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公开(公告)号：CN119581339A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411784858.1
申请日：2024-12-05
Applicant: 浙江创芯集成电路有限公司
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面和非功能面；在所述功能面表面形成功能层结构；获取所述晶圆的翘曲情况；根据所述翘曲情况，对所述非功能面表面进行至少一次应力中和处理，形成应力中和结构，所述应力中和结构包括至少一层应力层，所述应力中和处理包括：在所述非功能面表面形成初始应力层；对所述初始应力层进行应力增强处理，形成所述应力层。所述晶圆的翘曲情况得到改善。
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公开(公告)号：CN118231388B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410351786.5
申请日：2024-03-26
Applicant: 江苏凯嘉电子科技有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及芯片封装技术领域，具体为一种EMI屏蔽的晶圆级芯片的封装结构，包括：晶圆底板，晶圆底板内设置有晶圆芯片，晶圆芯片正面设置有锡球，晶圆芯片的背面设置有绝缘膜，绝缘膜的背面贴合有氧化硅层，氧化硅层的背面设置有屏蔽层；加强层包括筋网层和加固层加固层的背面贴合有加厚层，加厚层与屏蔽层的正面贴合；有益效果为：通过在晶圆底板的背面设置有绝缘膜，绝缘膜背面设置有氧化硅层，氧化硅层背面设置有屏蔽层，屏蔽层对整个晶圆形成覆盖屏蔽，减少封装中的杂散和辐射，屏蔽层由金属电镀制成，通过控制电镀厚度，可在屏蔽层背面形成凹陷部，以提高后续塑封时的封装强度和稳定性。
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公开(公告)号：CN119517890A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411438344.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 西安恒翔控制技术有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种通用BGA256封装组件，所述管壳为矩形板状结构；管壳上端面中心处开有矩形沉孔；矩形沉孔中心处又开有三级台阶式凹槽；三级台阶式凹槽最底层为粘片区；三级台阶式凹槽的每一级四周布设金手指，总计N个金手指；管壳下端面设置金属焊盘与外接PCB线路连接；所述陶瓷管壳内置十层电路，其中四层为布线层，布线层上下分别设置铺铜接地保护层；所述布线层将金手指与焊盘连接。
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公开(公告)号：CN119517863A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411660342.6
申请日：2024-11-20
Applicant: 马鞍山市槟城电子有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体结构及半导体结构的制备方法。该半导体结构包括：衬底；衬底的表面包括芯片单元；第一氧化层；第一氧化层位于衬底的一侧；掺氧多晶硅层；掺氧多晶硅层位于第一氧化层远离衬底的一侧；掺氧多晶硅层在衬底的投影面积小于第一氧化层在衬底的投影面积；氮化硅层；氮化硅层位于掺氧多晶硅层远离衬底的一侧；氮化硅层覆盖掺氧多晶硅层；第二氧化层；第二氧化层位于氮化硅层远离衬底的一侧；第二氧化层覆盖氮化硅层。本发明实施例的技术方案，通过在掺氧多晶硅层远离衬底的一侧设置氮化硅层和第二氧化层，且氮化硅层覆盖掺氧多晶硅层，第二氧化层覆盖氮化硅层，避免掺氧多晶硅层失效，提高半导体结构的良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN119219923B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411758089.8
申请日：2024-12-03
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一步法免溶剂制备的甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷及硅凝胶，甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷包括以下制备步骤：将八甲基环四硅氧烷、八苯基环四硅氧烷和二甲基端乙烯基硅油加入反应容器，搅拌均匀；对反应容器抽真空后通入氮气，形成无氧环境；对反应容器分步升温至180～200℃，且在50～80℃间加入催化剂；所述分步升温，包括在90℃以下的一段预聚反应和在大于90℃的二段聚合反应，制得甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷。通过甲基苯基端乙烯基聚硅氧烷与抑制剂、交联剂和交联催化剂混合、脱气、加热交联固化得到耐高温高压甲基苯基硅凝胶，能够满足大功率半导体器件对封装材料的耐高压、耐高温等性能要求，产品质量稳定且生产效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119447103A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411521115.5
申请日：2024-10-29
Applicant: 长电集成电路(绍兴)有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/482 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/50 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供第一载板，形成覆盖第一芯片、至少一个金属柱的塑封层；去除部分塑封层及部分半导体层，得到至少位于相邻电连接件之间的凹槽；至少于凹槽内形成覆盖电连接件顶面的介电层；至少去除部分介电层，至剩余介电层、电连接件及金属柱的顶面均相齐平；形成与金属柱、电连接件均电连接的第二线路层后，于第二线路层上形成第二载板；去除第一载板，暴露出用于与至少一第二芯片电连接的第一线路层。本申请实施例至少能够在确保封装后半导体结构的良率及可靠性不降低的情况下，提高封装体的线路承载能力。
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公开(公告)号：CN119060504B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411564813.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 武汉市三选科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芯片堆叠封装薄膜，其制备方法及应用，该芯片堆叠封装薄膜的原料包括：无机填充剂40~45质量份，聚醚改性环氧树脂22~25质量份，丙烯酸橡胶改性环氧树脂15~17质量份，CTBN改性环氧树脂5~15质量份，双酚F型环氧树脂10~12质量份，双酚F型苯并噁嗪10~15质量份，固化剂2~6质量份，促进剂0.4~0.8质量份。本发明芯片堆叠封装薄膜具有优异的柔韧性、流动性和硅片粘着力，以及低储能模量和低吸湿率，可应用于多芯片堆叠封装。
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公开(公告)号：CN119422241A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380048173.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Abstract: 保护围堤(114)可以释放在电动车辆或工业应用中使用的高功率半导体器件模块(100)的芯片组件(104)中的应力。结合了用于散热的铜间隔件(110b)的一些芯片组件(104)可能导致该器件模块(100)变得容易开裂。添加该保护围堤(114)可以吸收应力以防止损坏该芯片组件(104)周围的材料。提出了各种类型的保护围堤(114)，包括高轮廓柔性保护围堤(114a)、低轮廓柔性保护围堤(114b)、金属保护围堤(114c)和一体式保护围堤(114d)。该保护围堤(114)可以结合到该高功率半导体器件模块(100)中，该高功率半导体器件模块经由直接接合金属结构具有单侧或双侧冷却。
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公开(公告)号：CN119419180A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411417947.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 罗弘焜
Abstract: 本公开实施例提供了集成电路(IC)结构，IC结构包括：第一衬底，具有第一表面，第一表面具有沿第一方向的法线方向；第一IC芯片，接合至第一衬底；以及第二IC芯片，电连接至第一IC芯片。第一IC芯片和第二IC芯片密封在具有密封材料层的同一封装件中，并且密封材料层包括第一各向异性散热材料。第一各向异性散热材料是导热的，具有沿第一方向的第一热导率和沿垂直于第一方向的第二方向的第二热导率。第二热导率基本上大于第一热导率。本申请的实施例还涉及集成电路结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN119381390A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411566462.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京昕感科技有限责任公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/29 , H01L23/488
Abstract: 本申请公开了一种塑封模块的低杂散电感结构，包括衬板上的碳化硅芯片、负极端子、正极端子、AC端子以及塑封体，所述塑封体包裹所述碳化硅芯片、负极端子、正极端子以及AC端子，所述负极端子以及所述正极端子为叠层排布结构，所述正极端子通过绝缘粘接片与所述负极端子固定连接形成功率端子。通过将正负极端子叠层，最大化减小铜排间距，从而降低模块端的杂散电感；与模块对配的母线电容同样使用叠层结构，降低母线电容处的杂散电感。
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