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公开(公告)号：CN117625315A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210951419.X
申请日：2022-08-09
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/39 , C11D3/60 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物及其应用。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10‑30％氧化剂、0.001‑0.01％氧化型谷胱甘肽、0.001‑0.25％半胱氨酸、氟化物、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L31、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)和水，水补足余量。本发明的含氟清洗液组合物可以高度选择性地移除TiN、TaN、TiNxOy、Ti硬遮罩和包含上述物质的合金的硬遮罩，且对具有等离子刻蚀后残余物和灰化后残余物清洗效果佳。本发明的选择性移除硬遮罩的清洗液对多种金属及电介质缓蚀性强，清洗效果佳。
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公开(公告)号：CN116262889A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111523248.2
申请日：2021-12-13
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂在清洗半导体器件中的应用。该应用的中和清洗剂的原料包括下列质量分数的组分：1％‑5％半胱氨酸、1％‑5％羟胺、0.1％‑0.5％EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1％‑1％表面活性剂B、0.1‑1％螯合剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清除效果好。
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公开(公告)号：CN116262888A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111521982.5
申请日：2021-12-13
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子刻蚀清洗后中和清洗剂。本发明的中和清洗剂的原料包括下列质量分数的组分：1％‑5％半胱氨酸、1％‑5％羟胺、0.1％‑0.5％EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1％‑1％表面活性剂B、0.1‑1％螯合剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清除效果好。
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公开(公告)号：CN116218612A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111481390.5
申请日：2021-12-06
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种聚酰亚胺清洗液在清洗半导体器件中的应用。该应用中的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：30％‑80％有机溶剂、0.001％‑0.01％还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％半胱氨酸、1％‑5％醇胺、1％‑5％有机碱、0.01％‑2％螯合剂、0.01％‑2％缓蚀剂、0.5％‑3％羧酸铵、0.01‑1％表面活性剂、0.01％‑2％流平剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的清洗液的清洗能力强、腐蚀速率低和避免了等离子刻蚀及灰化等繁琐工艺。
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公开(公告)号：CN113161234B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110461606.5
申请日：2021-04-27
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , C23F1/26
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的应用。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10％‑30％的氧化剂、0.001‑0.01％的还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％的半胱氨酸、1％‑5％的氟化物、1％‑5％的有机碱、0.01％‑2％的螯合剂、0.01％‑2％的缓蚀剂、0.5％‑3％的羧酸铵、0.01％‑1％的EO‑PO聚合物L31、0.01％‑2％的钝化剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113186044B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110461607.X
申请日：2021-04-27
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的制备方法。该制备方法包括如下步骤：将以下质量分数的组分混合，即得到所述的含氟清洗液组合物；10％‑30％的氧化剂、0.001‑0.01％的还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％的半胱氨酸、1％‑5％的氟化物、1％‑5％的有机碱、0.01％‑2％的螯合剂、0.01％‑2％的缓蚀剂、0.5％‑3％的羧酸铵、0.01％‑1％的EO‑PO聚合物L31、0.01％‑2％的钝化剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。采用本发明的含氟清洗液组合物的制备方法制得的含氟清洗液组合物对硬遮罩具有优秀的选择性且对等离子刻蚀后残余物和灰化后残余物清洗效果佳。
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公开(公告)号：CN113150884B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110461586.1
申请日：2021-04-27
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/72 , C11D3/39 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/28 , C11D3/20 , C11D3/26 , C11D3/60 , C23F1/26
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物的制备方法。该的制备方法包括如下步骤：将以下质量分数的组分混合，即得到所述的含氟清洗液组合物；10‑30％氧化剂、0.001‑0.01％还原型谷胱甘肽、0.001‑0.25％半胱氨酸、1‑5％氟化物、1‑5％有机碱、0.01‑2％螯合剂、0.01‑2％缓蚀剂、0.5‑3％羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％9‑蒽甲醛‑1,1‑二苯基腙和水。采用该制备方法得到的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113150885B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110459926.7
申请日：2021-04-27
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/722 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/39 , C11D3/60 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种含氟清洗液组合物。该含氟清洗液组合物包括下述质量分数的组分：10％‑30％的氧化剂、0.001‑0.01％的还原型谷胱甘肽、0.001％‑0.25％的半胱氨酸、1％‑5％的氟化物、1％‑5％的有机碱、0.01％‑2％的螯合剂、0.01％‑2％的缓蚀剂、0.5％‑3％的羧酸铵、0.01％‑1％的EO‑PO聚合物L31、0.01％‑2％的钝化剂和水，水补足余量；各组分质量分数之和为100％。本发明的含氟清洗液组合物可选择性地除去微电子器件上的硬遮罩，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113430069A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010209649.X
申请日：2020-03-23
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/835 , C11D3/04 , C11D3/30 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/60 , C08B37/16 , H01L21/02 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种低羟胺水基清洗液、其制备方法及应用。本发明提供了一种低羟胺水基清洗液，其特征在于，其由下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：0.1％‑5％的羟胺类化合物、0.5％‑20％的醇胺、0.1％‑20％的季铵碱、0.01％‑30％的螯合剂、0.1％‑20％的聚季铵盐表面活性剂、0.1％‑15％的非离子型表面活性剂、0.1％‑25％的环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物和余量的水，所述的质量分数为各组分质量占原料的总质量的百分比。本发明的低羟胺水基清洗液对多种金属及电介质缓蚀性强，清洗效果佳。
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公开(公告)号：CN110262199A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910679316.0
申请日：2019-07-25
申请人： 上海新阳半导体材料股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明公开了一种负胶剥离液、其制备方法及应用。所述的负胶剥离液，其原料包括下列组分：季铵碱、烷醇胺、缓蚀剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜类有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO-EO-乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质量分数之和为100％，所述的PO-EO-乙烯基二元胺共聚物为Tetronic 1107、Tetronic 1301和Tetronic 1307中的一种或多种。本发明的负胶剥离液在具有好的剥离性能的情况下，对其他多种材料不构成破坏性腐蚀，具有高的应用价值。
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