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公开(公告)号：CN118600519A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410672879.8
申请日：2024-05-28
申请人： 扬州晶格半导体有限公司
摘要： 本发明公开了半导体领域内的一种降低硅部件晶锭裂纹率的铸造方法及铸造炉。该铸造方法包括以下步骤：S1：在坩埚底部刷涂一层硅颗粒组成的硅颗粒形核层，并对坩埚内壁进行氮化硅涂层制备；S2：将多晶硅装填到坩埚中；S3：在铸造炉中通过定向凝固的方法生长成晶锭，依次进行加热、熔化、长晶、退火和冷却阶段；其中，在长晶阶段，炉内上部温度和下部温度分别控制，且温度差不超过200℃，在退火阶段，炉内上部温度和下部温度一致降低，当温度降低到750‑850℃时维持3.5‑4.5小时。该铸造方法，通过温度控制降低长晶阶段固液界面的温度梯度来降低内应力的产生，在退火阶段，保持高温从而消除其内应力，提高晶锭的质量和稳定性。
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公开(公告)号：CN114045553B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110203351.2
申请日：2021-02-23
申请人： 赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司
摘要： 本发明公开了一种铸锭炉、铸锭晶体硅及其制备方法，铸锭炉包括炉体顶部，中部和底部，炉体内部为炉腔，炉腔内设有隔热笼，隔热笼内设有保温组件，保温组件由护板和底板形成一个容纳空间承载坩埚，保温组件还包括封盖在坩埚上的盖板，其中，炉体中部开设有第一排气口，第一排气管路适于与第一排气口连通，通往炉腔与隔热笼形成的第一空间内；炉体顶部或炉体底部开设有第二排气口，第二排气管路适于与第二排气口连通，通往炉腔与隔热笼形成的第二空间内；排气管路外部连接真空装置，第二排气管路与第一排气管路外部连通；第一排气管路上设有第一阀门，单独控制第一排气口的排气比例；第二排气管路上设有第二阀门，单独控制第二排气口的排气比例。
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公开(公告)号：CN112899785B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202110327313.8
申请日：2021-03-26
申请人： 中锗科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种磷化铟单晶生长的恒压恒流保护气装置及磷化铟单晶生长的方法，恒压恒流保护气装置，包括VGF生长炉、气体储罐、高压气泵和气体加热套；VGF生长炉包括高压腔，高压腔的顶部设有上盖、底部设有下盖，高压腔内侧设有筒状的加热器，上盖上设有与加热器相通的出气管路，下盖上设有与加热器相通的进气管路；上盖上的出气管路通过第一管路与气体储罐的进气口连通，气体储罐的出气口通过第二管路与高压气泵的进气口连通，高压气泵的出气口通过第三管路与气体加热套的进气口连通，气体加热套的出气口通过第四管路与下盖上的进气管路连通。上述装置，可实现氮气热气流的稳定单向流动，避免了炉内气体对流，大大提高了成晶率，达到45.3％以上。
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公开(公告)号：CN118516741A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410517146.7
申请日：2024-04-28
申请人： 厦门城市职业学院(厦门开放大学)
发明人： 朱徐立
摘要： 本申请涉及定向凝固加热方法技术领域，提供了一种用于定向凝固的加热工艺，包括以下步骤：S1：将若干微型加热元件镶嵌在坩埚内表面，形成加热点阵；S2：将熔体放入所述坩埚内，所述坩埚底部保持恒温状态；S3：通过控制电压对所述微型加热元件进行加热，并通过数字控制方法单独控制每个所述微型加热元件的开与关。基于此，可实现在定向凝固加热中的局部精准灵活温控，以及缩短启动、降温时间，降低温度在时间轴上的控制难度，该工艺可应用于各种形式坩埚与物料的定向凝固过程。
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公开(公告)号：CN110952133B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201911411298.4
申请日：2019-12-31
申请人： 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
摘要： 本发明公开一种基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置以及晶体生长工艺；所述石英封帽与石英管配合使用以实现石英管的密封，石英管内密封有晶体生长用坩埚，坩埚内盛装有晶体生长用原材料，所述原材料与石英封帽之间设置有自由空间；石英管具有开口；所述石英封帽包括盖住石英管的开口的盖体；其特征在于，所述石英封帽具有温控部，所述温控部凸出所述盖体向上，所述温控部具有通向所述石英管的内腔。通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、晶体生长装置以及加热工艺的配合改进，能够比较容易的对自由空间的蒸气压进行控制；让自由空间的蒸气压始终处于稳定的状态，从而得到均匀掺杂的单晶体。
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公开(公告)号：CN118422313A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410446241.2
申请日：2024-04-12
申请人： 北京镓创科技有限公司
摘要： 本申请公开一种熔化氧化镓粉末材料的装置及方法，包括：坩埚；第一加热单元，用于加热所述坩埚；第二加热单元，用于加热所述坩埚，设置在所述第一加热单元下方，与所述第一加热单元之间通过隔热挡板分离；以及升降单元，用于放置所述坩埚，在所述升降单元的作用下，所述坩埚能够从所述第一加热单元中移动到所述第二加热单元中。解决氧化镓铱金感应加热成本高以及生长过程中引燃剂金属镓在大尺寸晶体中氧化不均等问题。
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公开(公告)号：CN118407115A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743578.X
申请日：2024-06-11
申请人： 广东先导微电子科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种砷化镓单晶的生长装置，包括阶梯式坩埚、石英管、石英帽，所述阶梯式坩埚放置于所述石英管中，所述石英帽固定连接于所述石英管上；所述阶梯式坩埚包括籽晶区和多级生长区，所述籽晶区位于所述生长区的下方，多级所述生长区的内径由上至下依次变小。通过设置阶梯式坩埚，一次生长即可制备多种不同内径的单晶，并且可根据需求设置多级生长区的内径，简化生产工艺、提高生产效率，有利于推广和市场化，此外，本发明还公开了一种砷化镓单晶的生长方法，使用上述生长装置制备砷化镓单晶。
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公开(公告)号：CN118390151A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410264199.2
申请日：2024-03-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种熔体迁移法生长化合物半导体单晶的方法，属于化合物单晶的制备领域，本发明设计两个迁移熔池，在温度梯度下小尺寸籽晶通过纵向熔池横向迁移长大，然后通过横向熔池纵向迁移来获得大尺寸长化合物半导体单晶。通过控制横向和纵向温度梯度来实现上述过程，同时设计了导通探测器，探测迁移熔池的生长进程，进而精确控制温度梯度转化和生长工艺。由于采用小尺寸单晶籽晶，节省了单晶籽晶的制备成本和难度，降低了位错密度。该方法可用于氧化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等III‑V族化合物半导体的制备，同样适用于II‑VI族化合物半导体的制备。
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公开(公告)号：CN116121872B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111349923.4
申请日：2021-11-15
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明涉及碱土金属硫代(硒代)锗酸盐化合物和碱土金属硫代(硒代)锗酸盐非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物和晶体化学式通式均为AE3GeOQ4，其中AE＝Ca，Sr，Ba；Q＝S、Se，均属正交晶系，空间群Pca21，晶胞参数为#imgabs0##imgabs1#α＝β＝γ＝90°。化合物碱土金属硫代(硒代)锗酸盐采用真空高温固相反应法合成，碱土金属硫代(硒代)锗酸盐晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
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