公开(公告)号：EP0558554A1

公开(公告)日：1993-09-08

申请号：EP91920076.0

申请日：1991-11-18

申请人： THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJESTY'S GOVERNMENT OF THE UNITED KINGDOM OF GREAT BRITAIN AND NORTHERN

发明人： HODGE, Alison, Meryl DRA Electronics Division ,  KEEN, John, Michael DRA Electronics Division

IPC分类号： H01L21 ,  H01L27 ,  H01L29

CPC分类号： H01L21/2022 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76245 ,  Y10S118/01 ,  Y10S118/03 ,  Y10S438/96

摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau de silicium sur silicium poreux, qui consiste à: (i) fabriquer une couche de silicium poreux sur une plaquette appropriée de silicium, de sorte que ladite plaquette de silicium comporte une surface de silicium poreux et une surface de silicium non poreux, (ii) appliquer une dose d'ions implantés sur au moins une partie de la surface de silicium poreux, ladite dose étant suffisante pour rendre amorphe le silicium poreux. Le matériau produit grâce au procédé de l'invention peut ensuite servir pour la production de matériau de silicium sur isolant par oxydation du restant de silicium poreux et recristallisation du silicium rendu amorphe. Un tel matériau peut typiquement être utilisé dans la fabrication, par exemple, de dispositifs de type SOI C-MOS et de transistors bipolaires. Le procédé de l'invention peut également servir dans la fabrication de dispositifs pyroélectriques par exemple.