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公开(公告)号：EP0758690A1
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：EP96112764.4
申请日：1996-08-08
CPC分类号： C30B15/26 , Y10T117/1004
摘要： Gegenstand der Erfindung sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bestimmung des Durchmessers eines an einer Kristallisationsgrenze wachsenden Einkristalls während des Ziehens des Einkristalls aus einer Schmelze. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Kristallisationsgrenze auf mindestens einem Spiegel abgebildet und das Spiegelbild beobachtet wird, und der Durchmesser des Einkristalls an Hand der beobachteten relativen Lage der Kristallisationsgrenze auf dem Spiegelbild bestimmt wird.
摘要翻译： 确定在从熔体单晶拉制期间在结晶前沿生长的单晶的直径的方法包括观察在一个或多个反射镜上形成的部分结晶前沿的图像，并基于 观察到结晶前沿的相对位置。 县。 镜像上的结晶前沿的某一相对位置与通过常规方法的直径确定得到的晶体直径相关联。 还声称是一个appts。 用于执行上述方法，包括位于生长晶体侧面的观察镜，并倾斜用于在其表面上成像结晶前沿的一部分。 县。 镜子由抛光的硅或抛光的银组成。
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公开(公告)号：EP0758689A1
公开(公告)日：1997-02-19
申请号：EP96112765.1
申请日：1996-08-08
发明人： Tomzig, Erich, Dr. , Zulehner, Werner, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Gelfgat, Yu M., Prof. Dr. , Gorbunov, L.A., Dr.
CPC分类号： C30B15/305 , Y10S117/917 , Y10T117/1032
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Halbleitermaterial nach der Czochralski-Methode. Es zeichnet sich dadurch aus, daß die Schmelze während des Kristallwachstums unter dem Einfluß eines Magnetfelds steht und das Magnetfeld durch Überlagern eines statischen Magnetfelds und eines alternierenden Magnetfelds erzeugt wird. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens, mit einer magnetischen Einrichtung, die zwei Spulen umfaßt, die um einen Tiegel angeordnet sind, wobei die eine Spule ein statisches und die andere Spule ein alternierendes Magnetfeld erzeugt.
摘要翻译： 在半导体单晶产品的过程中。 通过在晶体生长期间采用在可旋转石英玻璃坩埚中作用于熔体的磁场的切克劳斯基法，通过叠加静磁场和交变磁场产生磁场。 还声称是一个appts。 为执行上述过程，应用。 具有装有熔融填充坩埚周围的电阻加热器的容器，单晶拉制装置和用于在熔体中产生磁场的磁性装置。 新颖的是，磁性装置包括围绕坩埚的两个线圈，一个线圈产生静态磁场，另一个线圈产生交变磁场，并且是优选的。 被磁性材料环包围。
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