一种离子交换树脂氟化剂及其制备与应用

    公开(公告)号:CN101259439A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810060961.6

    申请日:2008-04-11

    发明人: 裴文 杨伟 杨毅鑫

    IPC分类号: B01J41/14 C08F8/22 C08F112/04

    摘要: 本发明提供了一种离子交换树脂氟化剂(II)及其制备方法,以及其在催化合成氟代哒嗪化合物中的应用。具体应用为:以卤代哒嗪化合物为原料,以式(II)所示的离子交换树脂氟化剂为催化剂,在非质子极性溶剂中,于50~150℃下反应1~10小时,反应结束后,所述卤代哒嗪化合物中至少一个氯或溴原子被氟取代,反应液经分离纯化得到所述氟代哒嗪化合物;该方法制备工艺简单、收率高,易操作,对环境污染小,是一种绿色化学合成技术。

    薄膜晶体管和包含薄膜晶体管的平板显示器

    公开(公告)号:CN1834123B

    公开(公告)日:2011-03-23

    申请号:CN200610008944.9

    申请日:2006-01-28

    摘要: 一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物,其通过分子式1表示:其中R是被环己基或苯基取代的C1-C20甲硅烷基基团,m是从2到4的整数,n是从1到3,000的整数;一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物,其用来形成分子式1表示的化合物,并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂;一种薄膜晶体管,其包括使用PPV化合物制备的缓冲层;一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此,改进有机TFT的有机半导体层的定位,从而改进了有机TFT的特性。

    一种离子交换树脂氟化剂及其制备与应用

    公开(公告)号:CN101259439B

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200810060961.6

    申请日:2008-04-11

    发明人: 裴文 杨伟 杨毅鑫

    IPC分类号: B01J41/14 C08F8/22 C08F112/04

    摘要: 本发明提供了一种离子交换树脂氟化剂(II)及其制备方法,以及其在催化合成氟代哒嗪化合物中的应用。具体应用为:以卤代哒嗪化合物为原料,以式(II)所示的离子交换树脂氟化剂为催化剂,在非质子极性溶剂中,于50~150℃下反应1~10小时,反应结束后,所述卤代哒嗪化合物中至少一个氯或溴原子被氟取代,反应液经分离纯化得到所述氟代哒嗪化合物;该方法制备工艺简单、收率高,易操作,对环境污染小,是一种绿色化学合成技术。

    薄膜晶体管和包含薄膜晶体管的平板显示器

    公开(公告)号:CN1834123A

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN200610008944.9

    申请日:2006-01-28

    摘要: 一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物,其通过分子式1表示:其中R是被环己基或苯基取代的C11-C20甲硅烷基基团,m是从2到4的整数,n是从1到3,000的整数;一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物,其用来形成分子式1表示的化合物,并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂;一种薄膜晶体管,其包括使用PPV化合物制备的缓冲层;一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此,改进有机TFT的有机半导体层的定位,从而改进了有机TFT的特性。