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公开(公告)号：CN118053455A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311073661.2
申请日：2023-08-24
申请人： 株式会社东芝
摘要： 提供能够导出适当的控制条件的数据处理装置、磁记录再现装置以及磁记录再现系统。根据实施方式，数据处理装置包括能够取得与磁记录再现装置的控制条件相关的部分数据的接口部、和能够对所述部分数据进行处理的处理部。所述处理部能够基于所述部分数据的特性，利用第1模型对所述部分数据进行处理来导出第1数据。所述第1数据的第1分辨率比所述部分数据的部分分辨率高。所述处理部能够基于所述特性，利用第2模型对所述部分数据进行处理来导出第2数据。所述第2模型与所述第1模型不同，所述第2数据的第2分辨率比所述部分分辨率高。
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公开(公告)号：CN117996560A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211333704.1
申请日：2022-10-28
申请人： 新科实业有限公司
IPC分类号： H01S5/0237 , H01S5/02375 , H01S5/0233 , G11B5/127 , G11B5/48
摘要： 激光二极管包括连接电极的电极焊盘层和其中形成所述电极焊盘层的外表面。电极焊盘层包括焊料接合焊盘部分和焊料接触防止部分。焊料接触防止部分由润湿性小的材料形成，所述润湿性小的材料的焊料润湿性小于所述焊料接合焊盘部分的焊料润湿性。焊料接合焊盘部分和焊料接触防止部分形成为使得焊盘高度大于防止高度，所述焊盘高度为从所述外表面到所述焊料接合焊盘部分的表面的高度，所述防止高度为从所述外表面到所述焊料接触防止部分的表面的高度。
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公开(公告)号：CN117995226A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311812463.3
申请日：2023-12-26
申请人： 江苏多维科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种写磁头、写磁头器件、写磁头制造方法以及充磁方法，其中，写磁头包括：第二晶圆，包括硅体以及分别位于硅体上表面和下表面的第一氧化层和第二氧化层；穿透硅体的磁极阵列，磁极写入端位于第二氧化层的上方，且正对一个Z桥臂；磁极支撑端被第一氧化层所环绕；磁极阵列为硬磁磁极阵列，硬磁磁极的磁矩为+Z方向或者‑Z方向；或者，磁极阵列为环绕有原线圈的软磁磁极阵列，直流电流通过原线圈并在软磁磁极中产生+Z方向或者‑Z方向磁矩；其中，写入时，磁极写入端在Z桥臂的钉扎层中产生包含Z向分量的直流写入磁场，从而使得钉扎层磁矩转向Z向分量的直流写入磁场方向。本发明具有结构简单、写入效率高、价格便宜等优点。
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公开(公告)号：CN117917732A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310990375.6
申请日：2023-08-08
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要： 提供能提高特性的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、导电部、元件部、第1端子、第2端子、第3端子以及第4端子。所述导电部与所述第1磁极及所述第2磁极电绝缘。所述第1端子及所述第2端子与所述导电部电连接。所述元件部设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，与所述第1磁极及所述第2磁极电连接，是导电性的。所述第3端子与所述第1磁极电连接。所述第4端子与所述第2磁极电连接。向所述第1端子与所述第2端子之间供给第1电流的第1状态下的所述第1磁极的第1磁极温度比所述第1状态下的所述第2磁极的第2磁极温度高。
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公开(公告)号：CN117765983A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311451230.5
申请日：2023-11-02
申请人： 超聚变数字技术有限公司
发明人： 陈宇
IPC分类号： G11B5/127
摘要： 本申请实施例提供一种用于机械硬盘的数据存储方法、机械硬盘及服务器。机械硬盘包括至少一个盘片和至少两个磁头。该方法中，机械硬盘获取写命令；其中，写命令包括待写入数据；若确定将待写入数据写入第一存储位置，且第一存储位置对应的磁头为热磁头，则确定第二存储位置；其中，第二存储位置对应的磁头为冷磁头，热磁头的磨损度大于冷磁头的磨损度；将待写入数据写入第二存储位置。该方法实现了磁头的磨损均衡，提高了机械硬盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN117746911A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310040331.7
申请日：2023-01-11
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 须藤大辅
摘要： 提供降低功耗的磁盘装置。实施方式涉及的磁盘装置具备：寻道控制部，决定头的动作加速度，生成与动作加速度对应的电流指示值，使头移动到目标轨道；和音圈马达(VCM)，基于电流指示值对头的动作进行控制，寻道控制部具备JIT寻道控制部和最快寻道控制部，最快寻道控制部使用在头的加速区间和减速区间中具有在能够施加的范围内VCM电流的绝对值为大的值的单调减少区间的、VCM的电流指示值或者头的动作加速度的第1时序数据，JIT寻道控制部使用在头的加速区间和减速区间的单调减少区间的至少任一区间中，设定具有比第1时序数据所具有的斜率的绝对值小的绝对值的斜率的、VCM的电流指示值或者头的动作加速度的第2时序数据。
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公开(公告)号：CN117711446A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202310017806.0
申请日：2023-01-06
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 野岛雄亮
摘要： 提供能够抑制磁头相对于磁盘的定位的稳定性下降的盘装置。一个实施方式的盘装置具备压电元件和挠性件。所述压电元件具有第1电极和第2电极。所述挠性件具有第1部分和接合有所述第2电极的第2部分。所述第1部分具有供所述第1电极接合的第1面。所述第2部分具有供磁头接合的第2面。所述磁头具有朝向所述第1面及所述第2面的第3面。所述第1面与所述第3面的第1方向上的端部相面对。所述第2面与所述第3面的第2方向上的端部相面对。所述第1面与所述第3面的所述第1方向上的端部之间的距离比所述第2面与所述第3面的所述第2方向上的端部之间的距离长。
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公开(公告)号：CN117594071A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211687385.4
申请日：2022-12-27
申请人： 株式会社 , 东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
发明人： 木村香里
IPC分类号： G11B5/127
摘要： 本发明提供抑制了劣化的磁头以及磁记录再现装置。根据实施方式，提供一种磁头，包括：主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与主磁极以空开写入间隙的方式设置，与主磁极一起构成磁回路；以及层叠体，其设置在主磁极与辅助磁极之间，能够从主磁极向辅助磁极通电，在该磁头中，层叠体包括在主磁极的与辅助磁极相对向的表面上依次设置的第1冷却层和第1导电层，第1冷却层的与通电方向垂直的截面积比所述主磁极的与通电方向垂直的截面积大，在通电时通过珀耳帖效应对主磁极进行冷却。
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公开(公告)号：CN114944169A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110680373.8
申请日：2021-06-18
申请人： 西部数据技术公司
发明人： 松本拓也
摘要： 本发明题为具有与波导相邻的光学反射屏蔽材料的热辅助磁记录(HAMR)头。本发明公开了一种热辅助磁记录(HAMR)头，该热辅助磁记录(HAMR)头具有气体轴承滑块，该气体轴承滑块支撑主磁极、近场换能器(NFT)和光学耦合到该NFT的波导。光学反射侧屏蔽件在该滑块的气体轴承表面(GBS)处与该波导的跨磁道侧相邻定位。这些侧屏蔽件还可与该NFT的跨磁道侧相邻定位，并且在沿磁道方向上延伸到写入头的磁返回极。这些侧屏蔽件的在该GBS处与该NFT相邻的部分之间的跨磁道间隙宽度可不同于这些侧屏蔽件的在该GBS处与该波导端部相邻的部分之间的跨磁道间隙宽度。
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公开(公告)号：CN114627905A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111503388.3
申请日：2021-12-09
申请人： 希捷科技有限公司
摘要： 本申请公开了记录头的衬底和封装层之间的散热层。一种记录头包括一个或多个换能器元件和电绝缘层，该电绝缘层封装一个或多个换能器元件。记录头还包括衬底，该衬底在电绝缘层下方。记录头进一步包括散热层，该散热层在电绝缘层和衬底之间。
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