公开(公告)号：EP2327814A1

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：EP10197474.9

申请日：2005-07-16

申请人： Rohm and Haas Electronic Materials LLC

发明人： Wang, Deyan ,  Mikkola, Robert D ,  Wu, Chunyi ,  Barclay, George G

IPC分类号： C25D3/38 ,  C08G59/00

CPC分类号： C08G59/184 ,  C25D3/38 ,  H01L21/2885 ,  H05K3/423

摘要： A reaction product of a compound comprising a heteroatom chosen from nitrogen, sulfur and a mixture of nitrogen and sulfur, with a polyepoxide compound containing an ether linkage. Preferably, the compound comprising a heteroatom is imidazole and the polyepoxide compound has the formula (I)

wherein R is (C1-C10)alkyl; and R 2 and R 3 are independently chosen from H and R, wherein n = 1-20.

摘要翻译： 包含选自氮，硫和氮和硫的混合物的杂原子的化合物与含有醚键的聚环氧化物化合物的反应产物。 优选地，包含杂原子的化合物是咪唑，聚环氧化物具有式（I），其中R是（C 1 -C 10）烷基; R 2和R 3独立地选自H和R，其中n = 1-20。

公开(公告)号：EP2280308A1

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：EP10165194.1

申请日：2010-06-08

申请人： Rohm and Haas Electronic Materials, LLC

发明人： Wang, Deyan ,  Barclay, George G ,  Estelle, Thomas A ,  Spizuoco, Kenneth J ,  Kang, Doris

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0274

摘要： New lithographic processing methods are provided which are particularly useful in immersion lithography schemes. In one aspect, processes of the invention comprise: applying on a substrate a photoresist composition; exposing the photoresist layer to radiation activating for the photoresist composition; removing a portion but not all of the exposed photoresist layer; and developing the treated photoresist layer to provide a photoresist relief image.

摘要翻译： 提供了新的光刻处理方法，其在浸没式光刻方案中特别有用。 在一个方面，本发明的方法包括：在基底上施加光致抗蚀剂组合物; 将光致抗蚀剂层暴露于光致抗蚀剂组合物的辐射活化; 去除一部分而不是全部暴露的光致抗蚀剂层; 并显影经处理的光致抗蚀剂层以提供光刻胶浮雕图像。