公开(公告)号：CN118248642A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202211662695.0

申请日：2022-12-23

申请人： 创意电子股份有限公司 ,  台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨昇帆 ,  林彥兆 ,  杨啓铭

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/42

摘要： 一种半导体封装装置包含一封装模块、一散热盖及一热界面材料层。封装模块包含一基板与一工作晶片，工作晶片焊设于基板的一面。散热盖包含一金属盖体、一容置槽及多个凸柱。金属盖体固定于基板的此面，且罩盖工作晶片。容置槽位于金属盖体面向工作晶片的一面，且容纳工作晶片，这些凸柱分别位于金属盖体上且间隔分布于容置槽内。容置槽的深度大于每个凸柱的高度，且容置槽的面积大于工作晶片的面积。热界面材料层，呈非固态状，位于容置槽内及凸柱之间，且包覆凸柱，并且直接接触工作晶片、金属盖体与凸柱。通过以上架构，本半导体封装装置能够提供良好的散热手段，使其有效提升散热性能，从而大大提高半导体封装模块的稳定性及产品寿命。

公开(公告)号：CN113199850B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202110018115.3

申请日：2021-01-07

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 玛蒂娜·卢卡 ,  克莱门斯·芬内布施 ,  斯特凡·霍普费

IPC分类号： B41F15/08 ,  B41F15/12 ,  B41M1/12 ,  H01L21/67 ,  H01L23/42

摘要： 本发明涉及将导热材料印刷到冷却装置或功率半导体模块上的设备，该冷却装置或功率半导体模块布置在保持装置中，该材料在室温下呈蜡质和膏状，且当将该材料加热到高于熔化温度时，该材料变为半流质，其中该材料被布置在存储容器中，借助于连接装置输送到涂敷装置，并且借助于该涂敷装置涂敷到模板的涂敷段上，其中该模板被构造为具有多个凹部的二维形体，并且刮板被构造用以通过从所述涂敷段开始移位来将该材料布置在所述凹部中，并且其中该设备具有至少一个加热装置，其被构造用以将以下部件中的至少一个暂时或永久地加热到高于熔化温度的方法温度：保持装置(如果存在的话)、存储容器、连接装置、涂敷装置、模板、刮板和表面。

公开(公告)号：CN117374110A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202210764645.7

申请日：2022-06-30

申请人： 华为技术有限公司

发明人： 武龙 ,  魏巍 ,  赵志华 ,  侯明辰 ,  苏帅 ,  张亚文

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L23/42

摘要： 本申请实施例提供一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括衬底、依次设置在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有源电极、栅电极和漏电极。还包括第一连接孔，且至少有源区内设置有第一连接孔，第一连接孔的宽度小于源电极或漏电极的宽度。第一连接孔的第一端延伸至衬底，第一连接孔的第二端依次贯穿成核层、缓冲层延伸至沟道层内部，不贯穿沟道层，第一连接孔内填充导热介质，通过第一连接孔及第一连接孔内的导热介质就将产热点沟道层和衬底直接连接，沟道层产生的热量能够通过导热介质直接传递至衬底实现散热，有效的提升了半导体器件的散热能力，且减小或避免了第一连接孔对器件性能的影响，提升了器件的可靠性。

公开(公告)号：CN112366189B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202011203622.6

申请日：2020-11-02

申请人： 富芯微电子有限公司

发明人： 王全 ,  邹有彪 ,  倪侠 ,  徐玉豹 ,  霍传猛

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H05K7/20

摘要： 本发明公开了一种温度自测控的运放芯片，包括上散热板、封装芯片以及下支撑组件，所述封装芯片包括上盖板和下保护架，所述下保护架的内腔填充有封装体，所述封装体的内腔胶合连接有芯片，所述芯片的表面胶合连接有导热膏，所述导热膏的表面与上盖板的底部贴合，所述上盖板的表面开设有导热槽；本发明涉及运放芯片技术领域。该温度自测控的运放芯片，在使用时，通过下支撑组件将封装芯片撑起，防止封装芯片直接与PCB板接触，有效隔绝了热量的输入，通过上散热板与上盖板之间的接触，将芯片工作时产生的热量传递出去，有效的将热量散发，底部防止热量输入，顶部将热量散出，可以有效防止封装芯片温度过高。

公开(公告)号：CN111164747B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201880060468.6

申请日：2018-09-04

申请人： 伊丽莎白女王在都柏林附近神圣不可分割的三一学院教务长、研究员、学者及董事会其他成员

发明人： A·J·罗宾逊 ,  R·卢波伊

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/42

摘要： 一种用于从半导体衬底散热的热结构具有半导体衬底，所述半导体衬底具有可以被粗糙化的外表面。通过冷喷涂工艺在所述外表面的顶部形成包括铝的任选基础层，并且通过冷喷涂铜和金刚石颗粒的粉末混合物在所述衬底上方和所述基础层(如果存在)上方形成包括铜和金刚石基质的顶层。由此，所述顶层形成为通过所述铜颗粒在与下层表面撞击时发生的变形而形成的铜基质，并且包括所述金刚石颗粒的分散相嵌入所述铜基质内。所得的结构具有高热导率和与所述衬底良好匹配的热膨胀系数，并且不需要热界面材料或热胶。

公开(公告)号：CN116759396A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202311072268.1

申请日：2023-08-24

申请人： 湖南大学

发明人： 杨鑫 ,  向籽蜓 ,  孙毅飞

IPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H10N10/13 ,  H10N19/00

摘要： 一种用于横向结构功率器件的自冷式热管理结构，包括热发电片、冷却层、微泵和流体管道，功率器件的热源与热发电片的热端连接，冷却层与热发电片的冷端连接，冷却层上设有冷却微通道，冷却微通道的流体进出口通过流体管道连接，微泵设于流体管道上，热发电片的引出电线连接到微泵，热发电片利用热源散发的热量进行发电，并将电能提供给微泵作为驱动力，流体管道、冷却微通道之间形成流体循环路径，流体通过微泵在流体管道、冷却微通道之间循环流动。本发明能实现高冷却效率，提高了整体散热效果，且无需外部能量驱动。

公开(公告)号：CN116569330A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180083695.2

申请日：2021-10-29

申请人： 西门子股份公司

发明人： M·海曼 ,  B·米勒 ,  M·普法伊费尔 ,  J·斯特罗吉斯 ,  K·威尔克

IPC分类号： H01L23/42

摘要： 在此给出一种设备(1)，其具有‑部件(100)、‑冷却体(200)和‑连接元件(300)，该连接元件布置在所述部件(100)和冷却体(200)之间并且将冷却体(200)热连接到部件(100)上，‑其中，连接元件(300)包括多孔连接体(310)，其中，连接体(310)的孔(311)至少部分地用填料(320)填充。此外还给出一种用于制造这种设备(1)的方法。

公开(公告)号：CN116325139A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180067363.5

申请日：2021-09-27

申请人： 福珞尔系统公司

发明人： A·S·亚拉马蒂 ,  P·萨蒂亚默西 ,  S·甘地 ,  S·R·马哈瓦佩迪 ,  V·穆坤丹

IPC分类号： H01L23/42

摘要： 描述了一种包括冷却元件和支承结构的系统。冷却元件具有第一侧和与第一侧相反的第二侧。冷却元件构造成当被致动时经历振动运动以将流体从第一侧驱动到第二侧。支承结构经由热传导将冷却元件热联接到发热结构。

公开(公告)号：CN106952998B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201710211071.X

申请日：2017-03-31

申请人： 华南理工大学

发明人： 李宗涛 ,  汤勇 ,  丁鑫锐 ,  庄宝山 ,  万珍平 ,  余树东

IPC分类号： H01L33/64 ,  H01L23/42 ,  H01L23/427

摘要： 本发明公开了一种应用于LED器件的复合相变热柱及其制备方法。复合相变热柱包括外管壳（1）、内管壳（2）、LED器件底座（3）、外端盖（5）、内端盖（6）、注液管（7）、固固相变模块（8）和毛细吸液芯（9）。该制备方法包括步骤：（1）内管壳、外管壳、LED器件底座、内端盖和外端盖的加工；（2）毛细吸液芯和纤维毡的制备；（3）灌注与封装。本发明热柱可总体降低LED器件的工作温度，可应对大的热流变化，并且，若是外管壳连通散热翅片的，亦可有利益于热量往外部的导通，整体维持LED器件的在较低温度的平衡，提高LED器件的工作性能和工作寿命；并且，本发明制备方法工艺流程简单可靠，成本低。

公开(公告)号：CN114220784B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202111534381.8

申请日：2022-01-19

申请人： 北京智芯传感科技有限公司

发明人： 张威 ,  张良 ,  周浩楠

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/49 ,  H01L23/42 ,  H01L23/16 ,  F42C19/12

摘要： 本发明提供了一种高安全性电底火用封装器件，涉及火工品封装领域。一种高安全性电底火用封装器件，包括：换能元芯片位于承载板上，换能元正极与大面积焊盘焊接，换能元负极与小面积焊盘焊接，大面积焊盘联通热沉设计，加大散热效果，上电极设计的盲孔处增加了相变预留室，可以利用焊料相变吸收的能量进一步提高电热安全性。相变预留室处的锯齿结构可以提高封装器件的防静电性能。本发明的封装器件解决了火工品换能元芯片在底火的装配一致性差和安全电流较低的问题，保护了引线，提高了火工品的加工精度、安全性和可靠性。封装之后的电底火可进行自动化批量生产。