公开(公告)号：EP0545859A1

公开(公告)日：1993-06-09

申请号：EP92810897.6

申请日：1992-11-18

申请人： CIBA-GEIGY AG

发明人： Steinmann, Alfred, Dr.

IPC分类号： G03F7/039 ,  C08G63/18

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08G63/181 ,  C08G63/199 ,  C08G63/547 ,  C08G63/6886 ,  C08K5/375 ,  C08L67/00

摘要： Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen enthaltend

(a) einen Polyester enthaltend wiederkehrende Struktureinheiten der Formel (I)
   worin Z für einen Rest der Formeln (IIa)-(IIh) steht
   worin Y für eine direkte Bindung, C₁-C₂₀-Alkylen, Phenylen, -CH₂-C₆H₄-CH₂-, Cyclopentylen oder Cyclohexylen steht und R₁ und R₂ unabhängig voneinander Wasserstoff, Methyl oder Ethyl bedeuten, mit der Massgabe, dass R₁ und R₂ nicht gleichzeitig Wasserstoff sind, und
(b) eine unter Einwirkung von aktinischer Strahlung säurebildende Substanz,

   bilden eine hochempfindliche Positiv-Photoresist-Formulierung mit hohem Auflösungsvermögen, die für die DUV-Lithographie und insbesondere zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen geeignet ist.

摘要翻译： 辐射敏感性组合物，其包含（a）含有式（I）的复发性结构单元的图像，其中Z表示式（IIa） - （IIh）的基团，其中Y表示直接键， C 1 -C 20亚烷基，亚苯基，-CH 2 -C 6 H 4 -CH 2 - ，亚环戊基或亚环己基，R 1和R 2彼此独立地是氢，甲基或乙基，条件是R 1和R 2不同时为氢， b）在光化辐射的影响下形成酸的物质，形成具有高分辨能力的高灵敏度正性光致抗蚀剂制剂，该配方适用于DUV光刻，特别是用于制造集成电路。

公开(公告)号：EP0307353A3

公开(公告)日：1990-09-12

申请号：EP88810579.8

申请日：1988-08-23

申请人： CIBA-GEIGY AG

发明人： Steinmann, Alfred, Dr.

IPC分类号： C08F30/04 ,  C08F8/42 ,  G03F7/10

CPC分类号： C08F30/04 ,  C07F7/0812 ,  C07F7/0818 ,  C08F8/42 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/115

摘要： Organometallhaltige Polymere mit Seitenketten der Formel I
worin zum Beispiel M Si, X O, R¹ und R² Wasserstoff und R⁴ bis R⁶ je Methyl bedeuten und ein mittleres Molekulargewicht zwischen 1000 und 1'000'000 aufweisen, eignen sich zur Herstellung von trockenentwickel­baren Photoresists, wie sie bei der Erzeugung von strukturierten Bildern, insbesondere in der Mikroelektronik, benötigt werden.

公开(公告)号：EP0307353A2

公开(公告)日：1989-03-15

申请号：EP88810579.8

申请日：1988-08-23

申请人： CIBA-GEIGY AG

发明人： Steinmann, Alfred, Dr.

IPC分类号： C08F30/04 ,  C08F8/42 ,  G03F7/10

CPC分类号： C08F30/04 ,  C07F7/0812 ,  C07F7/0818 ,  C08F8/42 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0758 ,  Y10S430/115

摘要： Organometallhaltige Polymere mit Seitenketten der Formel I
worin zum Beispiel M Si, X O, R¹ und R² Wasserstoff und R⁴ bis R⁶ je Methyl bedeuten und ein mittleres Molekulargewicht zwischen 1000 und 1'000'000 aufweisen, eignen sich zur Herstellung von trockenentwickel­baren Photoresists, wie sie bei der Erzeugung von strukturierten Bildern, insbesondere in der Mikroelektronik, benötigt werden.

摘要翻译： 例如，其中M为Si，X为O，R 1和R 2是氢，R <4>均值和与式侧链Organometallhaltige聚合物I 至R <6>各自是甲基具有1000至1,000,000的平均分子量，是合适 用于生产干显影光致抗蚀剂，因为它们需要在生产纹理图像的，特别是在微电子。

公开(公告)号：EP0236261A3

公开(公告)日：1988-09-21

申请号：EP87810014

申请日：1987-01-12

申请人： CIBA-GEIGY AG

发明人： Steinmann, Alfred, Dr.

IPC分类号： C08G02/14 ,  C08G02/20 ,  G03F07/10

CPC分类号： C08G2/14 ,  C08G2/20 ,  G03F7/039