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公开(公告)号：CN118983278A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411412701.6
申请日：2024-10-11
申请人： 甬矽半导体(宁波)有限公司
发明人： 何正鸿
摘要： 本申请涉及一种2.5D微凸块封装结构和2.5D微凸块封装结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该2.5D微凸块封装结构，包括基材、第一介质层、第一反射层、第二介质层、第二反射层、第一布线组合层、第二布线组合层以及导电凸块，在基材上依次设置第一介质层、第一反射层、第二介质层和第二反射层，通过开槽方式形成槽口后再制备第一布线组合层和第二布线组合层，最后制备形成导电凸块，由于第一反射层和第二反射层均采用了遮光材料，因此可以遮挡光线，在开槽过程中能够减缓光线在介质层中的反射以及衍射现象，提升开口精度，同时避免介质层由于反射或衍射造成表面存在凹坑的问题，提升了后续布线层的结合力。
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公开(公告)号：CN118978777A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411064108.7
申请日：2024-08-05
申请人： 上海芯密科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体密封橡胶组合物及其制备方法和应用，所述半导体密封橡胶组合物按重量份计，其制备原料包括：氟橡胶生胶80‑150份；填料5‑25份；硫化剂1‑1.4份；所述填料包括预处理的碳化硅，所述碳化硅中的氧元素的含量为10‑16％。通过本发明提供的一种半导体密封橡胶组合物及其制备方法和应用，能够提升半导体密封件的耐等离子和氢氟酸的腐蚀性能，且提高半导体密封件的力学性能。
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公开(公告)号：CN118969741A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411099627.7
申请日：2024-08-12
申请人： 英诺赛科(珠海)科技有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/495 , H01L23/49 , H01L23/31
摘要： 本发明公开了一种封装结构，包括：框架、待封装芯片和塑封层；其中，框架包括主体部和至少一个管脚，待封装芯片设置于主体部表面；塑封层设置于框架设置有待封装芯片的表面；塑封层与框架之间具有第一空腔，待封装芯片设置于第一空腔中；且塑封层填充于主体部和管脚之间的缝隙中。本发明避免了塑封层在短路测试时发生起火和熔化，提高了封装结构的安全性。
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公开(公告)号：CN118956309A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411022736.9
申请日：2024-07-29
申请人： 韦尔通科技股份有限公司
IPC分类号： C09J163/00 , C09J163/02 , C09J153/02 , C09J11/04 , H01L23/29
摘要： 本发明属于底部填充胶黏剂领域，具体涉及一种底部填充胶黏剂及其制备方法和应用。本发明提供的底部填充胶黏剂包括环氧树脂、增韧树脂、固化剂、填料以及任选的色粉；所述环氧树脂至少包括具有特定结构的改性多官能度环氧树脂。本发明的关键在于采用至少包括具有特定结构的改性多官能度环氧树脂的环氧树脂，同时与增韧树脂、固化剂、填料协同配合，由此得到的底部填充胶黏剂显著提高了胶体的均匀性以及固化后的交联度，减少点胶过程中的溢胶现象，提高底部填充胶黏剂的模量，从而能够满足各种封装应用的要求以及实现对有封装要求基材的良好保护。
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公开(公告)号：CN118955434A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411022733.5
申请日：2024-07-29
申请人： 韦尔通科技股份有限公司
IPC分类号： C07D303/24 , H01L23/29 , C09J163/00 , C09J163/02 , C09J11/04
摘要： 本发明属于有机胶黏剂领域，具体涉及一种改性多官能度环氧树脂及其制备方法和应用。本发明提供的改性多官能度环氧树脂具有如式(1)所示结构。本发明的关键在于提供了一种具有式(1)所示结构的改性多官能度环氧树脂，这种特定结构使得该改性多官能度环氧树脂固化后形成的固化物能够形成致密的三维网状结构，从而具有高模量，提高固化物的可靠性，实现对固化物所附着基材的有效保护，能够满足各种封装应用的要求，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118943121A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410454583.9
申请日：2024-04-16
申请人： 星科金朋私人有限公司
摘要： 本公开涉及制造具有预组装无源模块的扇出半导体封装的半导体器件和方法。一种半导体器件包括多个电气部件。第一密封剂沉积在多个电气部件之上以形成模块。该模块邻近半导体管芯设置。第二密封剂沉积在半导体管芯和模块之上。在第二密封剂、模块和半导体管芯之上形成堆积互连结构。
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公开(公告)号：CN118943009A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043105.5
申请日：2024-07-31
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/56 , H01L29/167 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种三维结构保形性硼掺杂方法及其应用，去除硅基三维衬底表面氧化层；在硅基三维衬底表面形成第一叠层薄膜；在第一叠层薄膜远离硅基三维衬底一侧的表面形成第二叠层薄膜；在第二叠层薄膜远离第一叠层薄膜一侧的表面沉积氧化铝钝化层；利用激光或快速退火将含氧化硼的硼杂质穿过辅助层推进到硅基三维衬底中，以对硅基三维衬底进行硼掺杂；其中，第一叠层薄膜为依次交错设置的氧化硅层和氧化硼层；第二叠层薄膜为依次交错设置的氧化铝层和氧化硼层。本发明不仅解决了等离子体增强ALD在三维结构沉积上存在阴影效应不能实现保形沉积的问题，而且消除了等离子体对器件的损伤等问题。
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公开(公告)号：CN118919504A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410997076.X
申请日：2024-07-24
申请人： 重庆大学
IPC分类号： H01L23/427 , H01L23/29
摘要： 本发明涉及一种采用相变材料灌封的车用功率模块，属于功率半导体器件技术领域。该模块包括外壳、集成散热器基板、覆铜板、开关单元、功率端子和信号端子。模块采用三相半桥结构，每一相的半桥电路集成在一块覆铜板上，三相覆铜板之间无电气连接。相变材料灌封在覆铜板和开关单元顶部，用于短时间内吸收和存储大量的热量，提高功率模块的短时过流能力和使用寿命。确保选择的相变材料在相变前后均为绝缘体，具有高介电强度、高闪点和燃点、无毒性和无腐蚀性。本发明有益效果包括提高短时过流能力，延长使用寿命，优化热管理性能，提高电气安全性，增强模块的可靠性，简化设计和制造过程，适应性强，适用于新能源汽车领域。
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公开(公告)号：CN118919497A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411018245.7
申请日：2024-07-29
申请人： 华天科技(昆山)电子有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/538 , H01L21/50
摘要： 本发明公开一种改善释放层耐化性的封装结构及封装方法，该封装方法包括以下步骤：在临时载片上制备释放层；将临时载片边缘的释放层移除，留出释放层空白区域，释放层空白区域在晶圆无效区域范围内；在释放层上制备钝化层，钝化层覆盖释放层和释放层空白区域，释放层与空气隔绝；在钝化层上构建重布线层；将集成电路晶粒安置在重布线层上并进行塑封，形成重组晶圆；对重组晶圆进行环切，切除临时载片边缘的封装体；剥离临时载片。本发明通过钝化层覆盖释放层和释放层空白区域，使释放层与外界隔绝，避免了释放层与化学试剂接触的可能性，显著提高了释放层的耐化性，有效保证了封装体的完成，解决了因释放层耐化性不足而造成重布线层不完整的缺陷。
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公开(公告)号：CN117637498B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311671341.7
申请日：2023-12-07
申请人： 韶关朗科半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种移动存储装置的封装工艺，属于移动存储装置的技术领域。所述封装工艺包括以下步骤：1)将控制器、电器元件和存储芯片通过树脂胶初步固定在基板上；2)将控制器、电器元件和存储芯片与基板之间通过锡膏进行焊接；3)在存储芯片、控制器、电器元件与基板的上表面之间焊接金线，并进行回流焊，得到半成品；4)检测半成品焊接情况，完成焊接的半成品进行H2测试；5)完成H2测试后进行外壳组装，对外壳的外表面进行镭雕后，进行封装，即完成加工。本发明通过对封装工艺的树脂胶配方进行优化，通过对填料进行改性，降低树脂材料体系的黏度，促进填料在体系中的分散性，进行显著提高了树脂胶的导热性能和剥离强度。
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