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    有机薄膜晶体管及包含其的有机发光显示装置
    1.
    发明授权
    有机薄膜晶体管及包含其的有机发光显示装置 失效 转让

    公开(公告)号：CN1996637B

    公开(公告)日：2010-11-24

    申请号：CN200710001861.1

    申请日：2007-01-02

    Applicant: 三星移动显示器株式会社

    Inventor： 姜泰旻 ,  安泽 ,  徐旼彻

    IPC: H01L51/05 ,  H01L27/32

    Abstract: 本发明涉及一种在电极布线层的顶部具有形成图案的有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)。为了避免对下方电极布线层的损伤，对有机半导体层形成图案使得在电极布线层上的有机半导体层不被移除。形成图案的有机半导体层完全覆盖所有的下方的电极布线层。该OTFT包括栅电极、与栅电极绝缘的源和漏电极，以及与栅电极绝缘并连接到源和漏电极的有机半导体层，其中有机半导体层完全覆盖源和漏电极。此外，还涉及一种有机发光显示装置，包括不止一个OTFT，以及电连接到电导体的有机发光元件。

    有机薄膜晶体管、其制法及包括其的平板显示器
    4.
    发明授权
    有机薄膜晶体管、其制法及包括其的平板显示器 有权 转让

    公开(公告)号：CN101165938B

    公开(公告)日：2010-12-01

    申请号：CN200610160585.9

    申请日：2006-10-19

    Applicant: 三星移动显示器株式会社

    Inventor： 朴镇成 ,  安泽 ,  徐旼彻

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L27/32

    Abstract: 本发明涉及有机薄膜晶体管(TFT)、其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器，更具体而言，涉及这样一种有机TFT，其包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层；使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层；以及设置于绝缘层和有机半导体层之间的自组装单层(SAM)。形成SAM的化合物具有至少一个选自未取代或取代的C6-C30芳基和未取代或取代的C2-C30杂芳基的端基。有机TFT是通过形成上面描述的各层并且在形成有机半导体层、源极和漏极之前在绝缘层上形成SAM来形成的。因此，有机半导体层与绝缘层之间的粘附力增加，并且因热所引起的有机半导体材料的相分离可被防止，从而获得可靠性改善的平板显示器件。

    平板显示装置及其制造方法
    7.
    发明授权
    平板显示装置及其制造方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN1893108B

    公开(公告)日：2011-07-27

    申请号：CN200610105419.9

    申请日：2006-07-06

    Applicant: 三星移动显示器株式会社

    Inventor： 徐旼彻 ,  安泽 ,  朴容佑

    IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

    Abstract: 本发明公开了一种包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的平板显示装置。该平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成在源极和漏极以及像素电极上方的绝缘层，该绝缘层具有开口；形成在绝缘层上方的栅极；以及通过绝缘层的开口部分显露的像素电极，其中该像素电极直接形成在衬底上，且直接连接到源极和漏极之一或者从源极和漏极之一延伸。绝缘层作为栅极绝缘层和界定像素电极的像素界定层。

    薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器
    8.
    发明授权
    薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器 有权 转让

    公开(公告)号：CN1862835B

    公开(公告)日：2011-05-18

    申请号：CN200610079397.3

    申请日：2006-04-21

    Applicant: 三星移动显示器株式会社

    Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

    IPC: H01L29/786 ,  H01L27/00

    CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L51/0017

    Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

    薄膜晶体管和包含薄膜晶体管的平板显示器
    9.
    发明授权
    薄膜晶体管和包含薄膜晶体管的平板显示器 有权 转让

    公开(公告)号：CN1834123B

    公开(公告)日：2011-03-23

    申请号：CN200610008944.9

    申请日：2006-01-28

    Applicant: 三星移动显示器株式会社

    Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

    IPC: C08F112/04 ,  C08L25/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L51/0038 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541

    Abstract: 一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物，其通过分子式1表示：其中R是被环己基或苯基取代的C1-C20甲硅烷基基团，m是从2到4的整数，n是从1到3，000的整数；一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物，其用来形成分子式1表示的化合物，并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂；一种薄膜晶体管，其包括使用PPV化合物制备的缓冲层；一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此，改进有机TFT的有机半导体层的定位，从而改进了有机TFT的特性。

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