公开(公告)号：CN118921049A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410933236.4

申请日：2024-07-12

申请人： 天津津航计算技术研究所

发明人： 杨新璇 ,  孙金武

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/74 ,  H03K17/687

摘要： 本申请提供了一种防反流滞环控制电路及防反流二极管，应用于防反流二极管，该电路包括：开关电路、反流检测电路、滞环控制电路，滞环控制电路包括第二开关元件；若反流检测电路中的第一检测端的电压大于第二检测端的电压，则第一开关元件截止、第二开关元件截止，开关电路处于导通状态；若第一检测端的电压小于第二检测端的电压，则第一开关元件导通、第二开关元件导通以及开关电路处于截止状态。在电子电气设备电源输入端反接的情况下，有效的防止了开关电路反流，灵敏度高，延迟小，可靠性高。该电路无需使用外部隔离驱动电源供电，以及使用专用驱动芯片对开关电路进行控制，结构简单，器件易生产，成本低。

公开(公告)号：CN118826715A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410849967.0

申请日：2024-06-27

申请人： 贵阳航空电机有限公司

发明人： 张李 ,  徐健 ,  李姜

IPC分类号： H03K17/081 ,  H02H9/02 ,  H02H9/04 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687

摘要： 本发明公开了一种高压固态功率控制器软启动电路，包括主功率管、第一MOS管、第二MOS管和副功率管，该主功率管上并联副功率管；所述副功率管通过电阻R6与第一MOS管的栅极连接，第一MOS管的漏极接入输入功率电；所述主功率管通过电阻R2与第二MOS管的栅极连接，该第二MOS管的栅极与源极之间并联有电阻R4、电阻R5和电阻R3，电阻R4、电阻R5和电阻R3的公共连接端连接输出负载设备；本发明能够在开启时先开启副功率管再开启主功率管，使得功率电路开启时呈阶梯开启模式，功率电路中无冲击尖峰，实现了启动冲击抑制功能，满足软件可控制启动时间间隔硬件条件以及各特性负载带载启动需求。

公开(公告)号：CN118801864A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311806911.9

申请日：2023-12-26

申请人： 苏州桦汉科技有限公司

发明人： 孔俊

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/785

摘要： 本发明公开了一种隔离DO的PNP模式和NPN模式的自动切换电路，涉及工业电路控制技术领域。本发明包括:隔离输出电路、光耦U7，所述光耦U7的输入端与隔离输出电路的输出端电性连接，所述光耦U7的输出端分别与PNP和NPN的输出端电性连接，且光耦U7的输出端与PNP的输出端相连时，实现PNP模式，光耦U7的输出端与NPN的输出端相连时，实现NPN模式；比较器电路，用于检测光耦U7输出信号的状态。本发明能够实现PNP模式和NPN模式的自动切换，无需手动干预或购置转换板，大大简化了操作流程，提高了工作效率，同时，通过光耦和比较器电路的设计，避免了在切换过程中可能导致共同导通而烧毁的风险，提供了更安全可靠的输出保护。

公开(公告)号：CN118694348A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310288906.7

申请日：2023-03-21

申请人： 中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司

发明人： 谢瑞 ,  吕亚博 ,  林斌 ,  徐鸥洋 ,  徐晗 ,  郦洪柯 ,  王霄鹤 ,  陈雨薇 ,  陈晴 ,  辛振 ,  陈建良 ,  任国华

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/567

摘要： 本发明提供了一种单驱动控制串联IGBT三相整流桥式交流固态断路器，包括单驱动电路、三相整流桥、三相电源和负载；所述单驱动电路为带有IGBT栅驱动器驱动的IGBT全控型器件单驱动电路，所述IGBT全控型器件的单驱动电路中各组IGBT全控型器件之间串行联接，通过三相整流桥与三相电源和负载连接；本发明的有益效果：使固态断路器的建设成本、体积及损耗被大幅降低，保证器件的膏开关速度，降低器件串联结构固态断路器的成本及系统的复杂性，该结构利于简化控制，具有体积小、成本低的优势。

公开(公告)号：CN118487582A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410696693.6

申请日：2024-05-31

申请人： 忱芯科技(上海)有限公司

发明人： 贺伟龙 ,  汪锐 ,  毛赛君 ,  刘弘耀

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/687

摘要： 本发明公开了一种MOS管的短路保护电路及其控制方法，该MOS管的短路保护电路包括电流采样电路、控制器和关断电阻电路；电流采样电路分别与MOS管的开尔文源极和功率源极电连接，用于采集流经开尔文源极与功率源极之间的电流信号，并根据电流信号输出采样信号；控制器包括采样输入端、栅极驱动端和至少一个电阻控制端；关断电阻电路分别与栅极驱动端、电阻控制端、以及MOS管的栅极电连接；采样输入端与电流采样电路电连接；控制器用于根据采样输入端输入的采样信号控制栅极驱动端输出的栅极驱动信号，以及根据采样信号控制电阻控制端输出的电阻控制信号；关断电阻电路用于根据电阻控制信号，控制MOS管的栅极与栅极驱动端之间的关断电阻值。

公开(公告)号：CN118399939A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410815116.4

申请日：2024-06-24

申请人： 广东工业大学

发明人： 张志浩 ,  程炜 ,  陈梓雅 ,  章国豪

IPC分类号： H03K17/081

摘要： 本发明公开了一种射频开关ESD保护结构，该结构包括：第一电容、第一钳位ESD保护单元、TX串联开关、RX串联开关、第二电容、第二钳位ESD保护单元、第三电容、第三钳位ESD保护单元、TX并联开关、RX并联开关、第四电容和第五电容，第一电容的第一端、第一钳位ESD保护单元的第一端、TX串联开关的第一端和RX串联开关的第一端相连；TX串联开关的第二端、第二电容的第一端、第二钳位ESD保护单元的第一端和TX并联开关的第一端相连。通过使用本发明，能够解决现有射频开关ESD保护结构中会导致芯片尺寸大和成本高的技术问题。本发明可广泛应用于射频集成电路技术领域。

公开(公告)号：CN117879560B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311788565.6

申请日：2023-12-22

申请人： 无锡市稳先微电子有限公司

发明人： 宋利军 ,  宋朋亮

IPC分类号： H03K17/081 ,  H02J7/00 ,  H02H9/04

摘要： 本申请提供一种防浪涌的智能电子开关，包括：防浪涌保护电路，其包括：第一泄放开关和泄放控制模块，第一泄放开关的第一端与电源供电端连接，其第二端与电源接地端连接，其控制端与泄放控制模块连接；泄放控制模块分别与电源供电端、电源接地端连接，当电源供电端接收到浪涌时泄放控制模块控制第一泄放开关开启导通；第一温度检测电路，其包括第一温度检测单元，第一温度检测单元邻近第一泄放开关设置或者嵌入第一泄放开关中，第一温度检测单元用于检测第一泄放开关处的温度，当第一温度检测电路获得第一泄放开关的温度大于或等于第一阈值温度时，第一泄放开关被控制断开截止。本申请实施例还提供一种集成电路芯片、芯片产品和电子设备。

公开(公告)号：CN118353433A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410560272.0

申请日：2024-05-08

申请人： 江苏谷泰微电子有限公司

发明人： 胡伟波 ,  石方敏

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/14 ,  H03K17/081 ,  H03K17/08

摘要： 本发明公开了分补复合开关电路，包括MOS管MOSH、MOSL、EL器件和两个IR2110芯片，所述MOSH的栅极分别通过二极管D2、电阻R5、R3与右侧所述IR2110芯片连接，所述MOSH的漏极连接有可控硅SCRH、电容C3，所述MOSH的源极与MOSL的漏极连接，所述MOSL的栅极分别通过电阻R6、R4与右侧所述IR2110芯片连接，本发明利用单向可控硅作为开关器件承担容性负载充放电的瞬时大电流，通过与MOS管并联实现关断，由此提高开关电路的可靠性，且驱动这类容性负载满足大瞬时功率要求的开关电源，在雷达、电子对抗等系统中也得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN118353432A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202310061061.8

申请日：2023-01-16

申请人： 瑞昱半导体股份有限公司

发明人： 宋亚轩

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K19/0185 ,  H03K17/081

摘要： 本公开公开了一种开关电路。开关电路具有输入端、输出端及控制端，并且包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、电阻器及下拉电路。第一晶体管具有第一端、第二端及第一控制端。第二晶体管具有第三端、第四端及第二控制端。第三晶体管具有第五端、第六端及第三控制端。第四晶体管具有第七端、第八端及第四控制端。电阻器具有第九端及第十端。控制端耦合第一控制端及第四控制端。第一端及第三端耦合输入端。第二端及第六端耦合输出端。第四端耦合第五端及第九端。第七端耦合第十端、第二控制端及第三控制端。第八端耦合参考电压。

公开(公告)号：CN118316427A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410743094.5

申请日：2024-06-11

申请人： 上海芯炽科技集团有限公司

发明人： 程剑平 ,  吴光林

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/10 ,  H03K19/0185 ,  H03K19/003

摘要： 本发明公开一种超压保护的模拟开关电路，属于集成电路领域，由PMOS管MP1~MP9、NMOS管MN1~MN7、电阻R2、R3、R0a、R0b、R1a、R1b、四个电阻Resd及电平转换器构成。本发明是一种用3.3V CMOS工艺实现5V信号的传送的CMOS模拟开关。而3.3V CMOS管最大工作电压为3.3V，如果采用简单的CMOS开关电路，当PAD_A/PAD_B为高压5V时，会超过CMOS的工作电压，从而会导致CMOS管被烧毁。为了保护开关管MP3/MN3不会过压烧毁，引入了过压保护电路，过压保护电路在保护自身不超压的情况下同时对CMOS开关管进行了过压保护。过压保护考虑到了两种工作状态情况，即当PAD_A/PAD_B有5V信号，VDD33有电和没有电两种情况，电路对这两种情况均可进行过压保护。