公开(公告)号：CN118588118A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202311058923.8

申请日：2023-08-22

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 中川裕治 ,  高岸雅幸 ,  成田直幸 ,  前田知幸

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/127

摘要： 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。所述第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。

公开(公告)号：CN118588117A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202311058164.5

申请日：2023-08-22

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 中川裕治 ,  高岸雅幸 ,  成田直幸 ,  前田知幸 ,  长村燎 ,  永泽鹤美 ,  栗原幸佑

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/127

摘要： 本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的磁元件。所述磁元件包括第1磁性层～第5磁性层。在记录动作中施加于第1磁极与第2磁极之间的元件电压比第2正峰电压高。

公开(公告)号：CN118588116A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202311058096.2

申请日：2023-08-22

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 中川裕治 ,  长村燎 ,  高岸雅幸 ,  成田直幸 ,  前田知幸 ,  永泽鹤美 ,  栗原幸佑

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/127

摘要： 本公开提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于第1磁极与第2磁极之间的磁元件。磁元件包括第1磁性层～第5磁性层和第1非磁性层～第6非磁性层。第5磁性层包含Fe、Co及Ni中的至少一种、和从由Cr、V、Mn、Ti、N及Sc构成的组中选择出的至少一种第1元素。第5非磁性层包含从由Ru、Ir、Ta、Rh、Pd、Pt及W构成的组中选择出的至少一种。第6非磁性层包含从由Cu、Au、Cr、Al、V及Ag构成的组中选择出的至少一种。

公开(公告)号：CN114627905B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202111503388.3

申请日：2021-12-09

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： H·P·哈比比 ,  V·拉马斯瓦米 ,  R·H·安德瑞 ,  N·朱克曼 ,  F·A·麦金尼蒂 ,  G·A·巴蒂尼孔伐隆尼尔利 ,  M·L·麦加里 ,  J·G·韦塞尔 ,  P·G·利瓦伊

IPC分类号： G11B33/14 ,  G11B5/127

摘要： 本申请公开了记录头的衬底和封装层之间的散热层。一种记录头包括一个或多个换能器元件和电绝缘层，该电绝缘层封装一个或多个换能器元件。记录头还包括衬底，该衬底在电绝缘层下方。记录头进一步包括散热层，该散热层在电绝缘层和衬底之间。

公开(公告)号：CN118116413A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202310155810.3

申请日：2023-02-13

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 蒲贵友

IPC分类号： G11B5/008 ,  G11B5/127

摘要： 本公开的实施例提供了一种磁带存储装置、计算系统以及用于磁带存储装置的方法。该磁带存储装置包括：多个磁带组件，沿着第一方向排列，每个磁带组件包括第一卷轴和第二卷轴、以及在第一卷轴和第二卷轴之间卷动的磁带，第一卷轴和第二卷轴在第二方向上彼此相对，第二方向与第一方向相交；驱动部件，耦接到多个磁带组件，并且适于驱动多个磁带组件的磁带进行卷动；以及磁头部件，适于对多个磁带组件的磁带进行读取和写入。本公开的方案可以大幅减少磁带存储装置的寻址时长并且提高随机访问性能，从而使磁带存储装置适用于更多的应用场景。

公开(公告)号：CN117352016A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310801650.5

申请日：2023-07-03

申请人： 富士胶片株式会社

发明人： 石川廉

IPC分类号： G11B33/04 ,  G11B5/127

摘要： 本发明提供一种能够减少由卷绕于轮毂的磁带中所产生的不均匀的应力分布引起的磁带(T)宽度的不均匀的变形的带卷轴、磁带盒及磁带驱动器。带卷轴具有：圆筒形状的轮毂，卷绕有带；及加强部件，设置于轮毂的内周侧，加强部件具有沿着轮毂的中心轴方向具有长边方向的轴部件及沿着长边方向设置且具有从轴部件的外周面朝向轮毂的内周面扩展的圆环状的多个肋条，多个肋条包含设置于长边方向上的中央区域的第1肋条。

公开(公告)号：CN113838483B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110254477.2

申请日：2021-03-09

申请人： 西部数据技术公司

发明人： 刘小勇 ,  G·柏奥阿尔伯克基 ,  D·毛里 ,  Y·冈田

IPC分类号： G11B5/10 ,  G11B5/127

摘要： 本发明题为“具有平衡屏蔽件设计的读磁头传感器”。本公开总体涉及一种数据存储设备的读磁头。该读磁头包括夹在两个屏蔽件之间的读传感器。这些屏蔽件可具有不同材料以及不同数量的层。此外，这些屏蔽件可通过不同工艺制造并且具有不同高度和厚度。这些屏蔽件的厚度与高度的比率基本上相同，以确保饱和场基本上相同且平衡。

公开(公告)号：CN113724742B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202110273288.X

申请日：2021-03-15

申请人： 西部数据技术公司

发明人： Z·高 ,  S·岗村 ,  J·M·弗里塔格

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/11 ,  H10N52/00 ,  H10N50/10 ,  H10N52/80

摘要： 本公开的方面涉及自旋力矩振荡器(STO)和方法，例如在磁介质驱动器的写头中使用的自旋力矩振荡器。所述STO包含晶种层、自旋极化层(SPL)、间隔物层、场产生层(FGL)、罩盖层。插入层安置在所述STO内。所述插入层增加负Hk。所述插入层可位于所述FGL与所述罩盖层之间，以及所述FGL与所述间隔物层之间。对于反向STO，所述插入层可安置在所述FGL与所述晶种层之间，以及所述FGL与所述间隔物层之间。

公开(公告)号：CN113763993B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110210042.8

申请日：2021-02-25

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

发明人： 成田直幸 ,  高岸雅幸 ,  岩崎仁志 ,  前田知幸

IPC分类号： G11B5/127

摘要： 本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。

公开(公告)号：CN115527558A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210129014.8

申请日：2022-02-11

申请人： 西部数据技术公司

发明人： 乐广 ,  姜洪权 ,  黄承业 ,  高野久志

IPC分类号： G11B5/11 ,  G11B5/127

摘要： 本公开涉及用于例如磁带驱动器(例如，磁带机)的磁存储装置的读磁头设备，以及形成读磁头设备的方法。在一个实施方案中，用于磁存储装置的读磁头包含下屏蔽件、上屏蔽件、一条或多条下引线和多条上引线。所述读磁头包含多个读取传感器，所述多个读取传感器中的每个读取传感器包含第一反铁磁(AFM)层。所述读磁头包含安置在所述多个读取传感器之间以及所述多个读取传感器外部的多个软偏置侧屏蔽件。所述读磁头包含沿着下磁道方向安置在所述多个软偏置侧屏蔽件下方的多个第二AFM层。