-
1.发明授权Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte 失效一种用于制备硅半导体晶片具有低缺陷密度的过程
公开(公告)号：EP0829559B2
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：EP97115806.8
申请日：1997-09-11
发明人： Graef, Dieter, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Wahlich, Reinhold , Krottenthaler, Peter , Lambert, Ulrich, Dr.
CPC分类号： C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06 , Y10S117/916
-
2.发明公开Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte 失效一种用于制备硅半导体晶片具有低缺陷密度的过程
公开(公告)号：EP0829559A1
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：EP97115806.8
申请日：1997-09-11
发明人： Graef, Dieter, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Wahlich, Reinhold , Krottenthaler, Peter , Lambert, Ulrich, Dr.
CPC分类号： C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06 , Y10S117/916
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Siliciumscheiben mit niedriger Defektdichte. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß
a) ein Einkristall aus Silicium mit einer Sauerstoff-Dotierung von mindestens 4*10 17 /cm 3 hergestellt wird, indem man schmelzflüssiges Material zu einem Einkristall erstarren und abkühlen läßt, und die Verweildauer des Einkristalls beim Abkühlen im Temperaturbereich von 850 bis 1100 °C kürzer als 80 min ist;
b) der Einkristall zu Silicumscheiben verarbeitet wird; und
c) die Siliciumscheiben bei einer Temperatur von mindestens 1000 °C für mindestens 1h getempert werden.
Schritt a) kann durch Schritt i) ersetzt sein:
i) ein Einkristall aus Silicium mit einer Sauerstoff-Dotierung von mindestens 4*10 17 /cm 3 und mit einer Stickstoff-Dotierung von mindestens 1*10 14 /cm 3 bereitgestellt wird.摘要翻译： 硅晶片的制造方法包括：（a）形成具有到的氧掺杂浓度的单晶硅4×10 <17> /厘米<3>，其中将熔融材料凝固成单晶，并在850冷却80分钟 -1100摄氏度; （B）处理所述单晶硅晶片到; 和（c）回火晶片在≥1000℃下≥1小时。
-
公开(公告)号：EP1225255A1
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：EP02000204.4
申请日：2002-01-10
发明人： von Ammon, Wilfried, Dr. , Virbulis, Janis, Dr. , Tomzig, Erich, Dr. , Gelfgat, Yuri, Dr. , Gorbunov, Leonid, Dr.
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/305
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium, durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze, die in einem Tiegel mit einem Durchmesser von mindestens 450 mm enthalten ist, über dem ein Wärmeschild angeordnet ist, wobei der Einkristall mit einem Durchmesser von mindestens 200 mm gezogen wird und die Schmelze dem Einfluß eines magnetischen Wanderfelds ausgesetzt wird, das im Bereich der Tiegelwand eine im wesentlichen vertikal ausgerichtete Kraft auf die Schmelze ausübt. Gegenstand der Erfindung ist weiterhin eine Vorrichtung, die zum Durchführen des Verfahrens geeignet ist.
摘要翻译： 制造硅单晶的方法是通过从包含在至少450mm的直径的坩埚中的硅熔体拉出单晶，在其上方布置有隔热层。 被拉伸的单晶直径至少为200mm。 硅熔体受到在坩埚壁的区域中对熔体施加基本垂直取向的力的行进磁场的影响。 还有一种适用于执行该过程的装置。
-
公开(公告)号：EP0866150B1
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：EP98104987.7
申请日：1998-03-19
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/203 , Y10T117/1068
-
5.发明授权Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls und Heizvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens 失效一种用于生产硅单晶和加热装置用于执行该方法的过程
公开(公告)号：EP0854209B1
公开(公告)日：2000-02-09
申请号：EP97121840.9
申请日：1997-12-11
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , H05B6/02 , H05B6/24 , Y10T117/1068
-
公开(公告)号：EP0758689B1
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：EP96112765.1
申请日：1996-08-08
发明人： Tomzig, Erich, Dr. , Zulehner, Werner, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Gelfgat, Yu M., Prof. Dr. , Gorbunov, L.A., Dr.
CPC分类号： C30B15/305 , Y10S117/917 , Y10T117/1032
-
公开(公告)号：EP0725169B1
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：EP96101379.4
申请日：1996-02-01
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1068
-
公开(公告)号：EP0926270B1
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：EP98123048.5
申请日：1998-12-08
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
-
9.发明授权Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte 失效一种用于制备硅半导体晶片具有低缺陷密度的过程
公开(公告)号：EP0829559B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：EP97115806.8
申请日：1997-09-11
发明人： Graef, Dieter, Dr. , von Ammon, Wilfried, Dr. , Wahlich, Reinhold , Krottenthaler, Peter , Lambert, Ulrich, Dr.
CPC分类号： C30B15/00 , C30B13/00 , C30B29/06 , Y10S117/916
-
公开(公告)号：EP0783046B1
公开(公告)日：1999-07-28
申请号：EP96119963.5
申请日：1996-12-12
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
22 条记录 (耗时 0.016 秒)
