公开(公告)号：EP0322303B1

公开(公告)日：1993-03-24

申请号：EP88403249.1

申请日：1988-12-20

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cazaux, Yvon ,  Thenoz, Yves ,  Herault, Didier ,  Blanchard, Pierre

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/76841

公开(公告)号：EP0350091A3

公开(公告)日：1990-09-05

申请号：EP89201655.1

申请日：1989-06-22

申请人： TEKTRONIX INC.

发明人： Yang, Kei-Wean Calvin ,  Taggart, John Edward

IPC分类号： H01L29/796 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L29/66954 ,  G11C19/282 ,  H01L29/76841

摘要： A charge-coupled device (10) includes an array (12) of closely spaced electrodes aligned along a lateral path on an oxide layer (14) covering a semiconductor substrate (16). A portion of a channel region (18) in the substrate below each electrode has a tilted potential gradient providing an electrical field assisting lateral charge carrier drift within the channel region (18).

公开(公告)号：EP0551140A3

公开(公告)日：1993-09-15

申请号：EP93100302.4

申请日：1993-01-11

申请人： EASTMAN KODAK COMPANY

发明人： Hawkins, Gilbert A., c/o Eastman Kodak Co.. ,  Nelson, Edward Tichenor, c/o Eastman Kodak Co.. ,  Hoople, Christopher Ray, c/o Eastman Kodak Co..

IPC分类号： H01L29/796

CPC分类号： H01L29/1062 ,  H01L29/76841

摘要： A charge coupled device (10) having a layer (16) of a semiconductor material on a surface (14) of a substrate body (12) of a semiconductor material. The layer (16) is of a material which can be epitaxially deposited on the body with good crystalline quality. The material of the layer (16) has a conduction band and/or valence band which is different from that of the body (12) so as to provide a discontinuity in the energy level of the conduction band and/or valance band at the junction of the layer (16) and the body (12) during the operation of the charge coupled device. At least one electrode (20) is over and insulated from the layer (16). The discontinuity in the conduction band and/or valence band creates a well in which photogenerated charge is collected.

摘要翻译： 一种在半导体材料的衬底主体的表面上具有半导体材料层的电荷耦合器件。 该层是可以以良好的结晶质量外延沉积在人体上的材料。 该层的材料具有不同于本体的导带和/或价带，以便在层和体的接合处的导带和/或价带的能级提供不连续性 在电荷耦合器件的操作期间。 至少有一个电极与该层结合并绝缘。 导带和/或价带的不连续性产生了收集光生电荷的阱。

公开(公告)号：EP0551140A2

公开(公告)日：1993-07-14

申请号：EP93100302.4

申请日：1993-01-11

申请人： EASTMAN KODAK COMPANY

发明人： Hawkins, Gilbert A., c/o Eastman Kodak Co.. ,  Nelson, Edward Tichenor, c/o Eastman Kodak Co.. ,  Hoople, Christopher Ray, c/o Eastman Kodak Co..

IPC分类号： H01L29/796

CPC分类号： H01L29/1062 ,  H01L29/76841

摘要： A charge coupled device (10) having a layer (16) of a semiconductor material on a surface (14) of a substrate body (12) of a semiconductor material. The layer (16) is of a material which can be epitaxially deposited on the body with good crystalline quality. The material of the layer (16) has a conduction band and/or valence band which is different from that of the body (12) so as to provide a discontinuity in the energy level of the conduction band and/or valance band at the junction of the layer (16) and the body (12) during the operation of the charge coupled device. At least one electrode (20) is over and insulated from the layer (16). The discontinuity in the conduction band and/or valence band creates a well in which photogenerated charge is collected.

摘要翻译： 一种在半导体材料的衬底主体的表面上具有半导体材料层的电荷耦合器件。 该层是可以以良好的结晶质量外延沉积在人体上的材料。 该层的材料具有不同于本体的导带和/或价带，以便在层和体的接合处的导带和/或价带的能级提供不连续性 在电荷耦合器件的操作期间。 至少有一个电极与该层结合并绝缘。 导带和/或价带的不连续性产生了收集光生电荷的阱。

公开(公告)号：EP0409970A1

公开(公告)日：1991-01-30

申请号：EP90903674.0

申请日：1990-01-06

申请人： EASTMAN KODAK COMPANY

发明人： LOSEE, David, Lawrence ,  TREDWELL, Timothy, John ,  BOISVERT, David, Michael

IPC分类号： H04N5 ,  H01L27 ,  H01L29

CPC分类号： H01L29/76841 ,  H01L27/14831

摘要： Capteur d'image de zone du type à transfert d'interligne dans lequel une charge produite par de la lumière est transférée d'un pixel dans un dispositif de transfert de charges (CCD) ou un registre de décalage. La structure du CCD se compose typiquement de deux niveaux de chevauchement ou plus d'électrodes de polysilicium associées à chaque rangée de pixels. L'invention concerne un CCD de structure simplifiée présentant par conséquent une aptitude à la fabrication améliorée. Ledit CCD utilise des régions de barrière aux ions implantées, pouvant être auto-alignées comme cela est décrit par Losee et al. brevet US 4,613,402, afin de produire un dispositif doté d'une seule électrode en polysilicium associée à chaque pixel.

公开(公告)号：EP0322303A1

公开(公告)日：1989-06-28

申请号：EP88403249.1

申请日：1988-12-20

申请人： THOMSON-CSF

发明人： Cazaux, Yvon ,  Thenoz, Yves ,  Herault, Didier ,  Blanchard, Pierre

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/76841

摘要： De manière connue, le dispositif comporte en amont sur un substrat semi-conducteur (1) dopé d'un premier type (P), une couche semi-conductrice (2) dopée d'un deuxième type (N) et une couche isolante (3) recouvrant la couche (2). Des paires d'électrodes (P1, P2) sont formées sur la couche isolante. Chaque paire comporte une électrode de transfert (4) et une électrode de stockage (5). Des zones dopées (15) de troisième type (N⁻) sont réalisées dans la couche de deuxième type (N). Selon l'invention, une couche dopée (16) de troisième type (N⁻) est réalisée en aval, dans la couche (2) de deuxième type, et on forme en aval au moins une autre paire (17, 18) d'électrodes supplémentaires de transfert et de stockage. Une zone dopée (19) de quatrième type (N⁻⁻) est réalisée sous l'électrode supplémentaire de transfert (17), dans la couche (16) de troisième type (N⁻). Cette paire d'électrodes supplémentaires (17, 18) et la zone (19) dopée de quatrième type permettent d'obtenir l'abaissement de potentiel de transfert en sortie.

公开(公告)号：EP0602569A2

公开(公告)日：1994-06-22

申请号：EP93119989.7

申请日：1993-12-10

申请人： EASTMAN KODAK COMPANY

发明人： Stevens, Eric G., c/o Eastman Kodak Company ,  Kosman, Stephen L., c/o Eastman Kodak Company

IPC分类号： H01L21/339 ,  H01L29/796

CPC分类号： H01L29/66954 ,  H01L29/76841 ,  Y10S438/947

摘要： The present invention is directed to a method of making a true two-phase CCD using a single layer (level) of the conductive material for the gate electrodes to provide a planar structure. The method includes using L-shaped masking layers having a submicron length of a bottom portion between two masking layers of silicon dioxide on and spaced along a surface of a conductive layer. The conductive layer is over and insulated from a surface of a body of a semiconductor material having a channel region therein. The L-shaped masking layers are removed to expose a spaced narrow portions of the conductive layer. The conductive layer is then etched completely therethrough at each exposed portion to divide the conductive layer into gate electrodes which are spaced apart by submicron width gaps.

摘要翻译： CCD的方法包括：形成由掺杂的半导体主体上形成掩蔽层（22）的间隔开的部分绝缘的导电层（20）（18）（12），和部分地横跨第一掩蔽之间的空间形成第二掩模层 层和所有在所述间隙的端部相同。 第三掩模层形成在在另两个掩模层之间的空间的导体，去除第二掩模层并去除由此导电层的暴露部分来划分与之间的间隙的层到栅电极（50）。 所以声称是相反掺杂的信道在所述主体第一形成的所有其通过第一掩模掺杂，以形成阻挡层或存储区，其中使平面两相CCD如上的方法。 第二掩蔽层是L形的和合成部分如上去除以暴露导电层，所有这一切都被蚀刻，以形成栅极分割电极。

公开(公告)号：EP0350091B1

公开(公告)日：1993-12-29

申请号：EP89201655.1

申请日：1989-06-22

申请人： TEKTRONIX INC.

发明人： Yang, Kei-Wean Calvin ,  Taggart, John Edward

IPC分类号： H01L29/796 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L29/66954 ,  G11C19/282 ,  H01L29/76841

公开(公告)号：EP0404306A3

公开(公告)日：1991-07-17

申请号：EP90304315.6

申请日：1990-04-23

申请人： TEKTRONIX INC.

发明人： Yang, Kei-Wean Calvin ,  Taggart, John Edwards

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/796 ,  H01L21/339

CPC分类号： H01L29/66954 ,  H01L29/1062 ,  H01L29/76841

摘要： The charge transfer efficiency of a two-phase charge-coupled device cell is enhanced by providing a three-tiered built-in potential in the channel of each cell. Two lower potential tiers form a trenched potential well in the cell for storing charge. A higher potential tier between the trenched potential well of a cell and the potential well of a preceding neighbor cell provides a poten­tial barrier preventing backflow of charge from well-to-well. The potential trench is located at the downstream end of the well adjacent a succeeding neighbor cell of the CCD.

公开(公告)号：EP0350091A2

公开(公告)日：1990-01-10

申请号：EP89201655.1

申请日：1989-06-22

申请人： TEKTRONIX INC.

发明人： Yang, Kei-Wean Calvin ,  Taggart, John Edward

IPC分类号： H01L29/796 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L29/66954 ,  G11C19/282 ,  H01L29/76841

摘要： A charge-coupled device (10) includes an array (12) of closely spaced electrodes aligned along a lateral path on an oxide layer (14) covering a semiconductor substrate (16). A portion of a channel region (18) in the substrate below each electrode has a tilted potential gradient providing an electrical field assisting lateral charge carrier drift within the channel region (18).

摘要翻译： 电荷耦合器件（10）包括沿着覆盖半导体衬底（16）的氧化物层（14）上的横向路径排列的紧密间隔的电极阵列（12）。 在每个电极下面的衬底中的沟道区域（18）的一部分具有倾斜的电位梯度，提供在沟道区域（18）内辅助横向电荷载流子漂移的电场。