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公开(公告)号：CN117007219A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310698679.5
申请日：2023-06-13
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种倒装式力传感器阵列，包括阵列式MEMS力传感器和柔性电路板。阵列式MEMS力传感器由m×n个MEMS力传感器组成，其中m≥1，n≥1；MEMS力传感器，选用十字梁结构，由力感应薄膜、惠斯通敏感电桥、框架和电极组成，力感应薄膜位于十字梁中心位置，惠斯通敏感电桥由四个电阻条组成，电阻条方式一致，分别位于十字梁应力最大区域内。四个电极由硅片刻蚀而成，分布在框架的四个直角位置；柔性电路板上分布m×n个MEMS力传感器封装焊盘，每个封装焊盘包括四个pad和一个凸点，凸点位于封装焊盘的中心位置。被测力通过柔性板上金属凸点直接传递至MEMS力传感器敏感区，实现压力的精确测量。
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公开(公告)号：CN116973597A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310556197.6
申请日：2023-05-17
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高频响高灵敏度的压阻式加速度传感器，包括上盖、支撑框架、敏感梁、质量块、压敏电阻和下盖。该结构设置四个敏感梁分别位于质量块的四个角，所述敏感梁短而宽，两端采用非对称结构，具体包括T形和Y形，其中短边连接质量块，长边连接支撑框架，敏感梁的两端中部分别布置一个压敏电阻，八个压敏电阻构成惠斯通全桥电路，保证结构一阶固有频率较高的同时灵敏度有大幅提升，由于压阻条的排布，该结构可承受更高的横向冲击，降低了器件的横向灵敏度。
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公开(公告)号：CN116539961B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310827348.7
申请日：2023-07-07
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于热瞬态测试的MEMS换能元性能检测方法。步骤如下：测试MEMS换能元电阻率随温度的变化；常温下测试MEMS换能元的热瞬态检测；基线漂移的纠正；电信号时域处理；装配做功对象热瞬态检测B；差值C的分布正态性检验；升降法确认MEMS换能元敏感度；贝叶斯估计‑后验分布；热瞬态贝叶斯模型验证，确定正确性。区别于传统的火工品检测办法，该方法考虑了MEMS换能元的自身电热特性和桥药界面的热阻，从系统体系上完善了MEMS火工品的电热特征变化，此外，引入了贝叶斯估计完善了热瞬态与点火结果的概率模型，可以表征热瞬态对实际点火时间的影响概率。
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公开(公告)号：CN116576927A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310523740.2
申请日：2023-05-10
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种挡板自切换式流量计，包括切换挡板、分流管、流量模组Ⅰ和流量模组Ⅱ；切换挡板由活动件、固定件、轴承组成，活动件与固定件通过轴承连接，分流管是口径相同的三通管，切换挡板内置于分流管其中一个口径内，分流管与主管路、流量模组Ⅰ和流量模组Ⅱ相连接；流量模组Ⅰ流量模组Ⅱ与由管道、节流件、MEMS压力传感器和信号接口构成。MEMS压力传感器分别置于节流件的中心位置，感应管道内的压力变化，并将压力差信号转换为流量信号；两个节流件上分布孔径大小不同的通孔，防止压损过大，提升MEMS压力传感器的分辨力。与现有的流量计相比，具有压损小、功耗低、精度高和体积小的优势。
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公开(公告)号：CN116539961A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310827348.7
申请日：2023-07-07
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于热瞬态测试的MEMS换能元性能检测方法。步骤如下：测试MEMS换能元电阻率随温度的变化；常温下测试MEMS换能元的热瞬态检测；基线漂移的纠正；电信号时域处理；装配做功对象热瞬态检测B；差值C的分布正态性检验；升降法确认MEMS换能元敏感度；贝叶斯估计‑后验分布；热瞬态贝叶斯模型验证，确定正确性。区别于传统的火工品检测办法，该方法考虑了MEMS换能元的自身电热特性和桥药界面的热阻，从系统体系上完善了MEMS火工品的电热特征变化，此外，引入了贝叶斯估计完善了热瞬态与点火结果的概率模型，可以表征热瞬态对实际点火时间的影响概率。
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公开(公告)号：CN115183633A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210798559.8
申请日：2022-07-08
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种高瞬发度可反应复合薄膜换能元。本发明的高瞬发度可反应复合薄膜换能元，由下向上依次包括基底、绝缘层、单晶硅桥、粘附层、金属焊盘、隔离层、可反应复合薄膜，所述基底的上表面有绝缘层，绝缘层上表面为单晶硅层，单晶硅层的中间部分刻蚀形成单晶硅桥，单晶硅桥两侧的金属硅层上表面均设置粘附层和金属焊盘，金属焊盘、单晶硅桥的上方覆盖隔离层，隔离层上方沉积可变调制周期的可反应复合薄膜。本发明通过控制可反应复合薄膜的调制周期的厚度变化实现可反应复合薄膜的能量逐级释放，通过隔离层的厚度设计可以使单晶硅桥的热转换积聚，最终提升可反应复合薄膜的化学反应速率，实现点火功能的高瞬发度特性。
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公开(公告)号：CN114325350A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210249868.X
申请日：2022-03-15
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明提出一种小型MEMS传感器测试设备和测试方法。MEMS传感器测试设备包括：器件工装、探针板组件及气缸组件，所述器件工装上设有标定孔、方向标记和应力感应器件，所述探针板组件包括多个探针以及探针定位工装，所述探针定位工装上开设有探针定位孔，所述探针定位孔的位置与所述器件工装上小型MEMS传感器的引脚（PIN脚）以及所述信号引出电路板中的焊盘位置相对应。本发明实现超小引脚间距MEMS传感器的测试，并减小探针与MEMS传感器引脚的接触力，减小MEMS传感器所受应力，提高测试精度。
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公开(公告)号：CN116576927B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310523740.2
申请日：2023-05-10
申请人： 北京智芯传感科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种挡板自切换式流量计，包括切换挡板、分流管、流量模组Ⅰ和流量模组Ⅱ；切换挡板由活动件、固定件、轴承组成，活动件与固定件通过轴承连接，分流管是口径相同的三通管，切换挡板内置于分流管其中一个口径内，分流管与主管路、流量模组Ⅰ和流量模组Ⅱ相连接；流量模组Ⅰ流量模组Ⅱ与由管道、节流件、MEMS压力传感器和信号接口构成。MEMS压力传感器分别置于节流件的中心位置，感应管道内的压力变化，并将压力差信号转换为流量信号；两个节流件上分布孔径大小不同的通孔，防止压损过大，提升MEMS压力传感器的分辨力。与现有的流量计相比，具有压损小、功耗低、精度高和体积小的优势。
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公开(公告)号：CN117598663A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311586181.6
申请日：2023-11-24
申请人： 北京智芯传感科技有限公司 , 北京协同创新研究院
摘要： 本发明提供了一种力传感器，包括MEMS力感应芯片、开口封外壳、金属球和柔性电路板；其中MEMS力感应芯片内置于开口封外壳内，力敏感区外露于开口位置；柔性电路板上分布有弹簧结构和焊盘，焊盘位于柔性电路板中心位置，与弹簧结构相连接；金属球通过焊锡与焊盘连接。施加外力时，柔性电路板弹簧结构拉伸，中心焊盘带动金属球发生位移变化，金属球与MEMS力敏感区接触引起敏感区内电阻发生变化，最终导致输出电压的变化。采用柔性弹簧结构加金属球组合的方式实现力的传导，避免了上述情况的发生，最重要地，在保证用户舒适性地基础上，提升了监测信号地测试精度。
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公开(公告)号：CN117297569A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311581875.0
申请日：2023-11-24
申请人： 北京智芯传感科技有限公司 , 北京协同创新研究院
摘要： 本发明提供了一种带有力传导结构的力传感器芯片及其制备方法，包括:力传导结构，薄膜结构和衬底结构。所述力传导结构位于整个结构的上方，由力的感知端、弹簧、力的施加端及固定端组成；所述薄膜结构位于整个结构的中间，由悬臂梁、夹缝和电极引出接口组成；所述衬底结构位于整个结构的下方，由空腔结构和衬底固定端组成。本发明的力传感器在芯片内部集成了力传导结构，可直接感受外界力信号，无需外加媒介进行力的传导，便于后续封装。同时，通过工艺制作的力传导结构，确保了力的施加端可以精准定位向悬臂梁的尖端施加力信号，提高了传感器性能的稳定性，使其具有易集成封装、施力点定位精准、线性度好、灵敏度高、体积小等特点。
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