公开(公告)号：CN110957980B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201811128537.0

申请日：2018-09-27

申请人： 天津大学青岛海洋技术研究院

发明人： 马建国 ,  李旭光 ,  周绍华 ,  赵升 ,  杨自凯 ,  杨闯 ,  张蕾 ,  李昭

IPC分类号： H03B5/00 ,  H04B1/44

摘要： 一种基于SiGe工艺的毫米波有源正交信号发生器，将正交发生结构嵌套进放大电路中，目的是为了在产生正交信号的基础上避免由发生器而引入较大的插入损耗，从而提升正交信号幅值。此方法可以用于毫米波相控阵系统中的矢量求和移相器中，提高系统链路中信号摆幅。

公开(公告)号：CN114157239A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202010943869.5

申请日：2020-09-08

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 季汝敏 ,  许海宁

IPC分类号： H03B5/00 ,  H03L7/099

摘要： 本公开提供一种振荡电路，包括：恒定电压提供模块，用于输出恒定电压；恒定电流提供模块，用于输出恒定电流；振荡模块，连接所述恒定电压提供模块和所述恒定电流提供模块，用于根据所述恒定电压和所述恒定电流产生预设频率的振荡信号。本公开实施例可以提供不受温度影响的稳定的振荡信号。

公开(公告)号：CN106575943B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201580042665.1

申请日：2015-06-19

申请人： 安施天线公司

发明人： 法博德·阿兰姆

IPC分类号： H03B5/12 ,  H03B1/04 ,  H03B5/00

摘要： 公开了有源设备和与该有源设备使用的电路。在一方面，有源设备包括n型晶体管和p型晶体管，该n型晶体管具有漏极、栅极和基极，该p型晶体管具有漏极、栅极和基极。n型晶体管和p型晶体管包括共源极。该设备包括耦合在n型晶体管的栅极和p型晶体管的栅极之间的第一电容器、耦合在n型晶体管的漏极和p型晶体管的漏极之间的第二电容器和耦合在n型晶体管的基极和p型晶体管的基极之间的第三电容器。该有源设备具有高的击穿电压、是无记忆的并陷获偶次谐波信号。

公开(公告)号：CN101388644B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200810171472.8

申请日：2008-08-28

申请人： 精工电子有限公司

发明人： 有山稔

IPC分类号： H03B5/00

CPC分类号： H03K3/0315 ,  G06F1/08 ,  H03K3/354 ,  H03K5/133 ,  H03K2005/0013

摘要： 提供一种可变频振荡电路，其电路规模小且不会使半导体装置误动作。由于使用一个振荡电路(3)，不会增大电路规模。在频率控制信号(SF)切换、恒定电流(I2～I3)各自切换、恒定电流(I2～I3)中发生阻尼振荡时，脉冲信号(SP)在阻尼振荡发生期间成为高电平并输入到振荡电路(3)，根据该脉冲信号(SP)而从振荡电路(3)输出的时钟信号(CLK)被固定于低电平，使振荡电路(3)不进行通常的振荡动作，因此不会发生不想要频率的时钟信号。

公开(公告)号：CN102422525A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080019966.X

申请日：2010-05-07

申请人： 高通股份有限公司

发明人： 西尔万·M·科兰 ,  朴俊漾 ,  马尔奇奥·佩德拉里-诺伊

IPC分类号： H03B5/00 ,  H03K4/502

CPC分类号： H03K4/502 ,  H03B5/20 ,  H03B2202/022

摘要： 本发明揭示一种振荡器。所述振荡器包括第一电容器。所述振荡器还包括第二电容器。所述振荡器进一步包括第一电流源。所述振荡器还包括第二电流源。所述振荡器进一步包括具有第一输入及第二输入的比较器。所述振荡器还包括参考节点。所述振荡器进一步包括控制器，所述控制器经配置以在第一时间周期期间选择性地将所述第一电流源耦合到所述第一电容器及将所述第二电流源耦合到所述参考节点。

公开(公告)号：CN100594662C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200580005309.9

申请日：2005-01-13

申请人： GCT半导体公司

发明人： 李康润 ,  具利度 ,  李正雨 ,  朴畯培 ,  李庆浩

IPC分类号： H03B5/00

CPC分类号： H03L7/085 ,  H03L7/099 ,  H03L7/1976 ,  H03L7/199

摘要： 本发明公开了用于LC振荡器的调谐方法和装置。本发明的实施例包括适应地控制位比较时间，以便提供最小的粗调谐时间。该位比较时间与LC振荡器的电容器阵列中相应加权电容器的冗余量成反比。

公开(公告)号：CN101143707A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710134456.7

申请日：2007-10-23

申请人： 南京航空航天大学

发明人： 郭万林 ,  台国安 ,  戴意涛 ,  咸小刚

IPC分类号： B82B1/00 ,  H03B5/00 ,  H03H9/00

摘要： 一种超高频纳米振荡器，属纳米振荡器，该振荡器由碳纳米管(1)固定端固定连接于电源正极，碳纳米管(1)自由端接近于电源负极相连的负电极(3)，其间隙为碳纳米管长度的10％以内。当正负极间施加电压时，碳纳米管自由端与负电极之间产生强电场引起碳纳米管的电致伸长，可达10％，使碳纳米管与负电极之间的间隙减小直至产生隧穿电流。此时，其间的电场强度因电流导通而消失，碳纳米管在弹性应变能作用下缩回，其与负电极间距增大，隧穿电流消失，电场随之增强，碳纳米管又电致伸长。碳纳米管交替经历电致伸长和弹性收缩，其频率随碳纳米管长度减小而升高，在纳米尺度的长度范围内，可达上百GHz到数THz。结构简单，可实现THz可控振荡。

公开(公告)号：CN1622448A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095093.7

申请日：2004-11-23

申请人： 阿尔卑斯电气株式会社

发明人： 能味浩树 ,  五十岚康博

IPC分类号： H03B5/00

CPC分类号： H01P7/084 ,  H03B5/1841 ,  H05K1/0237 ,  H05K1/0253 ,  H05K1/0298 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/0969

摘要： 本发明的压控振荡器，包含：由多个绝缘基板(2)层叠形成的电路基板(1)；在该电路基板(1)的表面形成的布线图案(3)；在电路基板(1)上面搭载的电子部件(8)；设置在电路基板(1)内层的谐振用带状线(5)；在位于布线图案(3)和带状线(5)之间的电路基板(1)的内层形成的接地用图案(7)，通过接地用图案(7)的导体削除部(7a)相对于含有带状线(5)的电流密度高的部分的附近，减少电感和Q值的降低，而且，带状线(5)，其一部分与布线图案(3)之间被接地用图案(7)屏蔽，其结果，得到屏蔽特性良好的压控振荡器。提供了一种使带状线和布线图案之间的屏蔽特性良好，并电感和Q值降低少的压控振荡器。

公开(公告)号：CN1160847C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN01119939.3

申请日：2001-07-02

申请人： 云辰电子开发股份有限公司

发明人： 高永华

IPC分类号： H03B5/00 ,  H03B5/08 ,  H03B5/12

摘要： 一种射频(RF)振荡器，其中包含一负载电路、一匹配电路、第一反馈电路、第二反馈电路及一振荡电路，本发明的RF电路采用多重反馈，以增加电路的振荡稳定性，使工作电压在一定的降压时，仍能正常的工作；另本发明于振荡电路的控制下，在增强主波的强度时，可将电路所产生的谐波控制在一合理的要求范围内。

公开(公告)号：CN1484375A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03154309.X

申请日：2003-08-14

申请人： 富士通媒体器件株式会社

发明人： 松尾信昭

IPC分类号： H03B5/00

摘要： 本发明实现可以在几个GHz以上的高频产生振荡而且可以在广范围改变振荡频率的振荡器。在具有共振电路(100)和与它连接的反馈电路(200)的振荡器中，上述共振电路包含串联共振电路(34、41)，并且是可以从上述振荡器外部控制决定振荡频率的至少两个参数(Vcont1、Vcont2)的结构。通过这样的结构，可以实现能够在几个GHz，例如3GHz以上的高频产生振荡，而且可以在广范围内使振荡频率变化的振荡器。