公开(公告)号：CN116121900B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202310086616.4

申请日：2023-02-09

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨涛 ,  徐兵 ,  王恩会 ,  侯新梅 ,  方志

IPC: D01F6/48 ,  D01F6/56 ,  D01F6/52 ,  D01F1/10 ,  D04H1/4318 ,  D04H1/4291 ,  D04H1/4282 ,  H10N30/85 ,  H10N30/093

Abstract: 本发明实施例公开了织构化一维全无机铅基卤素钙钛矿聚合物复合纤维、压电器件及制备方法；制备方法包括：Cs源、Pb源、聚合物、配体与有机溶液混合，制得前驱液；其中，Cs源为CsX，Pb源为PbX2，其中，X为Cl、Br、I中任一种；聚合物为聚偏氟乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯中任一种；配体为油酸、油胺的任一种组合；有机溶液为N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的任一种组合；前驱液中，Cs源与Pb源与前驱液的质量比为4～20％，油胺和油酸与前驱液的质量比为3～12％，聚合物与前驱液的质量比为4～16％；前驱液经静电纺丝过程制得织构化一维CsPbX3/聚合物复合纤维；其中，静电纺丝电压设定为10～20kV、温度设定为20～80℃，收集筒转速设定为100～1000r/min。

公开(公告)号：CN119287515A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411122349.2

申请日：2024-08-15

Applicant: 北京中博芯半导体科技有限公司

Inventor： 贺钟冶 ,  张立胜 ,  李峰

IPC: C30B29/20 ,  H10N30/093 ,  H10N30/85 ,  C30B23/00 ,  C30B25/02 ,  H03H9/54 ,  H03H3/02

Abstract: 本申请公开了一种AlScN薄膜及其制备方法以及应用，包括以下步骤：S100、在蓝宝石衬底上外延生长GaN膜层，其表面粗糙度在0.5nm以内，S200、在步骤S100中的所述GaN膜层上依次原位生长AlGaN层和AlN层，所述AlGaN层的厚度为50nm至150nm，S300、对步骤S200中的所述AlN层进行离子轰击，得到具有高/低台面的AlN中间层，S400、在步骤S300中的所述AlN中间层上生长AlN外延膜，所述AlN外延膜的厚度为50nm至200nm，S500、在步骤S400中的所述AlN外延膜上沉积AlScN层，即得AlScN薄膜。本申请所述的制备方法能够制备得到晶体质量高、表面粗糙程度低且易剥离的AlScN薄膜。

公开(公告)号：CN119156115A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411270574.0

申请日：2024-09-11

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 张天栋 ,  殷超 ,  张昌海 ,  迟庆国

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/30 ,  H10N30/077 ,  H10N30/093 ,  H10N30/04

Abstract: 一种柔性无机多层铁电薄膜及其制备方法，它属于柔性压电纳米能量收集器及其制备技术领域。本发明的目的是要解决当前电子器件面临击穿场强低、能量损耗大、样品质量差和柔性差的问题。发明采用溶胶‑凝胶法结合旋涂退火工艺在蓝宝石衬底上制备了无机多层铁电薄膜，然后利用激光剥离工艺将无机多层铁电薄膜转移到聚对苯二甲酸乙二酯的柔性衬底上，实现了无机薄膜的柔性化制备。本发明提供的制备工艺流程简便，方法新颖，制备过程环保无污染，适用于规模化生产。本发明制备的柔性无机多层铁电薄膜能够有效降低能量损耗，提升薄膜的击穿场强，提升电子器件的使用寿命。

公开(公告)号：CN118987208A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411089344.4

申请日：2024-08-08

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘丹青 ,  丁瑞浩 ,  岳志浩 ,  冯宇

IPC: A61K41/00 ,  H10N30/85 ,  H10N30/853 ,  H10N30/092 ,  H10N30/093 ,  C12Q1/02 ,  C01G49/00 ,  C01G41/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  A61K33/245 ,  A61K9/51 ,  A61K47/02 ,  A61P35/00 ,  A61P15/14

Abstract: 本发明提出了一种不饱和氧化钨包覆铁酸铋(WO3‑X‑BFO)压电半导体复合材料同时作为压电声敏剂和光敏剂首次应用于肿瘤治疗，具体涉及生物医药技术领域。通过共沉淀法合成了BFO，并通过水热法进一步合成WO3‑X‑BFO，显著提升铁酸铋各方面性能。WO3‑X‑BFO在超声和1064nm激光作用下发生氧化还原反应产生活性氧，还可将内源性过氧化氢转化为·OH用于化学动力学治疗。同时其拥有良好的光热转化性能。本发明在细胞和动物水平验证了WO3‑X‑BFO的优异性能。对于4T1细胞杀死率为92.05％，对于4T1荷瘤小鼠的肿瘤平均抑制率为78.14％，在超声和1064nm激光作用下通过氧化损伤和热损伤实现了肿瘤消融。

公开(公告)号：CN118973364A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410948299.7

申请日：2024-07-16

Applicant: 索罗曼(常州)合金新材料有限公司 ,  广州众山精密科技有限公司

Inventor： 黎家就 ,  吕建钢 ,  侯早霞

IPC: H10N30/853 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H10N30/093

Abstract: 一种铌铪锆铁酸钾钠锂铋铜无铅压电陶瓷材料及其制备方法以及一种无铅压电陶瓷及其制备方法，其中铌铪锆铁酸钾钠锂铋铜无铅压电陶瓷材料的化学通式为[(K0.45Na0.55)0.955(1‑y)Li0.955y(Bi0.5Na0.5)0.045Cu0.01][Nb0.955(Hf1‑xZrx)0.045Fe0.005]O3，其中0＜x≤0.4，0≤y≤0.04。本发明得到铌铪锆铁酸钾钠锂铋铜无铅压电陶瓷在具有较高压电活性的同时还保持了较高的机械品质因数；而且具有较高压电性能的同时，还能有效地提升了居里温度，在更大的温度范围内可以得到应用。

公开(公告)号：CN116722834B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202310808881.9

申请日：2023-07-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 胡小鹏 ,  苏雅雯 ,  叶志霖 ,  祝世宁

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H10N30/06 ,  H10N30/045 ,  H10N30/082 ,  H10N30/093

Abstract: 本发明公开一种基于周期性畴结构的声表面波器件及其制备方法，包括：利用光刻法在压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面制备极化电极轮廓；利用高温胶带分割压电材料晶体的正z面和压电材料晶体的反z面，获得不同极化区域；在极化电极轮廓上镀上第一金属电极；撕去高温胶带，得到极化电极结构；利用极化电极结构，制备有部分区域畴翻转结构的压电材料晶体，最终得到基于畴结构激发的声表面波器件。本申请先对钽酸锂的压电材料晶体或铌酸锂的压电材料晶体进行极化，然后通过剥离转移到基底上，并在压电材料晶体的表面镀上电极，以制备声表面波器件，本发明制备的平板电极更利于控制功耗。

公开(公告)号：CN118524766A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410566705.3

申请日：2024-05-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 彭斌 ,  于江浩 ,  张万里 ,  彭定康 ,  王芝昊

IPC: H10N30/01 ,  H10N30/093 ,  H10N30/00

Abstract: 本发明提供一种柔性单晶压电薄膜结构制备方法，可应用于柔性压电器件的开发。制备方法包括以下步骤:将单晶压电材料与单晶硅采用等离子体活化后进行亲水性键合；采用机械减薄方式将键合后的单晶压电材料减薄；使用电化学沉积法在减薄后的单晶压电材料一侧沉积一层金属作为单晶压电薄膜材料的支撑衬底；利用碱溶液去除硅衬底；利用氢氟酸去除硅与单晶压电薄膜界面处的二氧化硅，最终获得柔性金属作为衬底的柔性单晶压电薄膜结构。本发明制备的柔性单晶压电薄膜由于衬底为柔性金属，可以耐受高温，采用的制备工艺成本低，易于规模化制备。本发明的方案为柔性压电传感器提供衬底支持。

公开(公告)号：CN118339944A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202280077094.5

申请日：2022-11-21

Applicant: 耶达研究与发展有限公司

Inventor： I·卢博米尔斯基 ,  马克西姆·瓦列尼克

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/093 ,  C04B35/50 ,  C04B35/626

Abstract: 本公开内容提供了表现出电致伸缩性质的基于掺杂的二氧化铈的材料及其制备方法。

公开(公告)号：CN118108501A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410240542.X

申请日：2024-03-04

Applicant: 湖南科技大学

Inventor： 杨佳鑫 ,  吴嘉俊 ,  侯嘉兴 ,  杨洪宇 ,  欧云

IPC: C04B35/468 ,  H10N30/093 ,  H10N30/853 ,  C04B35/622 ,  C04B41/89

Abstract: 本发明提供了一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法，方法包括：提供压电陶瓷基材，其中，压电陶瓷基材的化学式为BaTiO3·xTiO2·yZrO2；在压电陶瓷基材上磁控溅射形成第一压电陶瓷层，其中，第一压电陶瓷层的化学式为BaTiO3·aTiO2·bZrO2；在第一压电陶瓷层上磁控溅射形成第二压电陶瓷层，其中，第二压电陶瓷层的化学式为BaTiO3·cTiO2·dZrO2；在第二压电陶瓷层上磁控溅射形成第三压电陶瓷层，其中，第三压电陶瓷层的化学式为BaTiO3·eTiO2·fZrO2；其中，x>a>c>e，并且其中，y

公开(公告)号：CN117835794A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311269427.7

申请日：2023-09-28

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 矢野凯己 ,  大桥幸司 ,  滨田泰彰 ,  北田和也

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/093

Abstract: 本发明提供一种能够抑制漏电流的产生的压电基板、压电元件以及压电元件应用器件。本发明的压电基板的特征在于，具备：基体；电极，其被成膜于所述基体上；压电体层，其被成膜于电极上，并包括钾、钠和铌，通过傅里叶变换红外光谱法来测量压电体层的表面时的峰2的积分强度IR2除以峰1的积分强度IR1而得到的值IR2/IR1小于0.086，其中，峰1为475～700cm‑1波数处检测到的峰中的最强峰的面积强度，峰2为1200～1645cm‑1波数处检测到的峰的面积强度之和。