二图案转移到第一介电膜；以及在第一图案和第二图案已经被转移到其上的该层叠的第一介电膜以及半导体层的表面上形成第二介电膜。因此，可以将表面起伏结构的中心位置与电流限制结构的中心位置高精度地对准。
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公开(公告)号：CN101304158A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810095659.4
申请日：2008-05-07
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 内田达朗
CPC classification number: H01S5/18386 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供一种垂直腔表面发射激光器，其能够高效地将载流子注入光子晶体镜正下方的活性区域。所述垂直腔表面发射激光器包括：第一反射镜(102)，其构成下镜；第二反射镜(112)，其构成上镜；活性层(106)，其被提供在衬底(100)上的所述反射镜之间。所述第二反射镜(112)包括周期性布置在平行于所述衬底的表面的平面中的周期性折射率结构，所述周期性折射率结构包括具有导电性的第一介质(1100)和具有比第一介质(1100)的折射率低的折射率的第二介质(1102)。在所述周期性折射率结构的下侧，由具有比第一介质(1100)的折射率低的折射率的第三介质(1104)构成的层结构被嵌入所述第一介质(1100)中。
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公开(公告)号：CN116525649A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310087308.3
申请日：2023-01-28
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 内田达朗
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/88 , H03B7/08
Abstract: 公开了共振隧穿二极管、振荡器和检测系统。一种共振隧穿二极管包括：基板；以及台面结构，该台面结构包括化合物半导体层和电极，化合物半导体层包括包含部署在基板上的多势垒结构的异质结，电极部署在化合物半导体层的上表面上。化合物半导体层的外边缘部分是包括晶体缺陷的第一区域，并且第一区域和电极彼此分开设置。
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公开(公告)号：CN114481085A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111246758.X
申请日：2021-10-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C23C16/04 , H01L21/311
Abstract: 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法。气相沉积掩模包括硅基板，其包括第一区域和第二区域，第一区域具有第一厚度并包括配置有多个通孔的部分，第二区域配置在第一区域的外周并具有大于第一厚度的第二厚度。硅基板具有构成位于第一区域与第二区域之间的台阶的内壁。在平面视图中，内壁的外缘具有曲线部，并且在截面视图中，内壁具有多个台阶。
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公开(公告)号：CN100593889C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810095659.4
申请日：2008-05-07
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 内田达朗
CPC classification number: H01S5/18386 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/34333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明提供一种垂直腔表面发射激光器，其能够高效地将载流子注入光子晶体镜正下方的活性区域。所述垂直腔表面发射激光器包括：第一反射镜(102)，其构成下镜；第二反射镜(112)，其构成上镜；活性层(106)，其被提供在衬底(100)上的所述反射镜之间。所述第二反射镜(112)包括周期性布置在平行于所述衬底的表面的平面中的周期性折射率结构，所述周期性折射率结构包括具有导电性的第一介质(1100)和具有比第一介质(1100)的折射率低的折射率的第二介质(1102)。在所述周期性折射率结构的下侧，由具有比第一介质(1100)的折射率低的折射率的第三介质(1104)构成的层结构被嵌入所述第一介质(1100)中。
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