公开(公告)号：EP0609658A2

公开(公告)日：1994-08-10

申请号：EP94100201.6

申请日：1994-01-07

申请人： SONY CORPORATION

发明人： Ohki, Hiroaki ,  Nishima, Osamu ,  Mori, Hiroyuki ,  Suzuki, Junya

IPC分类号： H01L29/796

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823406 ,  H01L29/76816

摘要： An output circuit device for detecting and converting signal charge transferred thereto from a charge transfer section of a CCD into a signal voltage is constructed such that a gate oxide film of a driving side MOS transistor of a first stage source follower which receives signal charge is formed as a thinner film than gate oxide films of the other MOS transistors in the same circuit to reduce the 1/f noise.
A first diffusion layer in which phosphor of a low concentration is diffused is formed in a semiconductor body, and a second diffusion layer in which arsenic or antimony of a high concentration is formed in a portion of the upper face of the first diffusion layer. Further, a third diffusion layer in which phosphor of a high concentration is formed in the range of the second diffusion layer on the surface of the semiconductor body in a deeper condition than the first diffusion layer is formed.
The resisting property against an aluminum spike at a junction between the diffusion layer and a wiring line is improved and an increase of the capacitance of the diffusion layer is suppressed.

摘要翻译： 用于检测从CCD的电荷转移部分传输的信号电荷并将其转换成信号电压的输出电路装置被构造成使得形成接收信号电荷的第一级源极跟随器的驱动侧MOS晶体管的栅极氧化物膜 作为比同一电路中的其他MOS晶体管的栅氧化膜更薄的膜以降低1 / f噪声。 在半导体本体中形成低浓度的荧光体扩散的第一扩散层，并且在第一扩散层的上表面的一部分中形成高浓度的砷或锑的第二扩散层。 此外，形成第三扩散层，其中在半导体本体的表面上的第二扩散层的范围内以比第一扩散层更深的深度条件形成高浓度的磷光体。 在扩散层和布线之间的接合处抵抗铝尖峰的抵抗性被改善并且扩散层的电容的增加被抑制。

公开(公告)号：EP0390205B1

公开(公告)日：1994-07-13

申请号：EP90106180.4

申请日：1990-03-30

申请人： SONY CORPORATION

发明人： Narabu, Tadakuni ,  Hamasaki, Masaharu ,  Iizuka, Tetsuya

IPC分类号： H01L29/796 ,  G11C19/28 ,  H01L27/148 ,  H01L29/816

CPC分类号： H01L27/148 ,  G11C19/285

公开(公告)号：EP0383210B1

公开(公告)日：1994-04-27

申请号：EP90102588.2

申请日：1990-02-09

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Miwada, Kazuo, c/o NEC Corporation

IPC分类号： H01L29/796 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L29/1087 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1091

公开(公告)号：EP0563846A1

公开(公告)日：1993-10-06

申请号：EP93105151.0

申请日：1993-03-29

申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.

发明人： Dischert, Lee R. ,  Topper, Robert J. ,  Leacock, Thomas J. ,  Hacke, Joseph F.

IPC分类号： H04N5/217 ,  H04N3/15 ,  H01L29/796

CPC分类号： H04N5/372 ,  H04N5/3597

摘要： An apparatus is disclosed for processing the output signals of a charge transfer device having at least one row of photoelectric elements. The charge transfer device produces output signals with charge levels that are provided to a shift register having a plurality of elements. The successive charge levels from each photoelectric element are provided to respective shift register elements, and the charge levels are transferred within the shift register to a readout terminal. A sample and hold device removes sampling artifacts inherent in the signal provided by the CCD, to produce a signal representing successive image pixel values. A peaking filter emphasizes high frequency components relative to low frequency components, to compensate for low pass filtering effects which may occur in the CCD.

摘要翻译： 公开了一种用于处理具有至少一行光电元件的电荷转移装置的输出信号的装置。 电荷转移装置产生具有提供给具有多个元件的移位寄存器的电荷电平的输出信号。 来自每个光电元件的连续充电电平被提供给各个移位寄存器元件，并且电荷电平在移位寄存器内传送到读出端。 采样和保持装置去除由CCD提供的信号中固有的采样伪像，以产生表示连续图像像素值的信号。 峰值滤波器强调相对于低频分量的高频分量，以补偿CCD中可能发生的低通滤波效应。

公开(公告)号：EP0551140A3

公开(公告)日：1993-09-15

申请号：EP93100302.4

申请日：1993-01-11

申请人： EASTMAN KODAK COMPANY

发明人： Hawkins, Gilbert A., c/o Eastman Kodak Co.. ,  Nelson, Edward Tichenor, c/o Eastman Kodak Co.. ,  Hoople, Christopher Ray, c/o Eastman Kodak Co..

IPC分类号： H01L29/796

CPC分类号： H01L29/1062 ,  H01L29/76841

摘要： A charge coupled device (10) having a layer (16) of a semiconductor material on a surface (14) of a substrate body (12) of a semiconductor material. The layer (16) is of a material which can be epitaxially deposited on the body with good crystalline quality. The material of the layer (16) has a conduction band and/or valence band which is different from that of the body (12) so as to provide a discontinuity in the energy level of the conduction band and/or valance band at the junction of the layer (16) and the body (12) during the operation of the charge coupled device. At least one electrode (20) is over and insulated from the layer (16). The discontinuity in the conduction band and/or valence band creates a well in which photogenerated charge is collected.

摘要翻译： 一种在半导体材料的衬底主体的表面上具有半导体材料层的电荷耦合器件。 该层是可以以良好的结晶质量外延沉积在人体上的材料。 该层的材料具有不同于本体的导带和/或价带，以便在层和体的接合处的导带和/或价带的能级提供不连续性 在电荷耦合器件的操作期间。 至少有一个电极与该层结合并绝缘。 导带和/或价带的不连续性产生了收集光生电荷的阱。

公开(公告)号：EP0551140A2

公开(公告)日：1993-07-14

申请号：EP93100302.4

申请日：1993-01-11

申请人： EASTMAN KODAK COMPANY

发明人： Hawkins, Gilbert A., c/o Eastman Kodak Co.. ,  Nelson, Edward Tichenor, c/o Eastman Kodak Co.. ,  Hoople, Christopher Ray, c/o Eastman Kodak Co..

IPC分类号： H01L29/796

CPC分类号： H01L29/1062 ,  H01L29/76841

摘要： A charge coupled device (10) having a layer (16) of a semiconductor material on a surface (14) of a substrate body (12) of a semiconductor material. The layer (16) is of a material which can be epitaxially deposited on the body with good crystalline quality. The material of the layer (16) has a conduction band and/or valence band which is different from that of the body (12) so as to provide a discontinuity in the energy level of the conduction band and/or valance band at the junction of the layer (16) and the body (12) during the operation of the charge coupled device. At least one electrode (20) is over and insulated from the layer (16). The discontinuity in the conduction band and/or valence band creates a well in which photogenerated charge is collected.

摘要翻译： 一种在半导体材料的衬底主体的表面上具有半导体材料层的电荷耦合器件。 该层是可以以良好的结晶质量外延沉积在人体上的材料。 该层的材料具有不同于本体的导带和/或价带，以便在层和体的接合处的导带和/或价带的能级提供不连续性 在电荷耦合器件的操作期间。 至少有一个电极与该层结合并绝缘。 导带和/或价带的不连续性产生了收集光生电荷的阱。

公开(公告)号：EP0401070A1

公开(公告)日：1990-12-05

申请号：EP90401258.0

申请日：1990-05-11

申请人： THOMSON COMPOSANTS MILITAIRES ET SPATIAUX

发明人： Roy, François ,  Thenoz, Yves ,  Tassin, Catherine

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/796 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L29/1091 ,  H01L27/14831 ,  H01L29/768

摘要： L'invention concerne les dispositifs à transfert de charges, et tout spécialement les matrices et les barrettes photosensibles. Ces dispositifs sont réalisés sur un substrat semiconducteur portant des grilles servant à effectuer les transferts de charge en fonction des séquences de potentiels qu'elles reçoivent. Ces potentiels sont référencés par rapport à un potentiel de référence, par exemple la masse, et en général le substrat est relié à la masse par un contact ohmique métallisé en face arrière du substrat. Pour les matrices photosensibles sur substrat aminci, on utilise un contact ohmique en face avant, mais cela nécessite des opérations technologiques supplémentaires. Selon l'invention, on a constaté qu'on pouvait relier le substrat (10, 12) au potentiel de référence (M) non pas par un contact ohmique mais par un contact redresseur, par exemple par l'intermédiaire d'une jonction PN (30, 40, 12). Le substrat n'est plus à potentiel fixe, mais le fonctionnement n'est en général pas perturbé. De plus, certains défauts tels que les "points blancs" de matrices photosensibles sont éliminés.

摘要翻译： 本发明涉及电荷转移装置，尤其涉及光敏矩阵和线性阵列。 这些器件是在半导体衬底上生产的，该半导体衬底承载着用于实现电荷转移的栅格，作为它们接收的电位序列的函数。 这些电位参考相对于参考电位，例如地球，并且通常，衬底通过衬底背面上的金属化欧姆接触连接到地球。 关于薄型衬底上的光敏矩阵，使用前端欧姆接触，但这需要额外的技术操作。 根据本发明，已经观察到，衬底（10,12）可以不通过欧姆接触而连接到参考电位（M），而是通过整流器接触，例如经由PN结（30,40,12 ）。 然后，基板不再处于固定电位，但是操作通常不受干扰。 此外，消除了诸如感光性基质的“白点”等某些缺陷。

公开(公告)号：EP0383210A1

公开(公告)日：1990-08-22

申请号：EP90102588.2

申请日：1990-02-09

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Miwada, Kazuo, c/o NEC Corporation

IPC分类号： H01L29/796 ,  H01L27/148

CPC分类号： H01L29/1087 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1091

摘要： A charge transfer device is fabricated on an n-­type semiconductor substrate (21) and comprises a p-­well (22) formed in a surface portion of the semicon­ductor substrate, an n-type charge transfer region (23) formed in a surface portion of the well, an n-type floating diffusion region (24) formed in the surface portion of the well and contiguous to the charge trans­fer region, an insulating film (30) covering the sur­face portion of the well, and a plurality of gate electrodes (31 to 36) provided on the insulating film and applied with driving clocks in such a manner as to produce conductive channels in the charge transfer region for transferring electric charges toward the floating diffusion region, in which the conductive channels in the vicinity of the floating diffusion region are gradually decreased in width toward the floating diffusion region, and in which impurity atoms of the well beneath the charge transfer region in the vicinity of the floating diffusion region are graded toward the floating diffusion region, so that the electric charges are allowed to swept thereinto without any residual.

摘要翻译： 基体A电荷转移器件被制造在n型半导体（21）和包括在所述半导体衬底的表面部分中形成p阱（22），n型的电荷转移区形成在表面部分（23） 井，在井里的到电荷传输区域中的表面部和连续形成的N型浮置扩散区域（24），其中绝缘片（30）覆盖的井的表面部分和栅电极的多元性 （31到36）设置在绝缘膜上，并与驱动时钟施加在寻求一种方式，以在电荷转移区的导电通道朝向浮置扩散区传递环的电荷，其中，在附近的导电通道中的浮动 扩散区逐渐减小在朝向浮置扩散区的宽度，并且在浮置扩散区域的附近的电荷转移区域的下方的阱的哪杂质原子被朝向分级 浮置扩散区，所以没有电荷被允许扫到其中无任何残留。

公开(公告)号：EP0457271B1

公开(公告)日：1994-12-28

申请号：EP91107784.0

申请日：1991-05-14

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Yamamoto, Junichi, c/o NEC Corporation

IPC分类号： H01L29/796

CPC分类号： H01L29/76816

公开(公告)号：EP0609658A3

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：EP94100201.6

申请日：1994-01-07

申请人： SONY CORPORATION

发明人： Ohki, Hiroaki ,  Nishima, Osamu ,  Mori, Hiroyuki ,  Suzuki, Junya

IPC分类号： H01L29/796

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823406 ,  H01L29/76816

摘要： An output circuit device for detecting and converting signal charge transferred thereto from a charge transfer section of a CCD into a signal voltage is constructed such that a gate oxide film of a driving side MOS transistor of a first stage source follower which receives signal charge is formed as a thinner film than gate oxide films of the other MOS transistors in the same circuit to reduce the 1/f noise. A first diffusion layer in which phosphor of a low concentration is diffused is formed in a semiconductor body, and a second diffusion layer in which arsenic or antimony of a high concentration is formed in a portion of the upper face of the first diffusion layer. Further, a third diffusion layer in which phosphor of a high concentration is formed in the range of the second diffusion layer on the surface of the semiconductor body in a deeper condition than the first diffusion layer is formed. The resisting property against an aluminum spike at a junction between the diffusion layer and a wiring line is improved and an increase of the capacitance of the diffusion layer is suppressed.