一种短切SiC纤维表面碳涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN118561609A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410666948.4

    申请日:2024-05-28

    摘要: 本发明公开了一种短切SiC纤维表面碳涂层的制备方法,将短切SiC纤维进行氧等离子体改性处理,获得氧等离子体改性处理的SiC纤维,然后对氧等离子体改性处理的SiC纤维进行化学镀金属,获得镀金属的SiC纤维,将镀金属的SiC纤维置于糖类溶液中进行水热反应,即得表面含碳涂层的SiC纤维;本发明的制备方法,首先对SiC纤维表面进行氧等离子体改性处理,活化纤维表面,提高碳涂层与纤维之间的结合力,然后再进行纤维表面化学镀,促进碳涂层在纤维表面均匀快速生长,最后在糖类溶液中,加入羧甲基纤维素钠使纤维分散,再通过催化剂促进加快碳涂层的生长速度,最终获得均匀、致密,结合性能优异的碳涂层。

    一种低应力石墨生长环、导流筒与碳化硅单晶生长方法

    公开(公告)号:CN118529732A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410998916.4

    申请日:2024-07-24

    摘要: 本发明公开了一种低应力石墨生长环、导流筒与碳化硅单晶生长方法,包括下述步骤:(1)对石墨生长环和导流筒这两个石墨件进行预处理;(2)对石墨件进行高温碳化处理;(3)往生长容器的内腔中装入高纯碳化硅粉;将整个生长容器装入生长炉中;(4)对生长容器的内腔进行抽真空,并中途置换高纯氩气两次;开始慢速升温;再慢速将生长温度升到2300℃以上,并慢速降压至单晶的生长压力,使高纯碳化硅粉自下至上依次经过粉料过滤网、导流筒、石墨生长环、石墨托后,在籽晶片上生长成低应力碳化硅单晶。本发明的成本较低,操作简单,能够提高晶体的生长速率。

    一种复合陶瓷支撑板
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN116375503B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310197416.6

    申请日:2023-03-03

    发明人: 王林江

    IPC分类号: C04B41/87

    摘要: 本发明公开了一种复合陶瓷支撑板,属于复合材料技术领域,陶瓷支撑板的主体为碳化硅板,碳化硅板表面涂覆有超细氧化铝粉体涂层和普通氧化铝粉体涂层,超细氧化铝粉体涂层与碳化硅基板以及与普通氧化铝涂层之间均有较强的粘附力,能够保证在高温使用过程中涂层不会脱落,且原晶粒度小,烧结后机械强度低,氧化气氛能够通过裂缝侵蚀碳化硅基板;普通氧化铝粉体涂层与碳化硅的粘附性较差,烧结后的涂层致密度好,机械强度高,能够更好的保护碳化硅基板被氧化侵蚀;本申请的复合陶瓷支撑板在高温环境中强度高,承载能力强,在使用过程中耐高温性能和抗氧化性能好,热膨胀系数低,能承受反复加热和冷却的恶劣环境。

    一种在C/C复合材料中引入多孔树脂碳的方法

    公开(公告)号:CN118495978A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410771013.2

    申请日:2024-06-14

    摘要: 本发明公开了一种在C/C复合材料中引入多孔树脂碳的方法,属于碳纤维增强碳基复合材料制备技术领域。本发明方法是以酚醛树脂、无水乙醇、磷酸和乙二醇为原料制备酚醛树脂溶液;再将C/C复合材料在酚醛树脂溶液中浸渍;通过碳化处理得到含多孔树脂碳的C/C复合材料。多孔树脂碳的引入可以有效改善反应熔渗过程中高温熔融合金损伤碳纤维的问题,即通过多孔树脂碳的多孔结构及其独特的分布方式保护碳纤维不受高温熔体的侵害,从而显著提高熔渗后复合材料的力学性能。此外,多孔结构也可以避免反应熔渗过程中高温熔融合金形成熔池,从而降低熔渗后复合材料的残余金属的含量,有效地缩小超高温陶瓷的尺寸,保障烧蚀性能;本发明还具有效率高和成本低的优势。

    一种钛酸钡纳米棒阵列化涂层及制备方法

    公开(公告)号:CN118407104A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410532055.0

    申请日:2024-04-29

    发明人: 李博 陈小雨

    IPC分类号: C25D11/26 C04B41/87

    摘要: 本发明提供了一种钛酸钡纳米棒阵列化涂层及制备方法,首先通过微弧氧化工艺制备得到含钙、磷的多微孔二氧化钛涂层。随后通过一步水热反应,在TiO2涂层表面原位生长出钛酸钡纳米棒阵列化涂层。随着水热处理时间的增加,钛酸钡纳米棒的直径变宽、长度变长。该制备方法合成过程简单、工艺稳定且可控性强。