一种含金属镀层的铜基材料的处理方法

    公开(公告)号:CN115216773B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202110399955.9

    申请日:2021-04-14

    摘要: 本发明公开了一种含金属镀层的铜基材料的处理方法,包括以下步骤:(1)混合含金属镀层的铜基材料和浓度为5~20wt%的酸溶液,利用孔径为0.45~50μm的通气孔通入含氧气体进行反应,得到浸出液和未浸出铜;(2)步骤(1)所述浸出液经扩散渗析,得到扩散渗析后酸溶液和第一溶液;(3)混合步骤(2)所述第一溶液和铁粉,经固液分离,得到铜渣和第二溶液;(4)混合步骤(3)所述第二溶液与碱性物质,分离回收金属沉淀物。本发明所述处理方法实现了铜基材料上的金属镀层的高效分离,回收得到高质量的铜,且处理成本低,工艺流程简单,具有良好的工业化应用前景。

    一种完整去除Nb3Sn超导线稳定层和阻挡层的方法

    公开(公告)号:CN114752938B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202210361694.6

    申请日:2022-04-07

    IPC分类号: C23F1/26 H01B13/00

    摘要: 本发明提供了一种完整去除Nb3Sn超导线稳定层和阻挡层的方法,所述方法包括以下步骤:(1)对Nb3Sn超导线进行一步硝酸腐蚀处理,去除稳定层;(2)对步骤(1)得到的去除稳定层的超导线进行氢氟酸腐蚀处理,去除阻挡层;(3)对步骤(2)得到的去除阻挡层的超导线进行二步硝酸腐蚀处理,得到完整的铌丝,本发明克服了现有利用硝酸和氢氟酸的混合酸去除Nb3Sn超导线稳定层和阻挡层时,容易导致铌丝断裂的缺点,实现了均匀、彻底且完整去除超导线稳定层和阻挡层的目的。

    一种低磷酸型钼铝钼蚀刻液及其制备方法

    公开(公告)号:CN117779038A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311833725.4

    申请日:2023-12-28

    IPC分类号: C23F1/26 C23F1/20

    摘要: 本发明公开了一种低磷酸型钼铝钼蚀刻液及其制备方法,涉及钼蚀刻技术领域。本发明以按重量份计,包括磷酸40%~50%,醋酸40%~50%,硝酸1%~5%,添加剂0.01%~2%,其余为去离子水;所述添加剂主要由碱土金属盐、亚氨基二乙酸、甘氨酸、柠檬酸、乳酸、丙二酸、甲硫氨酸组成;以解决现有的磷酸体系钼铝钼蚀刻液废液处理成本高、蚀刻CD‑l oss大,蚀刻截面均一性差以及蚀刻表面铝刺较多,导致mura的问题。

    一种锆合金材料表面处理方法及锆合金材料

    公开(公告)号:CN117758194A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311811163.3

    申请日:2023-12-26

    IPC分类号: C23C8/10 C23C8/80 C23F1/26

    摘要: 本申请涉及金属材料加工领域,本申请提供了一种含锆50%以上金属材料表面处理方法及应用。对锆合金材料进行表面氧化处理,得到表面形成有初始氧化锆陶瓷层的锆合金材料;对初始氧化锆陶瓷层进行表面还原处理,将氧化锆陶瓷层表面还原形成金属锆层;去除金属锆层,得到表面形成有氧化锆陶瓷层的锆合金材料。本申请的处理方法,一方面,将初始氧化锆陶瓷层中产生裂纹、质量较差的部分转化成金属锆层,降低材料表面的硬度,以更容易的方式去除表面氧化锆陶瓷层,提高抛光效率;另一方面,防止裂纹向材料内部延伸,得到的锆合金材料表面具有无裂纹、表面平整的氧化锆陶瓷层。

    去除高温涂层的溶剂及其应用以及去除高温涂层的方法

    公开(公告)号:CN117737734A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311703827.4

    申请日:2023-12-12

    摘要: 本发明公开了一种去除高温涂层的溶剂及其应用以及去除高温涂层的方法,该溶剂包括体积分数为30%~40%的36~38wt.%浓度的盐酸、体积分数为8%~12%的83~86wt.%浓度的磷酸、体积分数为3%~5%的25~30wt.%浓度的双氧水和质量分数为0.5%~1%的缓蚀剂。其中,盐酸为主要的腐蚀溶剂,磷酸可增强其腐蚀能力,通过晶界优先腐蚀涂层的Ni3Al相形成孔隙从而使涂层剥离,且缓蚀剂的加入避免了基体被盐酸、磷酸腐蚀,从而既可以去除致密高温防护涂层,还可缓解酸洗对基体表面组织和形貌的影响。此外,对酸洗后的合金进行喷砂处理,利用机械力切削作用,去除腐蚀坑及互扩散区,确保基体的力学性能不受影响。

    一种蚀刻液
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114182259B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202111505637.2

    申请日:2021-12-10

    发明人: 李恩庆 康明伦

    IPC分类号: C23F1/18 C23F1/26 C23F1/44

    摘要: 一种蚀刻液,包括以下组分:12~22%质量百分比的过氧化氢;0.5~4%质量百分比的鳌合剂;0.1~2.5%质量百分比的蚀刻抑制剂;0.1~5%质量百分比的蚀刻剂;0.01~2%质量百分比的除残剂;以及溶剂,所述蚀刻剂在不需要增加氟含量的情况下即可大面积地蚀刻多层结构的铜/钼金属膜层,不仅能够抑制铜金属在绝缘膜扩散的现象,还能有效地去除钼金属残留物,所述蚀刻液的性质稳定,蚀刻速率适中且蚀刻轮廓良好,能够有效提升产品的良率。