用于芯片封装测试的适配器装置

    公开(公告)号:CN118922727A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202280093548.8

    申请日:2022-03-24

    发明人: 徐晨超 岳杨

    摘要: 在本公开中公开了一种用于芯片封装测试的适配器装置。用于芯片封装测试的适配器装置包括:包括多个封装测试单元的连接板。每个封装测试单元包括:用于容纳微型芯片的板槽,与板槽耦合的信号传输片,与板槽耦合的信号连接器,以及芯片基板。在一些实施例中,用于芯片封装测试的适配器装置还包括:适配器板,通过包括在该适配器板中的板间连接区域与连接板耦合。一种用于芯片封装测试的方法包括键合多个微型芯片到连接板的芯片基板,耦合连接板与适配器板,检查多个微型芯片,以及使用识别码识别故障微型芯片。

    一种测量半导体器件的漏极电流的方法及测量系统

    公开(公告)号:CN118914802A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411255784.2

    申请日:2024-09-06

    发明人: 徐胜 肖莉红

    IPC分类号: G01R31/26 G01R19/00

    摘要: 本申请公开了一种测量半导体器件的漏极电流的方法及测量系统,方法包括:测量得到测量设备的连接路径的电阻值,记为线路电阻值;向漏极施加设置电压,测量测量回路的电流值,得到第一电流值;基于线路电阻值、设置电压的电压值和第一电流值,得到补偿电压的电压值;基于补偿电压的电压值对设置电压进行补偿,得到目标施加电压;向漏极施加目标施加电压,并通过测量设备测量半导体器件的漏极电流。本发明方案基于补偿电压的电压值对设置电压进行补偿,并向漏极施加补偿后得到的目标施加电压,能够补偿因连接路径的电阻值分压而导致施加在漏极和源极之间的电压损失,提高了测量设备测量漏极电流的测量准确度,降低了测量成本,缩短了测量周期。

    一种TVS管检测系统与检测方法

    公开(公告)号:CN118914796A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411032267.9

    申请日:2024-07-30

    发明人: 张定华

    IPC分类号: G01R31/26 G01R31/12

    摘要: 本发明公开了一种TVS管检测系统与检测方法,包括TVS管状态分析模块、箝位电压综合分析模块和击穿电压分析模块,本发明涉及电子元件检测技术领域,解决了没有很好地对TVS管产生异常的具体原因进行分析,导致后续对TVS管进行故障排查时需要重新分析,会存在费时费力的技术问题,本发明通过对TVS管的工作参数进行分析,判断对应的工作状态,并针对工作状态异常的情况进行异常分析,通过从箝位电压和击穿电压两方面进行单独分析,同时根据TVS管自身的工作参数综合分析存在异常的具体原因,并进一步地进行数据分析来对具体原因进行定位查找,从而方便后续根据具体的故障原因进行检修,节省后续重新排查的时间,提高对TVS管检修的效率。

    一种测试卡预热晶圆测试模块

    公开(公告)号:CN118914794A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411021392.X

    申请日:2024-07-29

    发明人: 邱显彬

    IPC分类号: G01R31/26 G01R1/04 H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种测试卡预热晶圆测试模块,包括:设置有第一加热器的第一载体,可升降设置的测试控制器,安装在测试控制器下方并阵列设置有探针的测试卡,以及预热单元;预热单元包括设置在测试卡下侧的第二加热器,以及通过导线控制第二加热器的加热控制器;第二加热器呈板状且开设有与探针一一对应的定位孔,探针分别穿过对应的定位孔并对应下方的待测元件。本发明通过设置预热单元,有效解决了在第一载体上的晶圆搬运及更换过程中,因测试卡上升并远离第一载体的第一加热器而导致探针冷却收缩引起的高度变化,以及测试卡冷却变形导致的探针长度变化等问题,从而有效消除测试误差。

    一种压接IGBT模块结温估计方法及装置

    公开(公告)号:CN118914792A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410972517.0

    申请日:2024-07-19

    发明人: 梁琳 涂刘煜

    IPC分类号: G01R31/26

    摘要: 本申请属于电子技术领域,具体公开了一种压接IGBT模块结温估计方法及装置。本申请,通过根据压接IGBT模块中的压接芯片搭配顶面外壳和底面外壳的热传导路径,建立以顶面外壳的温度为参考温度的第一双面热阻网络模型以及以底面外壳为参考温度的第二双面热阻网络模型。与相关技术中的结温监测方法(如传感器接触测量、光学测量等)难以对压接IGBT芯片进行结温估计相比,本申请通过第一双面热阻网络模型和/或第二双面热阻网络模型,便可以实现对压接IGBT模块中的压接IGBT芯片进行有效地结温估计,降低了对IGBT芯片进行结温估计的测量难度。

    功率开关管的故障检测方法、电机系统及存储介质

    公开(公告)号:CN118914790A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410860298.7

    申请日:2024-06-28

    摘要: 本申请实施例提供了一种功率开关管的故障检测方法、电机系统及存储介质,属于电机技术领域。该方法在满足预设的故障检测启动条件的情况下,分别获取功率开关管电路输出的A相电流、B相电流以及C相电流的标幺值;根据A相电流、B相电流以及C相电流的标幺值,得到A相电流特征值、B相电流特征值以及C相电流特征值;根据A相电流特征值、B相电流特征值以及C相电流特征值,确定故障类型;根据故障类型、A相电流、B相电流以及C相电流,确定功率开关管电路中故障的开关管。本申请的功率开关管的故障检测与连接的负载大小与类型无关,在驱动小功率负载甚至空载时也能实现对功率开关关电路的开路故障检测,检测有效性和检测效率更高。

    一种探针卡转换器的制造方法

    公开(公告)号:CN118914626A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410698535.4

    申请日:2024-05-31

    IPC分类号: G01R3/00 G01R1/073 G01R31/26

    摘要: 本申请提供了一种探针卡转换器的制造方法,包括下述步骤:S1)制作陶瓷底板,在所述陶瓷底板的第一表面制作多个第一连接构件,陶瓷底板设有内部走线,所述陶瓷底板的内部走线被划分为多个单元,且多个单元之间相互电连通;S2)制作多个单site基板;S3)采用倒装贴片工艺,将多个所述单site基板贴装至陶瓷底板的第一表面,使各单site基板分别与对应的第一连接构件电气连接;S4)对陶瓷底板第一表面的各所述单site基板进行位置度检查;S5)在倒装贴片后的每个单site基板下点胶并固化。本申请的制造方法具有工艺周期短、生产效率高,生产灵活性高的优点。

    一种半导体器件测试方法、装置以及存储介质

    公开(公告)号:CN118884161A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202411096124.4

    申请日:2024-08-12

    发明人: 张泽华

    摘要: 本发明涉及半导体器件测试技术领域,公开了一种半导体器件测试方法、系统、设备及存储介质。本方法包括:获取历史器件测试数据和初始测试方案;基于所述历史器件测试数据,构建并训练模型,得到性能预测模型和器件参数特征;根据所述器件参数特征,利用自适应大邻域搜索模型进行处理,得到测试方案;基于所述性能预测模型对所述测试方案进行性能预测,得到预测数据,并根据所述预测数据确定最优测试方案,以根据所述最优测试方案进行器件测试。本方法有效减少了测试时间,提高了测试效率。