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公开(公告)号：CN118984430A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411038431.7
申请日：2024-07-30
申请人： 杭州睿影科技有限公司
摘要： 本申请提供一种X射线探测器及图像生成方法，X射线探测器包括处理电路、第一扫描驱动电路、第二扫描驱动电路、像素读出电路和像素阵列。处理电路，用于在到达第一选通时间时，控制第一扫描驱动电路导通第一类像元与像素读出电路，控制像素读出电路读出第一类像元的电信号；在到达第二选通时间时，控制第一扫描驱动电路导通第一类像元与像素读出电路，控制像素读出电路清空第一类像元的电信号；控制第二扫描驱动电路导通第二类像元与像素读出电路，控制像素读出电路读出第二类像元的电信号；第一类像元的电信号用于生成短曝光低分辨率图像，第二类像元的电信号用于生成长曝光低分辨率图像。通过本申请方案，能够对不同类型的待测物体清晰成像。
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公开(公告)号：CN117793543B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202311747343.X
申请日：2023-12-18
申请人： 脉冲视觉(北京)科技有限公司
发明人： 韩润泽
IPC分类号： H04N23/741 , H04N25/47
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公开(公告)号：CN114390223B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202111516677.7
申请日：2017-10-17
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/60 , H04N25/772 , H04N25/47
摘要： 成像器件包括：多个像素，所述多个像素包括第一像素和第二像素；和差分放大器，所述差分放大器包括第一放大晶体管、第二放大晶体管和第一负载晶体管。所述第一负载晶体管接收电源电压。所述成像器件包括：与所述第一放大晶体管和所述第一负载晶体管连接的第一信号线；与所述第二放大晶体管连接的第二信号线；和被构造为接收电源电压的第一复位晶体管。所述第一复位晶体管的栅极连接至所述第一负载晶体管。所述第一像素包括第一光电转换元件和所述第一放大晶体管，且第二像素包括第二光电转换元件和所述第二放大晶体管。
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公开(公告)号：CN118803442A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410427361.8
申请日：2024-04-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N25/47 , H04N25/707
摘要： 提供了弱光环境中的动态视觉传感器及其操作方法。所述动态视觉传感器(DVS)包括：彼此电连接并且垂直堆叠的多个基底，所述DVS包括：光电转换器件，被配置为响应于来自DVS传感器外部的外部环境的入射光来生成电荷；双极结型晶体管(BJT)器件，包括连接到光电转换器件的基极，并且被配置为基于放大从光电转换器件输出的电流来输出电流；以及DVS像素电路，检测入射光的强度改变并且基于电流输出事件信号。光电转换器件在所述多个基底之中的第一基底上。DVS像素电路的至少一部分在所述多个基底之中与第一基底不同的基底上。
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公开(公告)号：CN118661427A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380023047.7
申请日：2023-02-07
申请人： 索尼半导体解决方案公司
IPC分类号： H04N25/707 , H04N25/46 , H04N25/47
摘要： 一种传感器设备（10），包括：多个像素（51），每个像素被配置为接收光并执行光电转换，以生成光电流；多个电流电压转换部（81），每个电流电压转换部连接到一个对应的像素（51）的输出端，以将来自所述像素（51）的光电流转换为光电压；多个电容器（40），每个电容器连接到一个对应的电流电压转换部（81）的输出端，以接收来自所述电流电压转换部（81）的光电压；多个事件检测单元（20），每个事件检测单元被配置为基于作为事件的光电压来检测由一个或多个像素（51）接收的光强度的变化是否高于预定阈值；以及电路（30），该电路连接多个电容器（40）和多个事件检测单元（20），以便允许在第一操作模式与第二操作模式之间改变，在第一操作模式下，至少一个事件检测单元（20）经由对应的电容器（40）接收仅一个像素（51）的光电压，在第二操作模式下，至少一个事件检测单元（20）经由对应的电容器（40）接收来自一个像素（51）和至少另一像素（51）的光电压的组合。
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公开(公告)号：CN118474557B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410917678.X
申请日：2024-07-09
申请人： 武汉楚兴技术有限公司
发明人： 赵嘉铖
摘要： 本申请公开了一种电子设备、图像传感器、像素电路及控制方法，涉及图像传感器技术领域，图像传感器包括用于与像素电路连接的光敏元件，像素电路包括：互连的多个晶体管，至少一个晶体管的栅介质层包括负电容材料。在像素电路基于所连接的光敏元件将光信号转换为电信号的控制过程中，对于以负电容材料为栅介质层的晶体管，可以在晶体管的关断时段内通过其栅极接入的控制信号，进一步控制负电容材料的极化方向处于反置状态，能够增强晶体管在关断状态下的隔绝作用，从而可以降低图像传感器中的暗电流。
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公开(公告)号：CN112153309B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010526059.X
申请日：2020-06-10
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种视觉传感器包括：像素阵列，其包含以矩阵布置的像素；事件检测电路；事件率控制器；以及接口电路。每个像素被配置为响应于检测到入射光强度的变化而生成电信号。事件检测电路基于对从一个或多个像素接收的电信号进行处理，来检测在任何像素处是否已经发生入射光强度的变化，并且生成与确定入射光的强度已经发生变化的一个或多个像素相对应的一个或多个事件信号。事件率控制器选择与像素阵列上的感兴趣区域相对应的一个或多个事件信号，作为一个或多个输出事件信号。接口电路与外部处理器进行通信并将一个或多个输出事件信号传送给外部处理器。
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公开(公告)号：CN118590779A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410225518.9
申请日：2024-02-29
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N25/47 , H04N25/707 , H04N25/779 , H04N5/067
摘要： 本文中公开用于使用预期事件率经由同步通信接口发射异步事件数据的方法，以及相关联成像系统。在一个实施例中，成像器包括事件视觉像素阵列，及经配置以将数据的帧发射到同步通信接收器的同步通信发射器。所述像素基于外部场景内的活动来产生事件数据。所述成像器在第一时间且向所述接收器传送将包含于在第二时间发射到所述接收器的帧中的预期数据量。所述预期数据量可基于将在未来时间点产生以在所述帧中发射到所述接收器的事件数据量的预测。接着，所述成像器可在所述第二时间将具有对应于所述预期数据量的数据量的所述帧发射到所述接收器。
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公开(公告)号：CN114666519B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202111537740.5
申请日：2021-12-15
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： M·H·因诺森特
IPC分类号： H04N25/47 , H04N25/44 , H04N25/75 , H04N25/78 , H04N25/772
摘要： 本申请涉及图像传感器及其操作方法以及数据转换器，该图像传感器可包括模拟‑数字转换器。该转换器可具有输入电容器、一个或多个金属氧化物半导体电容器、数字‑模拟转换器和比较器。在该金属氧化物半导体电容器被激活时，可将输入信号采样到该输入电容器上。在该金属氧化物半导体电容器被激活时，可执行几个转换步骤。在该几个转换步骤之后，将该金属氧化物半导体电容器去激活以实现电压增益，这使得该转换器对比较器噪声不太敏感。
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公开(公告)号：CN118488326A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410173528.2
申请日：2024-02-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N25/47 , H04N25/707
摘要： 提供了一种视觉传感器以及视觉传感器的操作方法。所述视觉传感器包括：像素阵列，包括多个像素，所述多个像素中的每个被配置为基于入射光的强度改变的事件生成事件信号；以及事件检测电路，包括状态寄存器，状态寄存器包括第一触发器和第二触发器。事件检测电路被配置为：基于事件信号，将第一数据存储在第一触发器中，第一数据指示在所述多个像素的每个中是否已经发生闪烁；将第二数据存储在第二触发器中，第二数据指示在所述多个像素中的每个中是否已经发生所述事件；并且基于第一数据与第二数据的比较，识别和删除第二数据的已经发生闪烁的部分。
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