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    Ink composition
    31.
    发明公开
    Ink composition 失效
    油墨组成

    公开(公告)号：EP0024497A1

    公开(公告)日：1981-03-11

    申请号：EP80103556.9

    申请日：1980-06-24

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Metz, Eric Alan

    IPC分类号： C09D11/00

    CPC分类号： C09D11/30

    摘要： The present invention relates to an ink for use in ink jet printing. The ink comprises crystal violet, n-butyl ether of diethylene glycol and an acid dye. Inks comprising crystal violet and the n-butyl ether of diethylene glycol exhibit great antimicrobial action.

    摘要翻译： 本发明涉及用于喷墨印刷的油墨。 油墨包含结晶紫，二甘醇的正丁基醚和酸性染料。 包含结晶紫和二甘醇的正丁醚的油墨显示出很好的抗微生物作用。

    A zener diode and method of fabrication thereof
    33.
    发明公开
    A zener diode and method of fabrication thereof 失效
    齐纳二极管和Verfahren zu deren Herstellung。

    公开(公告)号：EP0017022A1

    公开(公告)日：1980-10-15

    申请号：EP80101240.2

    申请日：1980-03-11

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Atwood, Bruce Coleman ,  Muggli, Raymond Allen

    IPC分类号： H01L29/90 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08

    CPC分类号： H01L27/0814 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/866

    摘要： This invention relates to a subsurface breakdown zener diode having an internally protected P-N junction and a method of fabrication thereof. A semiconductor substrate (10) of one conductivity type (P) has a deposit of semiconductor material (P + ) of the same conductivity type but more heavily doped over which an epitaxial layer (14') of semiconductor material of another semiconductor conductivity type (N) is grown and whereby the deposit becomes a buried layer (12'). Semiconductor material of the one conductivity type and intermediate doping is diffused into an annular region (18) in the epitaxial layer while at the same time a quantity of the same material is diffused into a region (20') centrally of and spaced from the annular region (18'). Both diffusions are carried out to contact with the buried layer (12'). Material (28') of the other conductivity type and doped more heavily than the epitaxial layer (14') is diffused over the centrally diffused material and carried out to convert the first diffusion to the opposite conductivity type for a substantial depth into the epitaxial layer (14') whereby a pn + junction is formed completely beneath the surface. Contacts for the zener diode are made to the annular diffusion region (18') and the diffusion region (28').

    摘要翻译： 本发明涉及具有内部保护的P-N结的地下击穿齐纳二极管及其制造方法。 一种导电型（P）的半导体衬底（10）具有相同导电类型但较重掺杂的半导体材料（P +）的沉积物，通过其沉积另一种半导体电导率的半导体材料的外延层（14分钟） 生长型（N），由此沉积物成为埋层（12分钟）。 一种导电类型和中间掺杂的半导体材料扩散到外延层中的环形区域（18）中，同时一定量的相同材料扩散到区域（20分钟）中心并与环形区域间隔开 区域（18分钟）。 进行两次扩散以与埋层接触（12分钟）。 其他导电类型的材料（28分钟）和掺杂比外延层（14分钟）更大，在中心扩散材料上扩散，并进行以将第一扩散转换成相对导电类型，以进入外延层的相当深度 （14分钟），从而在整个surtace下完全形成一个pn +结。 用于齐纳二极管的触点用于环形扩散区域（18分钟）和扩散区域（28分钟）。

    A method of etching a surface
    34.
    发明公开
    A method of etching a surface 失效
    蚀刻表面的方法

    公开(公告)号：EP0008348A1

    公开(公告)日：1980-03-05

    申请号：EP79102336.9

    申请日：1979-07-09

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Winters, Harold F. ,  Chapman, Brian N.

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  C09K13/00 ,  C23F1/00

    CPC分类号： C09K13/00 ,  C01B23/0005 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/31116

    摘要： The invention relates to a method of etching surfaces such as silicon dioxide, silicon nitride and silicon carbide by exposing the surface simultaneously to a noble gas halide such as fluorinated xenon compound and radiation such as electron beam radiation. The etch rate of silicon dioxide achieved by the present invention, as illustrated in Figure 1, is about 200 angstroms per minute.

    摘要翻译： 本发明涉及通过将表面同时暴露于诸如氟化氙化合物的惰性气体卤化物和诸如电子束辐射之类的辐射来蚀刻诸如二氧化硅，氮化硅和碳化硅的表面的方法。 如图1所示，通过本发明实现的二氧化硅的蚀刻速率大约为每分钟200埃。

    A closed loop bubble lattice system
    35.
    发明公开
    A closed loop bubble lattice system 失效
    Magnetische Blasengitteranordnung mit geschlossener Schleife。

    公开(公告)号：EP0006484A2

    公开(公告)日：1980-01-09

    申请号：EP79101722.1

    申请日：1979-06-01

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Brown, Byron Richard

    IPC分类号： G11C19/08

    CPC分类号： G11C19/0816

    摘要： A bubble storage system includes a closed loop propagation pattern suitable for use with a bubble lattice. The closed loop propagation pattern (12A-H) is folded and contains, for example, segments of a hexagonal lattice (18A-D, 20A-D, 22A-D, 24A-D) connected by 60° turns to obtain a close pack bubble storage configuration. The bubbles are propagated along the pattern consisting, preferably, of C-bar or chevron type permalloy elements by a rotating magnetic field in the plane of the pattern. In a preferred embodiment, the folded closed loop propagation pattern is surrounded by a region of non-propagating bubbles retained by permalloy dot confinement means (26).

    摘要翻译： 气泡存储系统包括适合与气泡晶格一起使用的闭环传播模式。 闭环传播图案（12A-H）被折叠并且包含例如通过60°角连接的六边形格子（18-D，20A-D，22A-D，24A-D）的片段以获得紧密包装 气泡存储配置。 气泡通过图案平面中的旋转磁场沿着由C形棒或人字纹型坡莫合金元素组成的图案传播。 在优选实施例中，折叠闭环传播图案被由坡莫合金点约束装置（26）保留的不传播气泡的区域包围。

    Information storage material
    36.
    发明公开
    Information storage material 失效
    Informationsspeichermaterial。

    公开(公告)号：EP0002573A1

    公开(公告)日：1979-06-27

    申请号：EP78300701.6

    申请日：1978-12-01

    申请人： International Business Machines Corporation

    发明人： Burland, Donald Maxwell

    IPC分类号： G11C13/04 ,  G03C1/733 ,  G02B5/23 ,  G02F1/35

    CPC分类号： G03C1/73

    摘要： This invention relates to a storage material for an optical data storage system see frgure 1). The storage material (22) contains a quest malenal such as cinnoline, which is dissolved in a host marenal such as naphthalene.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于光学数据存储系统的存储材料。 储存材料（22）含有诸如噌啉的任意物质，其被称为主体材料如萘。