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    Methods of forming semiconductor devices including mesa structures and multiple passivation layers and related devices
    1.
    发明公开
    Methods of forming semiconductor devices including mesa structures and multiple passivation layers and related devices 有权
    一种生产具有台面结构和多个钝化层的半导体器件过程

    公开(公告)号：EP1830416A2

    公开(公告)日：2007-09-05

    申请号：EP06124077.6

    申请日：2003-12-18

    申请人： Cree Inc.

    发明人： Haberern, Kevin W ,  Rosado, Raymond ,  Bergmann, Michael J ,  Emerson, David T

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/323

    CPC分类号： H01L33/145 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

    摘要： A method of forming a semiconductor device may include forming a semiconductor structure (14) on a substrate (12) wherein the semiconductor structure (14) defines a mesa (20) having a mesa surface (20A) opposite the substrate (12) and mesa sidewalls between the mesa surface and the substrate. A first passivation layer (30) can be formed on at least portions of the mesa sidewalls and on the substrate (12) adjacent the mesa sidewalls wherein at least a portion of the mesa surface (20A) is free of the first passivation layer (30) and wherein the first passivation layer (30) comprises a first material. A second passivation layer (40) can be formed on the first passivation layer (30) wherein at least a portion of the mesa surface (20A) is free of the second passivation layer (40), and wherein the second passivation layer (40) comprises a second material different than the first material. Related devices are also discussed.

    摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法可以包括形成具有台面表面（20A）的基片相反的（12）和台面上的衬底的半导体结构（14）（12）worin所述半导体结构（14）定义的台面（20） 台面表面和基片之间的侧壁。 第一钝化层（30）可以在台面侧壁的至少一部分并且在基板上形成（12）上相邻的台面侧壁worin至少台面表面（20A）的一部分是自由的第一钝化层（30 ）和worin第一钝化层（30）包括第一材料。 第二钝化层（40）可在第一钝化层上形成（30）worin至少台面表面（20A）的一部分是自由的第二钝化层（40）的和worin第二钝化层（40） 包括与所述第一材料不同的第二材料。 相关设备等等讨论。